研究成果/2005年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2005年 [#ye92c499]
**論文・プロシーディングス [#c6030797]
***査読付き [#aa2cf555]

-M. Yoshida, K. Hiraka, H. Ohta, Y. Fujiwara, A. Koizumi and Y. Takeda:&br;
"Electron spin resonance study of Zn-codoping effect on local structure of the Er-related centers in GaAs:Er,O"&br;
Journal of Applied Physics ''97''(2) (2005) pp. 023909-1-4.

-Z. Zhou, N. Sato, T. Komaki, A. Koizumi, T. Komori, M. Morinaga, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"Effects of S-doping and subsequent annealing on photoluminescence around 1.54 &micro;m from Er-containing ZnO"&br;
Materials Science Forum ''475-479'' (2005) pp. 1125-1128.

-M. Yoshida, K. Hiraka, H. Ohta, A. Koizumi, Y. Fujiwara and Y. Takeda:&br;
"ESR study of Zn codoping effect on the luminescence efficiency of the Er-2O center in GaAs:Er,O"&br;
Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings, Vol. 772, edited by J. Menendez and C. G. Van de Walle (AIP, New York, 2005) pp.121-122.

-M. Suzuki, M. Tonouchi, A. Koizumi, Y. Takeda, K. Nakamura and Y. Fujiwara:&br;
"Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface"&br;
Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings, Vol. 772, edited by J. Menendez and C. G. Van de Walle (AIP, New York, 2005) pp. 131-132.

-Y. Fujiwara, K. Nakamura, A. Koizumi, Y. Takeda, M. Suzuki and M. Tonouchi:&br;
"Pump and probe reflection study on photoexcited carrier dynamics in Er,O-codoped GaAs"&br;
Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings, Vol. 772, edited by J. Menendez and C. G. Van de Walle (AIP, New York, 2005) pp. 139-140.

-Y. Fujiwara, K. Nakamura, S. Takemoto, Y. Terai, M. Suzuki, A. Koizumi, Y. Takeda and M. Tonouchi:&br;
"Nonequilibrium carrier dynamics studied in Er,O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique"&br;
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping for Optoelectronic Applications, edited by T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, M. Lipson and J. M. Zavada (Materials Research Society, Pittsburgh, 2005) pp. 79-83.

-Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature operation of injection-type 1.5 &micro;m light-emitting diodes with Er,O-codoped GaAs"&br;
Materials Transactions ''46''(9) (2005) pp. 1969-1974.

-Y. Fujiwara, A. Koizumi, K. Nakamura, M. Suzuki, Y. Takeda and M. Tonouchi:&br;
"Behaviors of nonequilibrium carriers in Er,O-codoped GaAs for 1.5 &micro;m light-emitting devices with extremely stable wavelength"&br;
Materials Science Forum ''512'' (2005) pp. 159-164.



***査読なし [#h3a0b8c1]

-Y. Terai, Y. Maeda, K. Akiyama and Y. Fujiwara:
"Investigation of &beta;-FeSi&subsc{2};/Si heterostructures by photoluminescence with different optical configurations"
Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005, Kobe, Japan, September 13-15, 2005) pp. 330-331.



**国際会議発表 [#gf4a4c1f]

-Y. Fujiwara, K. Nakamura, S. Takemoto, A. Koizumi, M. Suzuki, Y. Takeda and M. Tonouchi:&br;
"Nonequilibrium carrier dynamics studied in Er,O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique"&br;
2005 Materials Research Society Spring Meeting, San Francisco, USA, ''V3.7'', March 28-April 1 (2005).

-Y. Fujiwara, T. Tokuno, H. Ichida, A. Koizumi, Y. Takeda and Y. Kanematsu:&br;
"Excitation cross section of Er-2O luminescent center in Er,O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
2005 European Materials Research Society Spring Meeting, ''C-I.02'', Strasbourg, France, May 31-June 3 (2005).

-A. Mishina, T. Akahori, I. Yamauchi and Y. Fujiwara:&br;
"Growth of bulk b-FeSi2 crystals by annealing of well aligned solidification structures"&br;
23rd International Conference on Defects in Semiconductors, Awaji Island, Japan, ''TuP.43'', July 25-29 (2005).

-Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence enhancement of beta-FeSi2 crystals by optimizing Al doping concentration"&br;
23rd International Conference on Defects in Semiconductors, Awaji Island, Japan, ''TuP.70'', July 25-29 (2005).

