研究成果/2007年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2007年 [#ye7460f9]
**論文・プロシーディングス [#j6bee9cd]
***査読付き [#yc2bbed2]

-K. Fujisawa, I. Onishi and Y. Fujiwara:&br;
"Edge-light backlight unit using optically patterned film"&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''46''(1) (2007) pp. 194-199.

-Y. Fujiwara, K. Nakamura, S. Takemoto, J. Sugino, Y. Terai, M. Suzuki and M. Tonouchi:&br;
"Direct observation of picosecond-scale energy-transfer processes in Er,O-codoped GaAs by pump-probe reflection technique"&br;
Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings, ''893'', edited by W. Jantsch and F. Schaffler (AIP, New York, 2007) pp. 245-246.

-K. Yamaoka, N. Okada, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Influence of plasma gases on insulating properties of low-temperature deposited SiOCH films by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition"&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''46''(4B) (2007) pp. 1997-2000.

-K. Yasutake, N. Tawara, H. Ohmi, Y. Terai, H. Kakiuchi, H. Watanabe and Y. Fujiwara:&br;
"Characterization of epitaxial silicon films grown by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using porous carbon electrode "&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''46''(4B) (2007) pp. 2510-2515.

-K. Fujisawa, I. Ohnishi and Y. Fujiwara:&br;
"Edge-Light Backlight Unit Using Optically Patterned Film Placed Plural LEDs on Side as Light Source"
Japanese Journal of Applied Physics ''46''(38) (2007) pp. L933-L935.

-Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:&br;
"Nondestructive investigation of &beta;-FeSi&subsc{2};/Si interface by photoluminescence measurements"&br;
Thin Solid Films ''515''(22) (2007) pp. 8129-8132.

-日髙圭二、平松隆、寺井慶和、江龍修、藤原康文：&br;
"TEGa，TBAsを用いた有機金属気相エピタキシャル法による低温GaAsの作製"&br;
材料 ''56''(9) (2007) pp. 880-885.

-K. Yamaoka, Y. Terai, N. Okada, Y. Yamaguchi, Y. Yoshizako and Y. Fujiwara:&br;
"Low Temperature Deposition of Amorphous Carbon Films for Surface Passivation of Carbon-Doped Silicon Oxide"&br;
Advanced Materials Research ''26-28'' (2007) pp. 645-648.

-Y. Fujiwara, S. Takemoto, K. Nakamura, K. Shimada, M. Suzuki, K. Hidaka, Y. Terai and M. Tonouchi:&br;
"Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er,O-codoped GaAs revealed by pump and probe technique"&br;
Physica B ''401-402'' (2007) pp. 234-237.


**国際会議発表 [#u0bbe81c]


-Y. Fujiwara:&br;
"New approach to Er,O-codoped GaAs based light-emitting devices with extremely stable wavelength"&br;
2007 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), ''C-8.5'', Strasbourg, France, May 28-June 1 (2007).&br;
【招待講演】

-Y. Fujiwara:
"Injection-type light-emitting devices fabricated by atomically controlled doping of Er to GaAs"&br;
2nd Workshop on Photoluminescence in Rare Earths: Photonic Materials and Devices (PRE’07), Trento, Italy, May 31-June 1 (2007).&br;
【招待講演】

-Y. Fujiwara, S. Takemoto, M. Suzuki, K. Shimada, K. Hidaka, Y. Terai and M. Tonouchi:&br;
"Ultrafast carrier-trapping in Er-doped and Er,O-codoped GaAs revealed by pump and probe transmission technique"&br;
24th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS24), ''TO4-4'', Albuquerque, USA, July 22-27 (2007).&br;
【招待講演】

-K. Shimada, Y. Terai, S. Takemoto, M. Suzuki, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara:&br;
"Carrier dynamics in Er,O-codoped GaAs revealed by time-resolved terahertz emission measurements"&br;
The Joint 32nd International Conference on Infrared and Millimeter Waves and the 15th International Conference on Terahertz Electronics (IRMMW-THz2007), ''TueP5-41'', Cardiff, UK, September 2-7, 2007.

-Y. Konaka, Y. Terai, K. Ono, E. Taguchi, H. Mori and Y. Fujiwara:&br;
"TED analysis of CuPtB-type ordering in InGaAsP grown by OMVPE"&br;
Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium -Spin, Photonic, and Molecular Devices in Quantum limit-, ''P-1-9'', Toyonaka, Osaka, September 26-28, 2007.

