研究成果/2006年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2006年 [#g4892a34]
**論文・プロシーディングス [#c9f76f2d]
***査読付き [#p84661dd]

-山内勇、三品明生、赤堀友彦、藤原康文:&br;
"固相反応によるバルクb-FeSi2結晶生成用ロッド状整列共晶組織の形成とその方位解析"&br;
材料 ''55''(2) (2006) pp. 148-152.

-K. Yamaoka, Y. Yoshizako, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of stable SiOCH films using tetraethoxysilane"&br;
Physica B ''376-377'' (2006) pp. 399-402.

-K. Nakamura, S. Takemoto, Y. Terai, M. Suzuki, A. Koizumi, Y. Takeda, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Direct observation of trapping of photoexcited carriers in Er,O-codoped GaAs"&br;
Physica B ''376-377'' (2006) pp. 556-559.

-A. Mishina, T. Akahori, Y. Terai, I. Yamauchi and Y. Fujiwara:&br;
"Growth of bulk &beta;-FeSi&subsc{2}; crystals by annealing of well aligned solidification structures"&br;
Physica B ''376-377'' (2006) pp. 795-798.

-Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence enhancement of &beta;-FeSi&subsc{2}; crystals by optimizing Al doping concentration"&br;
Physica B ''376-377'' (2006) pp. 799-802.

-K. Yamaoka, Y. Yoshizako, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Thermal stability of SiOCH films deposited by room-temperature plasma-enhanced Chemical vapor deposition using tetraethoxysilane"&br;
Transactions of the Materials Research Society of Japan ''31''(2) (2006) pp. 495-498.

-Y. Yoshizako, D. Tsukiyama, D. Nakamura, K. Yamaoka, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Plasma diagnosis of remote PECVD for SiOCH deposition at low temperature"&br;
Transactions of the Materials Research Society of Japan ''31''(2) (2006) pp. 499-502.

-S. Takemoto, T. Terao, Y. Terai, M. Yoshida, A. Koizumi, H. Ohta, Y. Takeda, N. Fujimura and Y. Fujiwara:&br;
"Magnetic properties of Er,O-codoped GaAs at low temperature"&br;
Physica Status Solidi (c) ''3''(12) (2006) pp. 4082-4085.


***査読なし [#i149f22d]

-Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of ion-beam synthesized b-FeSi2/Si interface"&br;
Proceedings of the International Workshop on Sustainable Energy and Materials (Tokyo, Japan, September 5, 2006) pp. 3-39-3-42.

-K. Yamaoka, D. Tsukiyama, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature growth of silicon oxide films by plasma-enhanced chemical vapor deposition"&br;
Proceedings of the International Workshop on Sustainable Energy and Materials (Tokyo, Japan, September 5, 2006) pp. 3-83-3-86.

-K. Yamaoka, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Thermally stable carbon-doped silicon oxide films deposited at room temperature"&br;
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Japan, September 12-15, 2006).

-N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara and K. Yasutake:&br;
"Characterization of epitaxial silicon films grown by atmosheric pressure plasma chemical vapor deposition at low temperatures (450-600oC)"&br;
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Japan, September 12-15, 2006) pp. 1094-1095.

-N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara and K. Yasutake:&br;
"Characterization of epitaxial Si films grown at low temperatures by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition"&br;
Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology (Osaka, Japan, October 19-20, 2006) pp. 69-70.




**国際会議発表 [#j38018c8]


-Y. Fujiwara, K. Nakamura, S. Takemoto, J. Sugino, Y. Terai, M. Suzuki and M. Tonouchi:&br;
"Direct observation of picosecond-scale energy-transfer processes in Er,O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique"&br;
28th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-28), ''FrM2g.33'', Vienna, Austria, July 24-28 (2006).

-Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:&br;
"Nondestructive investigation of b-FeSi2/Si interface by photoluminescence measurements"&br;
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides: Science and Technology towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006), ''B-2'', Kyoto, Japan, July 29-31 (2006).

