研究成果/2008年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2008年 [#td6736e2]
**論文・プロシーディングス [#y8b64fc3]
***査読付き [#xbb8850c]

-Y. Fujiwara, S. Takemoto, T. Tokuno, K. Hidaka, H. Ichida, M. Suzuki, Y. Terai, Y. Kanematsu and M. Tonouchi:&br;
"Mechanism of excitation and relaxation in Er,O-codoped GaAs for 1.5mm light-emitting devices with extremely stable wavelength"&br;
Physica Status Solidi (a) ''205''(1) (2008) pp. 64-67.

-K. Shimada, Y. Terai, S. Takemoto, K. Hidaka, Y. Fujiwara, M. Suzuki and M. Tonouchi:&br;
"Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Applied Physics Letters ''92''(11) (2008) pp. 111115/1-3.

-Y. Terai, K. Hidaka, T. Hiramatsu and Y. Fujiwara:&br;
"Organometallic vapor phase epitaxy of Er,O-codoped GaAs using trisdipivaloylmethanatoerbium",&br;
Journal of Physics: Conference Series ''106'' (2008) pp. 012007/1-4.

-K. Yamaoka, Y. Yoshizako, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature deposition of highly-insulating SiOCH films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using tetraethoxysilane"&br;
Thin Solid Films ''517''(2) (2008) pp. 479-482.

-K. Fujii, K. Hidaka, D. Yamamoto, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"GaAs emission from GaInP/Er,O-Co doped GaAs/GaInP laser diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Physica Status Solidi (c) ''5''(9) (2008) pp. 2716-2718.

-K. Shimada, S. Takemoto, K. Hidaka, Y. Terai, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Ultrafast photoexcited carrier dynamics in GaAs:Er,O by pump and probe transmission spectroscopy"&br;
Physica Status Solidi (c) ''5''(9) (2008) pp. 2861-2863.

-A. Fujita, T. Tokuno, K. Hidaka, K. Fujii, K. Tachibana, H. Ichida, Y. Terai, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Nonradiative processes at low temperature in Er,O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Physica Status Solidi (c) ''5''(9) (2008) pp. 2864-2866.

-K. Yamaoka, Y. Terai, T. Yamaguchi and Y. Fujiwara:&br;
"Growth of transition-metal-doped ZnO films by plasma-enhanced CVD combined with RF sputtering"&br;
Physica Status Solidi (c) ''5''(9) (2008) pp. 3125-3127.

-S. Hashimoto, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Improved initial epitaxial growth of b-FeSi2 on Si(111) substrate by Al-doping"&br;
Physica Status Solidi (c) ''5''(9) (2008) pp. 3159-3161.

-K. Ono, M. Takemi and Y. Fujiwara:&br;
"MOVPE growth parameter dependence of phase separation in miscility gap of InGaAsP"&br;
Japanease Journal of Applied Physics ''47''(2) (2008) pp. 896-898.

-Y. Terai, T. Tokuno and Y. Fujiwara:&br;
"Electroluminescence properties of GaInP/GaAs:Er,O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes at low temperature"&br;
Optical Materials ''31''(9) (2009) pp. 1323-1326.

-Y. Terai, K. Hidaka, K. Fujii, S. Takemoto, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Ultrafast carrier-capturing in GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP laser diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Applied Physics Letters ''93''(23) (2008) 231117/1-3.



**国際会議発表 [#od31a004]

-Y. Fujiwara:&br;
"Quantum properties revealed by precise control of atomic configuration in rare-earth doped semiconductors"&br;
MRS International Materials Research Conference, ''D8.4'', Chongqing, China, June 9-12 (2008). &br;
【招待講演】

-Y. Fujiwara:&br;
"Injection-type 1.5mm light-emitting diodes with Er,O-codoped GaAs exhibiting extremely temperature-stable emission wavelength".&br;
3rd International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, Edmonton, Canada, July 20-25 (2008).&br;
【招待講演】

-Y. Terai, S. Hashimoto, K. Noda, and Y. Fujiwara:&br;
"Epitaxial growth of Al-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; on Si(111) substrate by reaction deposition epitaxy"&br;
35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), ''We2.5'', Europa-Park, Rust, Germany, September 21-24 (2008).

-K. Yamaoka, Y. Terai, T. Yamaguchi, K. Yoshida and Y. Fujiwara:&br;
"Structural and Luminescent Properties of Er-Doped ZnO Films Grown by MOCVD"&br;
5th International Workshop on ZnO and Related Materials, ''AP40'', Ann Arbor Marriott Ypsilanti at Eagle Crest, Michigan, USA, September 22-24 (2008).

