研究成果/2003年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2003年 [#h978c30b]
**論文・プロシーディングス [#a5113f30]
***査読付き [#zfb0087d]

-A. Koizumi, Y. Fujiwara, K. Inoue, A. Urakami, T. Yoshikane and Y. Takeda:&br;
"Room-temperature 1.54 &micro;m light emission from Er,O-codoped GaAs/GaInP LEDs grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''42''(4B) (2003) pp. 2223-2225.

-I. Yamakawa, T. Yamauchi, R. Oga, Y. Fujiwara, Y. Takeda and A. Nakamura:&br;
"Cross-sectional scanning tunneling microscopy study of interfacial roughness in an InGaAs/InP multiple quantum well structure grown by metalorganic vapor phase epitaxy"&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''42''(4A) (2003) pp. 1548-1551.

-T. Akane, S. Jinno, Y. Yang, T. Hirata, T. Kuno, Y. Isogai, N. Watanabe, Y. Fujiwara, A. Nakamura and Y. Takeda:&br;
"AFM observation of OMVPE-grown ErP on InP substrates using a new organometal Er(EtCp)&subsc{3};"&br;
Applied Surface Science ''216'' (2003) pp. 537-541.

-A. Koizumi, Y. Fujiwara, K. Inoue, T. Yoshikane, A. Urakami and Y. Takeda:&br;
"Growth sequence dependence of GaAs-on-GaInP interface characteristics in GaAs/GaInP/GaAs structures grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Applied Surface Science ''216'' (2003) pp. 560-563.

-Y. Fujiwara, Y. Nonogaki, R. Oga, A. Koizumi and Y. Takeda:&br;
"Reactor structure dependence of interface abruptness in GaInAs/InP and GaInP/GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Applied Surface Science ''216'' (2003) pp. 564-568.

-R. Oga, W.-S. Lee, Y. Yoshida, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"White light source in infrared region from InAs quantum dots grown on (001) InP substrates by droplet heter-epitaxy"&br;
Applied Physics Letters ''82''(25) (2003) pp. 4546-4548.

-A. Koizumi, Y. Fujiwara, A. Urakami, K. Inoue, T. Yoshikane and Y. Takeda:&br;
"Room-temperature electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Applied Physics Letters ''83''(22) (2003) pp. 4521-4523.

-Y. Fujiwara, A. Koizumi, A. Urakami, T. Yoshikane, K. Inoue and Y. Takeda:&br;
"Room-temperature 1.5 &micro;m electroluminescence from GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP double heterostructure injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Materials Science and Engineering B ''105''(1-3) (2003) pp. 57-60.

-Y. Fujiwara, A. Koizumi, K. Inoue, A. Urakami, T. Yoshikane and Y. Takeda:&br;
"Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Materials Research Society Symposium Proceedings, Progress in Semiconductors II--Electronic and Optoelectronic Applications, Vol. 744, edited by B.D. Weaver, M.O. Manasreh, C.C. Jagadish and S. Zollner (Materials Research Society, Pittsburgh, 2003) pp. 149-154.

-A. Koizumi, Y. Fujiwara, A. Urakami, K. Inoue, T. Yoshikane and Y. Takeda:&br;
"Effects of active layer thickness on Er excitation cross section in GaInP/GaAs:Er,O /GaInP DH structure light-emitting diodes"&br;
Physica B ''340-342'' (2003) pp. 309-314.

-T. Kuno, T. Akane, S. Jinno, T. Hirata, Y. Yang, Y. Isogai, N. Watanabe, Y. Fujiwara, A. Nakamura and Y. Takeda:&br;
"AFM observation of OMVPE grown ErP on InP (001), (111)A and (111)B substrates"&br;
Materials Science in Semiconductor Processing ''6'' (2003) pp. 461-464.

-H. Ofuchi, T. Akane, S. Jinno, Y. Yang, N. Kuno, T. Hirata, M. Tabuchi, Y. Fujiwara, and Y. Takeda:&br;
"Fluorescence EXAFS analysis for ErP grown on by organometallic vapor phase epitaxy using a new organometal Er(EtCp)&subsc{3};"&br;
Materials Science in Semiconductor Processing ''6'' (2003) pp. 469-472.

-T. Hirata, T. Akane, S. Jinno, T. Kuno, Y. Yang, Y. Fujiwara, A. Nakamura and Y. Takeda:&br;
"SEM observation of overgrown InP on ErP/InP (001), InP (111)A, and InP (111)B"&br;
Materials Science in Semiconductor Processing ''6'' (2003) pp. 473-476.

-R. Oga, W.-S. Lee, Y. Yoshida, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"Growth temperature dependence of InP nanopyramids grown by selective-area flow rate modulation epitaxy"&br;
Materials Science in Semiconductor Processing ''6'' (2003) pp. 477-480.


**国際会議発表 [#sfeb1b84]

-Y. Fujiwara, A. Koizumi and Y. Takeda:
"Room temperature 1.5 mm electroluminescence from GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP double heterostructure injection-type light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy",
2003 European Materials Research Society Spring Meeting, J-III.5, Strasbourg, France, June 10-13 (2003). &br;
【招待講演】

-A. Koizumi, Y. Fujiwara, A. Urakami, K. Inoue, T. Yoshikane and Y. Takeda:&br;
"Effects of GaAs:Er,O active layer thickness on luminescence properties of GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP injection-type double heterostructure light-emitting diodes"&br;
22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22), Aarhus, Denmark, C1, July 28-August 1 (2003).