-Y. Terai, A. Mishina, I. Yamauchi and Y. Fujiwara:&br;
"Growth of bulk b-FeSi2 by peritectoid reaction of faceted e-FeSi and a-Fe2Si5 single crystals"&br;
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides: Science and Technology towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006), ''D-4'', Kyoto, Japan, July 29-31 (2006).

-T. Tokuno, H. Ichida, Y. Terai, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Oxygen concentration dependence of photoluminescence properties in Er, O-codoped GaAs"&br;
International Symposium on Design of Advanced Materials Using Nano Space (ISDAM-2006), ''P-34'', Osaka, Japan, August 4 (2006).

-K. Yamaoka, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Electrical properties of carbon-doped silicon oxide films deposited using TEOS at room temperature"&br;
International Symposium on Design of Advanced Materials Using Nano Space (ISDAM-2006), ''P-71'', Osaka, Japan, August 4 (2006).

-S. Takemoto, T. Terao, Y.Terai, M. Yoshida, A. Koizumi, H. Ohta, Y. Takeda, N. Fujimura and Y. Fujiwara:&br;
"Magnetic properties of Er,O-codoped GaAs at low temperature"&br;
4th International Conference on Physics and Applications of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-IV), ''PB-43'', Sendai, Japan, August 15-18 (2006).

-Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of ion-beam synthesized b-FeSi2/Si interface"&br;
International Workshop on Sustainable Energy and Materials (IWSEM2006), ''3-3-3'', Tokyo, Japan, September 5 (2006).&br;
【招待講演】

-K. Yamaoka, D. Tsukiyama, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature growth of silicon oxide films by plasma-enhanced chemical vapor deposition"&br;
International Workshop on Sustainable Energy and Materials (IWSEM2006), ''3-p-7'', Tokyo, Japan, September 5 (2006).

-K. Yamaoka, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Thermally stable carbon-doped silicon oxide films deposited at room temperature"&br;
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), ''P-2-3'', Yokohama, Japan, September 12-15 (2006).

-N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara and K. Yasutake:&br;
"Characterization of epitaxial silicon films grown by atmosheric pressure plasma chemical vapor deposition at low temperatures (450-600&deg;C)"&br;
2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2006), ''I-8-4'', Yokohama, Japan, September 12-15 (2006).

-N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, T. Shimura, H. Kakiuchi, H. Watanabe, Y. Fujiwara and K. Yasutake:&br;
"Characterization of epitaxial Si films grown at low temperatures by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition"&br;
International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, Osaka, Japan, October 19-20 (2006).

-Y. Fujiwara, S. Takemoto, T. Tokuno, K. Hidaka, H. Ichida, M. Suzuki, Y. Terai, Y. Kanematsu and M. Tonouchi:&br;
"Mechanism of excitation and relaxation in Er,O-codoped GaAs for 1.5mm light-emitting devices with extremely stable wavelength"&br;
2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescence Devices and Materials (IBEDM 2006), ''F-17'', Wakayama, Japan, October 17-20 (2006).&br;
【招待講演】



**国内会議発表 [#u289af6a]

-山岡慶祐，吉迫裕司，加藤英明，築山大輔，中村大輔，寺井慶和，藤原康文：&br;
"TEOSを用いて作製したSiOCH膜に含まれる炭化水素基の熱的挙動"&br;
第53回応用物理学関係連合講演会、''22p-ZP-1''「講演奨励賞受賞記念講演」、武蔵工業大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区、3月23日 (2006).

-築山大輔，山岡慶祐，中村大輔，吉迫裕司，寺井慶和，藤原康文：&br;
"リモートプラズマCVD法によるSiOCH膜の低温成膜機構の検討"&br;
第53回応用物理学関係連合講演会、''22p-ZP-2''、武蔵工業大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区、3月23日 (2006).

-徳野剛大、河村晋吾、市田秀樹、寺井慶和、小泉淳、竹田美和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおけるEr光励起断面積の酸素濃度依存性"&br;
第53回応用物理学関係連合講演会、''23p-ZR-13''、武蔵工業大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区、3月23日 (2006).