-M. Fujisawa, A. Asakura, S. Okubo, H. Ohta and Y. Fujiwara:&br;
"Electron spin resonance study of Er-concentration dependence on the local structure of the Er-centers in GaAs:Er,O"&br;
Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium -Spin, Photonic, and Molecular Devices in Quantum limit-, ''P-2-11'', Toyonaka, Osaka, September 26-28, 2007.

-Y. Terai, K. Hidaka and Y. Fujiwara:&br;
"Organometallic vapor phase epitaxy of Er,O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium"&br;
2nd International Symposium on Atomic Technology (ISAT2), ''P10'', Awaji Island, Japan, October 1-2, 2007.

-K. Shimada, S. Takemoto, K. Hidaka, Y. Terai, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara:&br;
"Ultrafast photoexcited carrier dynamics in GaAs:Er,O by pump and probe transmission spectroscopy"&br;
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), ''MoD-P3'', Kyoto, Japan, October 15-17, 2007.

-A. Fujita, T. Tokuno, K. Hidaka, K. Fujii, K. Tachibana, H. Ichida, Y. Terai, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Nonradiative processes at low temperature in Er,O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), ''MoD-P4'', Kyoto, Japan, October 15-17, 2007.

-K. Fujii, K. Hidaka, D. Yamamoto, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"GaAs emission from GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP laser diodes grown by organometallic vapor Phase epitaxy"&br;
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), ''TuA-II3'', Kyoto, Japan, October 15-17, 2007.

-S. Hashimoto, Y. Terai, A. Kakiuchi and Y. Fujiwara:&br;
"Epitaxial growth of Al-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; thin film on Si(111) substrate by molecular beam epitaxy"&br;
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), ''TuD-P11'', Kyoto, Japan, October 15-17, 2007.

-K. Yamaoka, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Effects of RF power on impurity-doped zinc oxide films by plasma-enhanced chemical vapor deposition"&br;
34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), ''ThE-P8'', Kyoto, Japan, October 15-17, 2007.

-M. Fujisawa, A. Asakura, S Okubo, H. Ohta, Y.Fujiwara:&br;
"Er-concentration dependence in GaAs:Er,O studied by X-band ESR"&br;
Kobe University Frontier Technology Forum 2007 Nanotechnology and Biotechnology for Next-Generation Photonics, ''P16'', Kobe, Japan, November 1-2, 2007.

-K. Yamaoka, Y. Terai, N. Okada, Y. Yamaguchi, Y. Yoshizako and Y. Fujiwara:&br;
"Low temperature deposition of amorphous carbon films for surface passivation of carbon-doped silicon oxide"&br;
6th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Procession, ''P2-011'', Jeju Island, Korea, November 5-9, 2007.

-M. Fujisawa, A. Asakura, S. Okubo, H. Ohta, Y. Fujiwara:&br;
"Er-concentration Effect in GaAs:Er,O studied by Electr on Spin Resonance"&br;
A Joint Conference of the International Symposium on Electron Spin Science and the 46th Annual Meeting of the Society of Electron Spin Science and Technology, ''1A11'', Shizuoka, Japan. November 6-9, 2007.


**国内会議発表 [#h369377d]

-藤田麻史、徳野剛大、日高圭二、市田秀樹、寺井慶和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"電流注入型Er,O共添加GaAs発光デバイスにおけるEr励起プロセスの評価"&br;
第68回応用物理学会学術講演会、''4p-ZK-4''、北海道工業大学、札幌市、9月4日 (2007).

-藤井慧、日高圭二、山本悌、寺井慶和、藤原康文：&br;
"OMVPE成長したGaInP/GaAs:Er,O/GaInP LDにおけるGaAsレーザ特性の評価"&br;
第68回応用物理学会学術講演会、''4p-ZK-5''、北海道工業大学、札幌市、9月4日 (2007).

-島田和哉、竹本庄一、寺井慶和、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAs表面からのテラヘルツ波放射の観測"&br;
第68回応用物理学会学術講演会、''4p-ZK-6''、北海道工業大学、札幌市、9月4日 (2007).

-橋本正太郎、寺井慶和、垣内淳史、藤原康文：&br;
"RDE法による&beta;-FeSi&subsc{2};/Si(111)エピタキシャル成長に与えるAl添加効果"&br;
第68回応用物理学会学術講演会、''5a-Q-3''、北海道工業大学、札幌市、9月5日 (2007).

-河原敏男、神吉輝夫、堀田育志、浅川直紀、川合知二、寺井慶和、藤原康文、田畑仁：&br;
"GaAs基板上の(AlRuFe)3O4薄膜に対するバッファー層の効果"&br;
第68回応用物理学会学術講演会、''7a-ZT-3''、北海道工業大学、札幌市、9月7日 (2007).