-K. Nakamura, S. Takemoto, Y. Terai, M. Suzuki, A. Koizumi, Y. Takeda, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Direct observation of trapping of photoexcited carriers in Er,O-codoped GaAs"&br;
23rd International Conference on Defects in Semiconductors, Awaji Island, Japan, ''WeM2.2C'', July 25-29 (2005).

-K. Yamaoka, Y. Yoshizako, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of stable SiOCH films using tetraethoxysilane"&br;
23rd International Conference on Defects in Semiconductors, Awaji Island, Japan, ''ThP.5'', July 25-29 (2005).

-Y. Fujiwara, M. Yoshida, T. Terao, A. Koizumi, H. Ohta, Y. Takeda and N. Fujimura:&br;
"Anomalous magnetic behaviors of Er ions in Er,O-codoped GaAs"&br;
Third International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech III), Awaji Island, Japan, ''P12'', August 1-5 (2005).

-Y. Terai, Y. Maeda, K. Akiyama and Y. Fujiwara:&br;
"Investigation of b-FeSi2/Si heterostructures by photoluminescence with different optical configurations"&br;
2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), ''E-4-3'', Kobe, Japan, September 13-15 (2005).




**国内会議発表 [#ne36f87d]

-中村一彦、竹本庄一、寺井慶和、鈴木正人、小泉淳、竹田美和、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおける光励起キャリアの緩和プロセス"&br;
第52回応用物理学関係連合講演会、''31p-T-10''、埼玉大学、さいたま市、3月30日 (2005).

-三品明生、赤堀友彦、山内勇、藤原康文：&br;
"整列凝固組織を利用したバルクb-FeSi2の作製と方位解析"&br;
第52回応用物理学関係連合講演会、''31p-YC-12''、埼玉大学、さいたま市、3月30日 (2005).

-市田秀樹、徳野剛大、小泉淳、竹田美和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおけるEr光励起断面積の評価"&br;
第52回応用物理学関係連合講演会、31p-T-11、埼玉大学、さいたま市、3月30日 (2005).

-三品明生、寺井慶和、山内勇、藤原康文：&br;
"包析反応による&beta;-FeSi&subsc{2};単結晶の成長初期過程"&br;
第65回応用物理学関係連合講演会、''10a-S-7''、徳島大学、徳島市、9月10日 (2005).

-寺井慶和、前田佳均、秋山賢輔、藤原康文：&br;
"Cuの熱拡散による&beta;-FeSi&subsc{2};の発光スペクトル変化"&br;
第65回応用物理学関係連合講演会、10p-S-1、徳島大学、徳島市、9月10日 (2005).

-竹本庄一、中村一彦、寺井慶和、鈴木正人、小泉淳、竹田美和、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおける光励起キャリアの緩和とエネルギー輸送"&br;
第65回応用物理学関係連合講演会、9a-K-4、徳島大学、徳島市、9月7日 (2005).

-徳野剛大、市田秀樹、寺井慶和、小泉淳、竹田美和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおけるEr光励起断面積の抑制機構"&br;
第65回応用物理学関係連合講演会、9a-K-3、徳島大学、徳島市、9月7日 (2005).

-築山大輔、山岡慶祐、加藤英明、吉迫裕司、寺井慶和、藤原康文：&br;
"TEOSを用いたリモートプラズマCVD法によるSiOCH膜の室温成膜"&br;
第65回応用物理学関係連合講演会、11a-M-6、徳島大学、徳島市、9月7日 (2005).

-山岡慶祐、吉迫裕司、加藤英明、築山大輔、寺井慶和、藤原康文：&br;
"TEOSを用いて作製したSiOCH膜に含まれる炭化水素基の熱的安定性"&br;
第65回応用物理学関係連合講演会、11a-M-7、徳島大学、徳島市、9月7日 (2005).

-平松隆、日高圭二、寺井慶和、藤原康文：&br;
"OMVPE法によるInGaP/GaAsヘテロ界面の作製とその評価"&br;
日本金属学会2005年秋期（第137回）大会、''965''、広島大学、東広島市、9月28日 (2005).

-日高圭二、平松隆、寺井慶和、藤原康文：
"OMVPE法による炭素ドープGaAsの低温成長と電気的評価"&br;
日本金属学会2004年秋期（第137回）大会、''968''、広島大学、東広島市、9月28日 (2005).



**研究会 [#t69b98fd]

-藤原康文、藤村紀文、太田仁、大渕博宣、斗内政吉、白井光雲：&br;
"希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成16年度研究成果報告会、東京工業大学百年記念館、東京都目黒区、1月27, 28日 (2005).