-竹本庄一、中村一彦、寺井慶和、鈴木正人、小泉淳、竹田美和、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおける光励起キャリアの緩和とエネルギー輸送(2)"&br;
第53回応用物理学関係連合講演会、''23p-ZR-14''、武蔵工業大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区、3月23日 (2006).

-三品明生、寺井慶和、山内勇、藤原康文：&br;
"ファセット化したe-FeSiとa-Fe&subsc{2};Si&subsc{5};の包析反応によるb-FeSi&subsc{2};結晶の作製"&br;
第53回応用物理学関係連合講演会、''26a-C-7''、武蔵工業大学世田谷キャンパス、東京都世田谷区、3月26日 (2006).

-田原直剛、大参宏昌、寺井慶和、垣内弘章、渡部平司、藤原康文、安武潔：&br;
"大気圧プラズマCVD法によって低温成長したSiエピタキシャル膜の評価"&br;
第67回応用物理学会学術講演会、''29a-X-8''、立命館大学びわこ・くさつキャンパス、草津市、8月29日 (2006).

-山岡慶祐，吉迫裕司，加藤英明，築山大輔，中村大輔，寺井慶和，藤原康文：&br;
"TEOSを用いて作製したSiOCH膜に含まれる炭化水素基の熱的挙動"&br;
第67回応用物理学会学術講演会、''29p-X-4''、立命館大学びわこ・くさつキャンパス、草津市、8月29日 (2006).

-日高圭二、平松隆、藤井慧、寺井慶和、藤原康文：&br;
"OMVPE成長したEr,O共添加GaAsにおけるGaAsバンド端発光の評価"&br;
第67回応用物理学会学術講演会、''30a-H-4''、立命館大学びわこ・くさつキャンパス、草津市、8月30日 (2006).

-徳野剛大、河村晋吾、市田秀樹、寺井慶和、小泉淳、竹田美和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"電流注入型Er,O共添加GaAs発光デバイスにおけるEr励起断面積の測定温度依存性"&br;
第67回応用物理学会学術講演会、''30a-H-6''、立命館大学びわこ・くさつキャンパス、草津市、8月30日 (2006).

-寺井慶和、橋本正太郎、藤原康文、南内嗣、宮田俊弘、石井洵：&br;
"各種鉄ソースから作製したb-FeSi&subsc{2};の発光スペクトル"&br;
第67回応用物理学会学術講演会、''31p-RD-4''、立命館大学びわこ・くさつキャンパス、草津市、8月31日 (2006).

-竹本庄一、日高圭二、寺井慶和、鈴木正人、斗内政吉、藤原康文：&br;
"透過型ポンプ‐プローブ法によるEr添加GaAsにおける光励起キャリアダイナミクス"&br;
第67回応用物理学会学術講演会、''1a-P15-37''、立命館大学びわこ・くさつキャンパス、草津市、9月1日 (2006).

-藤井慧、日髙圭二、平松隆、寺井慶和、藤原康文：&br;
"OMVPE成長したEr,O共添加GaAsの発光特性に及ぼす基板温度の影響"&br;
日本金属学会2006年秋期（第139回）大会、''683''、新潟大学、新潟市、(2006).




**研究会 [#t64be420]

-藤原康文、藤村紀文、太田仁、大渕博宣、斗内政吉、白井光雲：&br;
"希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」、平成17年度研究成果報告会、東京工業大学ディジタル多目的ホール、東京都目黒区、1月25日 (2006).

-藤原康文：&br;
"ボトムアップ型機能制御による高次量子機能材料の創製"&br;
大阪大学先端技術デザインセンターワーキンググループ　第1回シンポジウム、大阪大学銀杏会館、吹田市、1月27日 (2006).

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」平成17年度成果発表会、大阪大学中之島センター、大阪市北区、1月31日 (2006).

-藤原康文：&br;
"ボトムアップ型機能制御による新規量子機能材料の創製"&br;
21世紀COEプログラム「構造・機能先進材料デザイン研究拠点の形成」第4回シンポジウム、大阪大学銀杏会館、吹田市、3月8日 (2006).