-山岡慶祐、山口高史、寺井慶和、藤原康文：&br;
"スパッタ併用プラズマCVD法による高品質ZnO系薄膜の作製"&br;
第68回応用物理学会学術講演会、''7a-ZQ-21''、北海道工業大学、札幌市、9月7日 (2007).

-小中陽平、小野健一、寺井慶和、田口英次、森博太郎、藤原康文：&br;
"OMVPE成長したInGaAsPにおけるCuPt型規則化の評価"&br;
日本金属学会2007年秋期（第141回）大会、''236''、岐阜大学、岐阜市、9月19日 (2007).

-山岡慶祐、山下典子、山口高史、寺井慶和、藤原康文：&br;
"スパッタ併用プラズマCVD法によるCu添加ZnO薄膜の作製"&br;
第55回応用物理学関係連合講演会、''27p-ZJ-3''、日本大学船橋キャンパス、船橋市、3月27日 (2008).

-山口高史、山岡慶祐、山下典子、寺井慶和、藤原康文：&br;
"MOCVD法によるEr添加ZnO薄膜の作製"&br;
第55回応用物理学関係連合講演会、''27p-ZJ-4''、日本大学船橋キャンパス、船橋市、3月27日 (2008).

-島田和哉、柴田雅史、寺井慶和、藤井慧、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAs光伝導アンテナによるテラヘルツ波の検出"&br;
第55回応用物理学関係連合講演会、''28p-ZC-5''、日本大学船橋キャンパス、船橋市、3月28日 (2008).

-太田祐司、藤井　慧、伊藤良彰、川崎隆志、野口恒太、藤田麻史、寺井慶和、藤原康文：&br;
"p型GaAs基板上に作製したGaInP/GaAs:Er,O/GaInP LDの光学特性"&br;
第55回応用物理学関係連合講演会、''28p-ZC-6''、日本大学船橋キャンパス、船橋市、3月28日 (2008).

-橋本正太郎、野田慶一、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Si(111)上に作製したAl添加&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜の結晶構造解析"&br;
第55回応用物理学関係連合講演会、''29p-C-16''、日本大学船橋キャンパス、船橋市、3月29日 (2008).



**研究会 [#ebf19d9d]

-藤原康文：&br;
"波長超安定新規半導体レーザー用材料：秩序制御された希土類添加Ⅲ－Ⅴ族半導体における希土類発光機構"&br;
レーザー研シンポジウム2007 －平成18年度共同研究成果報告会－、大阪大学コンベンションセンター、吹田市、4月19日 (2007).

-藤原康文：&br;
"ボトムアップ型機能制御による新規量子機能材料の創製とデバイス応用～希土類添加半導体の秩序制御を例として～"&br;
第２回 大阪大学質量分析シンポジウム、大阪大学大学院理学研究科、豊中市、5月22日 (2007)
【招待講演】

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」、平成19年度スタートアップ研究打合せ会、KKR札幌、札幌市、6月22日 (2007).

-M. Kato, M. Uchiyama, K. Higashi, S. D. Wu, M. Kondow and Y. Fujiwara:&br;
"In-vacuum photoluminescence measurements of GaInNAs grown by molecular beam epitaxy"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''A5'', pp. 11-12, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月4日 (2007).

-S. Hashimoto, Y. Terai, A. Kakiuchi and Y. Fujiwara:&br;
"Growth temperature dependence of Fe/Si(001) interface"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''D8'', pp. 89-90, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月5日 (2007).

-K. Yamaoka, N. Okada, T. Yamaguchi, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Low-temperature deposition of highly-insulating a-C:H films by plasma-enhanced chemical vapor deposition"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''I3'', pp. 201-202, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月5日 (2007).

-T. Yamaguchi, K. Yamaoka, Y. Yoshizako, N. Okada, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Surface passivation of room-temperature deposited SiOCH films by amorphous carbon thin films"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''I4'', pp. 203-204, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月5日 (2007).

-K. Shimada, S. Takemoto, K. Hidaka, Y. Terai, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Ultrafast trapping processes of photoexcited carriers in Er,O-codoped GaAs revealed by pump and probe transmission technique"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''J9'', pp. 231-232, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月5日 (2007).

-A. Fujita, T. Tokuno, K. Hidaka, K. Fujii, K. Tachibana, H. Ichida, Y. Terai, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Temperature dependence of Er-related PL intensity in Er,O-codoped GaAs"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''J10'', pp. 233-234, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月5日 (2007).

-K. Fujii, K. Hidaka, D. Yamamoto, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"GaAs lasing characteristics of GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP light emitting devices grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
26th Electronic Materials Symposium, ''M5'', pp. 299-300, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月6日 (2007).