-R. Oga, W.-S. Lee, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"Extremely broad infrared light source from InAs quantum dots grown on InP (001) substrates by droplet heteroepitaxy"&br;
28th International Conference on Infrared and Milimeter Waves (ICIMW28), Otsu, Japan, PD-4, September 29-October 3 (2003).

-W.-S. Lee, R. Oga, Y. Yoshida, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"Formation of InAs quantum dots by droplet hetero-epitaxy on GaInAsP and AlInAs lattice-matched with InP substrates"&br;
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nara, Japan, 17P012Y, November 16-20 (2003).

-Y. Yoshida, R. Oga, W.-S. Lee, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"Fabrication of InAs quantum dots by droplet hetero-epitaxy on periodic arrays of InP nanopyramids"&br;
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nara, Japan, 17P013Y, November 16-20 (2003).

-T. Yoshikane, A. Koizumi, S. Hisadome, M. Tabuchi, Y. Fujiwara, A. Urakami, K. Inoue and Y. Takeda:&br;
"Effects of growth sequence on atomic level interfacial structures and characteristics of GaInP/GaAs/GaInP double heterostructures grown by low-pressure OMVPE"&br;
7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), Nara, Japan, 17P029Y, November 16-20 (2003).



**国内会議発表 [#l9a54c67]

-寺尾岳見、横田壮司、藤村紀文、藤原康文、吉兼豪勇、小泉淳、竹田美和：&br;
"Er doped GaAsの磁気及び磁気輸送特性に及ぼすキャリアドーピングの効果"&br;
第64回応用物理学学会学術講演会、31p-ZL-3、福岡大学、福岡市、8月31日 (2003).

-吉兼豪勇、小泉淳、藤原康文、竹田美和：&br;
"GaInP/GaAs:Er,O/GaInPダブルヘテロ構造LEDのEL特性－Er,O共添加GaAsにおけるキャリア拡散長－"&br;
第64回応用物理学学会学術講演会、31p-ZE-10、福岡大学、福岡市、8月31日 (2003).

-吉田義浩、大賀涼、李祐植、藤原康文、竹田美和：&br;
"液滴ヘテロエピタキシーによる周期配列InPナノピラミッド上InAs量子ドットの作製"&br;
第64回応用物理学学会学術講演会、1a-ZF-1、福岡大学、福岡市、9月1日 (2003).

-李祐植、大賀涼、吉田義浩、藤原康文、竹田美和：&br;
"液滴ヘテロエピタキシーによるAlInAs上InAs量子ドットの形成と電流注入発光"&br;
第64回応用物理学学会学術講演会、1p-ZF-8、福岡大学、福岡市、9月1日 (2003).

-久留真一、小川和夫、小泉淳、浦上晃、吉兼豪勇、田渕雅夫、藤原康文、竹田美和：&br;
"GaAs/GaInP/GaAs界面構造の成長温度依存性とそのX線CTR散乱法による解析"&br;
第64回応用物理学学会学術講演会、2a-K-7、福岡大学、福岡市、9月2日 (2003).

-山川市朗、涌井義一、鷲見高雄、大賀涼、藤原康文、竹田美和、中村新男：&br;
"成長中断MOVPE法により作製したInP/InGaAs界面の断面STM観測"&br;
第64回応用物理学学会学術講演会、2a-K-9、福岡大学、福岡市、9月2日 (2003).

-平加憲作、吉田誠、国本崇、大久保晋、太田仁、小泉淳、藤原康文、竹田美和：&br;
"X-band ESRによるGaAs:Er，Oの発光中心の解明Ⅱ"&br;
日本物理学会　2003年秋季大会、21pTH-8、岡山大学、岡山市、9月21日 (2003).

-大渕博宣、吉兼豪勇、小泉淳、森敬洋、井上大那、久野尚志、平田智也、茜俊光、田渕雅夫、藤原康文、竹田美和、中村新男：&br;
"異なる成長法により作製したErAs極薄膜の蛍光EXAFS法による評価"&br;
第６回XAFS討論会、25P08、千葉大学、千葉市、9月25日 (2003).

-小牧孝直、小森敏敬、小泉淳、周震、森永正彦、竹田美和、藤原康文:&br;
"ZnOに及ぼすエルビウムの添加効果"&br;
日本金属会2003年秋期大会、660、北海道大学、札幌市、10月13日 (2003).



**研究会 [#o52dce43]

-藤原康文：
"フォトルミネッセンス法と薄膜評価への応用"&br;
応用物理学会東海支部第3回基礎セミナー「薄膜の評価技術」, pp. 59-76&br;
名古屋工業大学、名古屋市、7月17-18日 (2003).

-藤原康文：&br;
"Ⅲ-Ⅴ族半導体への希土類不純物原子レベル制御ドーピングとデバイス応用"&br;
第13回格子欠陥フォーラム「原子・分子操作を用いた欠陥・ナノ構造の制御」, 2-1, pp. 48-55.
鷲羽山下電ホテル、倉敷市、9月24日 (2003).&br;
【招待講演】

-藤原康文：&br;
"希土類添加半導体の光物性―電流注入型波長超安定発光デバイスを目指して"&br;
応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその応用」近赤外オプトエレクトロニクス材料の光物性
大阪市立大学、大阪市、10月31日 (2003).&br;
【招待講演】