-藤原康文：&br;
"希土類添加半導体を基盤とした波長超安定発光デバイスの開発"&br;
2005年度大阪大学先端科学イノベーションセンターVBL部門公開成果発表会、大阪大学銀杏会館、吹田市、3月15日 (2006).

-徳野剛大、河村晋吾、市田秀樹、寺井慶和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおけるEr励起断面積の評価"&br;
2005年度大阪大学先端科学イノベーションセンターVBL部門公開成果発表会、大阪大学銀杏会館、吹田市、3月15日 (2006).

-藤原康文：&br;
"Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体光デバイスの新しい潮流"&br;
日本金属学会セミナー「非シリコン半導体の現状と展望」、文部科学省研究交流センター、つくば市、3月29日 (2006).

-K. Hidaka, T. Hiramatsu, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Er,O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy using Er(DPM)&subsc{3};"&br;
25th Electronic Materials Symposium, ''A4'', pp. 10-11、ホテルサンバレー富士見、伊豆の国市、7月5日 (2006).

-S. Takemoto, K. Nakamura, K. Hidaka, Y. Terai, M. Suzuki, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Ultrafast relaxation process of photoexcited carriers in Er-doped GaAs"&br;
25th Electronic Materials Symposium, ''A5'', pp. 12-13、ホテルサンバレー富士見、伊豆の国市、7月5日 (2006).

-T. Tokuno, S. Kawamura, H. Ichida, Y. Terai, A. Koizumi, Y. Takeda, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Oxygen concentration dependence of Er optical excitation cross section in Er,O-codoped GaAs"&br;
25th Electronic Materials Symposium, ''A6'', pp. 14-15、ホテルサンバレー富士見、伊豆の国市、7月5日 (2006).

-D. Tsukiyama, K. Yamaoka, D. Nakamura, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Investigation of low-temperature deposition of SiOCH film by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition using TEOS"&br;
25th Electronic Materials Symposium, ''J4'', pp. 258-259、ホテルサンバレー富士見、伊豆の国市、7月7日 (2006).

-K. Yamaoka, H. Kato, D. Tsukiyama, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Thermal stability and electrical properties of SiOCH films deposited PECVD at low temperature"&br;
25th Electronic Materials Symposium, ''J6'', pp. 262-263、ホテルサンバレー富士見、伊豆の国市、7月7日 (2006).

-藤原康文：&br;
"ボトムアップ型機能制御による新規量子機能材料の創製～希土類添加半導体の秩序制御を例として～"&br;
三大学連携理科大マグネティクスグループ研究会、東京理科大学野田キャンパス、野田市、8月5日 (2006).

-藤原康文：&br;
"フォトルミネッセンス法"&br;
応用物理学会東海支部第9回基礎セミナー「薄膜の評価技術」, 名古屋工業大学、名古屋市、9月28-29日 (2006).

-T. Tokuno, A. Fujita, H. Ichida, Y. Terai, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Investigation on the mechanism of Er luminescence in Er,O-codoped GaAs"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」、平成18年度希土類若手研究発表会，O1-4、和歌山マリーナシティ ロイヤルパインズホテル、和歌山市、10月5日 (2006).

-藤原康文：&br;
"大規模光情報流通用波長超安定新規半導体レーザーの開発"&br;
研究成果活用プラザ大阪成果報告会、大阪国際会議場、大阪市、10月23日 (2006).&br;
【招待講演】

-藤原康文：&br;
"波長超安定新規半導体光源の開発"&br;
第１回けいはんな新産業創出・交流センター　シーズフォーラム～光科学が拓く有機材料・無機材料～、中之島センタービル、大阪市、11月15日 (2006).&br;
【招待講演】


**著書 [#j1fa3ff5]

-Y. Fujiwara, A. J. Kenyon, B. Moine and P. Ruterana:&br;
Optical Materials 28(6-7) (2006) pp. 575-896. [Rare earth doped photonic materials. Proceedings of the European Materials Research Society 2005 Spring Meeting - Symposium C].