-橋本正太郎、寺井慶和、垣内淳史、藤原康文：&br;
"Si(111)基板上へのAl添加β-FeSi2テンプレートの作製"&br;
第10回シリサイド系半導体夏の学校、ヤマハリゾートつま恋 、掛川市、7月28日 (2007)

-市田秀樹、藤田麻史、徳野剛大、日高圭二、藤井慧、橘康介、寺井慶和、藤原康文：&br;
"希土類添加半導体GaAs:Er,Oを用いた新規光デバイスの光学的評価"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」, 平成19年度希土類若手研究発表会, ''O16'', 休暇村志賀島、福岡市、10月12日 (2007).

-Y. Fujiwara:
"Atomically controlled rare-earth doping to III-V semiconductors and its application to new-type light-emitting devices"&br;
The 2nd Joint Symposium between Gyeongsang National University and Osaka University、慶尚大学（韓国）、10月24日 (2007).

-K. Yamaoka, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature deposition of highly-insulating SiOCH films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using tetraethoxysilane"&br;
The 2nd Joint Symposium between Gyeongsang National University and Osaka University、慶尚大学（韓国）、10月24日 (2007).

-M. Fujisawa, A. Asakura, S. Okubo, H. Ohta and Y. Fujiwara:&br;
"ESR study of Er-concentration effect in photoluminescence material GaAs:Er,O"&br;
第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会, ''P15'', p. 37, 大阪大学銀杏会館、吹田市、12月20日 (2007).

-Y. Fujiwara:&br;
"New development in rare-earth doped semiconductors: quantum properties revealed by control of atomic configuration"&br;
第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会, ''C1'', pp. 49-50, 大阪大学銀杏会館、吹田市、12月21日 (2007).&br;
【招待講演】

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「希土類形態制御」、平成19年度成果発表会、東京ガーデンパレス、東京都文京区、2月1日 (2008).

-藤原康文：&br;
"ボトムアップ型機能制御による新規量子機能材料の創製とデバイス応用"&br;
平成１９年度大阪市立大学重点研究「ヒューマンアダプティブ・マテリアルの開拓」第３回シンポジューム、大阪市立大学、大阪市、2月5日 (2008).&br;
【招待講演】

-藤原康文、寺井慶和、市田秀樹、兼松泰男：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
大阪大学先端科学イノベーションセンターVBL部門, 平成19年度 VBL部門公開成果発表会, 大阪大学銀杏会館、吹田市、3月6日 (2007).

-伊藤良彰、藤井慧、太田祐司、川﨑隆志、野口恒太、藤田麻史、辻尭宏、寺井慶和、藤原康文：&br;
"ダブル励起機構を有する電流注入型Er,O共添加GaAs発光デバイスの作 製と特性評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会, (7), 京都大学桂キャンパス、3月6日 (2008).

-小中陽平、小野健一、寺井慶和、Mohamad Azhar、田口英次、森博太郎、藤原康文：&br;
"OMVPE成長したInGaAsPにおける相分離の断面TEM観察"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会, (12), 京都大学桂キャンパス、3月6日 (2008).

-藤原康文：&br;
"希土類添加半導体の新展開：秩序制御と量子機能能"&br;
第２回ポリスケールテクノロジーワークショップ、東京理科大学野田キャンパス、野田市、3月7日 (2008).&br;
【招待講演】

-藤原康文：&br;
"秩序制御された希土類添加半導体に発現する高次量子機能とデバイス応用"&br;
グローバルCOEプログラム「構造・機能先進材料デザイン教育研究拠点」、第1回シンポジウム、大阪大学銀杏会館、吹田市、3月9日 (2008).


**特許 [#m9dae95b]

-神吉輝夫、河原敏男、藤原康文、河合知二、寺井慶和、堀田育志、浅川直紀、田畑仁、関宗俊：&br;
"光アシスト型磁気記録装置"&br;
【国内出願番号】特願2007-228376&br;
【国内出願日】平成19年（2007）9月3日

-笠井仁、中畑成二、中西文毅、三浦祥紀、藤原康文：&br;
"発光ダイオード"&br;
【国内出願番号】特願2008-53944&br;
【国内出願日】平成20年（2008）3月4日

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、川山巌、島田和哉、柴田雅史：&br;
"テラヘルツ光伝導基板、並びに、それを用いたテラヘルツ光検出装置、テラヘルツ光発生装置、およびテラヘルツ光測定装置"&br;
【国内出願番号】特願2008-081158&br;
【国内出願日】平成20年（2008）3月26日