-藤原康文、寺井慶和、兼松泰男、市田秀樹、斗内政吉、鈴木正人：&br;
"波長超安定光源用材料：Er,O共添加GaAsにおけるEr光励起断面積の評価"&br;
2004年度大阪大学先端科学イノベーションセンターVBL部門公開成果発表会、大阪大学先端科学イノベーションセンター、吹田市、3月3日 (2005).

-藤原康文：&br;
"原子レベル制御による新規量子機能材料の創製"&br;
21世紀COEプログラム「構造・機能先進材料デザイン研究拠点の形成」第3回シンポジウム、大阪大学銀杏会館、吹田市、3月6日 (2005).

-藤原康文、藤村紀文、太田仁、大渕博宣、斗内政吉、白井光雲：&br;
"希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成17年度夏の研究会、東北大学電気通信研究所、仙台市、6月8-9日 (2005).

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」平成17年度スタートアップ研究会、熊本大学、熊本市、6月20-21日 (2005).

-S. Takemoto, K. Nakamura, Y. Terai, M. Suzuki, A. Koizumi, Y. Takeda, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Ultrafast trapping processes of photoexcited carriers in Er,O-codoped GaAs"&br;
24th Electronic Materials Symposium, ''I4'', pp. 191-192、メルパルク松山、松山市、7月4-6日 (2005).

-K. Yamaoka, Y. Yoshizako, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiOCH films at room temperature using TEOS"&br;
24th Electronic Materials Symposium, ''G12'', pp. 157-158、メルパルク松山、松山市、7月4-6日 (2005).

-三品明生、寺井慶和、山内勇、藤原康文：&br;
"包析反応によるバルク&beta;-FeSi&subsc{2};の結晶生成"&br;
第9回シリサイド系半導体夏の学校、湯河原 万葉荘、神奈川県足柄下郡、7月30日 (2005).

-藤原康文：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御とＥＬ機能"&br;
セミナー「無機ＥＬデバイスの基礎と応用」、（株）クラレつくば研究所、つくば市、8月31日 (2005).

-市田秀樹、兼松泰男、徳野剛大、寺井慶和、藤原康文、小泉淳、竹田美和：&br;
"希土類添加半導体GaAs:Er,OにおけるEr光励起断面積"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」平成17年度希土類若手研究発表会, ''O1-4''、松島ホテル大観荘、宮城県宮城郡、9月15日 (2005).

-藤原康文：&br;
"フォトルミネッセンス法"&br;
応用物理学会東海支部第7回基礎セミナー「薄膜の評価技術」, pp. 79-87、名古屋工業大学、名古屋市、9月29-30日 (2005).

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」平成17年度全体会議、順天堂大学、東京都千代田区、11月19日 (2005).

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」平成１７年度A03班会議、大阪市立大学、大阪市、12月3日 (2005).

-吉迫裕司、山岡慶祐、加藤英明、築山大輔、寺井慶和、藤原康文：&br;
"PECVDによるSi系酸化膜の室温成膜とプラズマ診断/Plasma diagnosis of PECVD for the SiOCH deposition at room temperature"&br;
第16回日本MRS学術シンポジウム, ''H1-P02-D''、日本大学、東京都千代田区、12月10日 (2005).

-山岡慶祐、吉迫裕司、加藤英明、築山大輔、寺井慶和、藤原康文：&br;
"TEOSを用いたプラズマCVD法により室温作製したSiOCH膜の構造および電気的評価/Structural and electrical properties of SiOCH films deposited by room-temperature PECVD using TEOS"&br;
第16回日本MRS学術シンポジウム, ''H1-O02-M''、日本大学、東京都千代田区、12月10日 (2005).



**著書 [#v3364cec]

-藤原康文:&br;
"LEDの劣化を防ぐには？（第７章／第１節）"&br;
「LED最新技術動向～性能向上・課題解決集～」、（株）情報機構 (2005) pp. 123-132.

-T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, M. Lipson and J. M. Zavada:&br;
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping for Optoelectronic Applications, Vol. 866 (Materials Research Society, Pittsburgh, 2005).



**特許 [#cd151001]

-藤原康文、寺井慶和、吉迫裕司、山岡慶祐、築山大輔、加藤英明：&br;
"SiOCH膜の製造方法およびプラズマCVD装置、並びにSiOCH膜"&br;
【国内出願番号】特願2005-192373&br;
【国内出願日】平成17年（2005）6月30日&br;
【国際出願番号】PCT/JP2006/311321&br;
【国際出願日】平成18年（2006）6月6日