-M. Fujisawa, A. Asakura, E. Fatma, S. Okubo, H. Ohta and Y. Fujiwara:&br;
"Electron Spin Resonance Study of Photoluminescent Semiconductor GaAs: Er,O -Er Concentration Effect-"&br;
4th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium: Nano-advanced Materials and Devices -from Nano-fabrication to Nano-application-, ''P1-27'', Icho-kaikan, Osaka University, Suita, Osaka, September 29-October 1 (2008).

-Y. Konaka, K. Ono, E. Taguchi, H. Mori, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"TEM observation of phase separation in InGaAsP grown by OMVPE"&br;
4th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium: Nano-advanced Materials and Devices -from Nano-fabrication to Nano-application-, ''P1-28'', Icho-kaikan, Osaka University, Suita, Osaka, September 29-October 1 (2008).

-Y. Fujiwara, Y. Terai and A. Nishikawa:&br;
"Development of new-type 1.5 &micro;m light-emitting devices based on Er, O-codoped GaAs"&br;
International Conference on Advanced Structural and Functional Materials Design 2008 (ICASFMD2008), ''OR212'', Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 10-12, 2008.

-Y. Terai, K. Noda, S. Hashimoto, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoreflectance study of &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films grown by molecular beam epitaxy"&br;
International Conference on Advanced Structural and Functional Materials Design 2008 (ICASFMD2008), ''PO51'', Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 10-12, 2008.

-K. Yamaoka, Y. Terai, T. Yamaguchi, H. N. Ngo, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:&br;
"Metalorganic chemical vapor deposition of Er-doped ZnO thin films with 1.54 &micro;m photoluminescence"&br;
International Conference on Advanced Structural and Functional Materials Design 2008 (ICASFMD2008), ''PO49'', Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 10-12, 2008.

-H. Kasai, A. Nishikawa, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors"&br;
International Conference on Advanced Structural and Functional Materials Design 2008 (ICASFMD2008), ''PO28'', Hotel Hankyu Expo Park, Osaka, November 10-12, 2008.

-H. Ohta, M. Fujisawa, M. Yoshida, and Y. Fujiwara:&br;
"Electron spin resonance study on Er,O-codoped GaAs"&br;
2008 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA, ''D1.1'', December 1-5 (2008).&br;
【招待講演】

-Y. Fujiwara, K. Fujii, A. Fujita, Y. Ota, Y. Ito, T. Kawasaki, K. Noguchi, T. Tsuji and Y. Terai:&br;
"Luminescence properties in Er,O-codoped GaAs light-emitting devices with double excitation mechanism"&br;
2008 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA, ''D1.2'', December 1-5 (2008).

-M. Fujisawa, A. Asakura, E. Fatma, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:&br;
"ESR study of Er-concentration effect in photoluminescent semiconductor GaAs:Er,O"&br;
2008 Materials Research Society Fall Meeting, Boston, USA, ''D4.6'', December 1-5 (2008).

-K. Shimada, Y. Terai, Y. Ota, I. Kawayama, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara:&br;
"Teraherz radiation from Er,O-codoped GaAs surface excited by optical pulse"&br;
IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA2008), Nagoya Congress Center, Nagoya, December 9-13 (2008).

-K. Yamaoka, Y. Terai, T. Yamaguchi, and Y. Fujiwara:&br;
"Annealing effects on luminescent properties of Er-doped ZnO films grown by metalorganic chamical vapor deposition"&br;
IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA2008), Nagoya Congress Center, Nagoya, December 9-13 (2008).

-Y. Ota, K. Fujii, Y. Ito, T. Kawasaki, K. Noguchi, T. Tsuji, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Optical properties of GaInP/GaAs:Er,O/GaInP laser diodes grown on p-type GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA2008), Nagoya Congress Center, Nagoya, December 9-13 (2008).



**国内会議発表 [#fda3ef75]


-野田慶一、橋本正太郎、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Al添加&beta;-FeSi&subsc{2};におけるフォトリフレクタンス測定"&br;
第69回応用物理学会学術講演会、''3p-ZR-10''、中部大学、春日井市、9月3日 (2008).

-藤澤真士、朝倉淳、エルマスリ ファトマ、大久保晋、太田仁、藤原康文：&br;
"発光材料GaAs:Er,OのESR測定　-Er濃度依存性に関して-"&br;
第69回応用物理学会学術講演会、''3p-S-12''、中部大学、春日井市、9月3日 (2008).

-島田和哉、寺井慶和、藤井慧、川山巌、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAs光伝導アンテナによるテラヘルツ波の発生"&br;
第69回応用物理学会学術講演会、''3p-S-13''、中部大学、春日井市、9月3日 (2008).

-太田祐司、伊藤良彰、川崎隆志、野口恒太、辻尭宏、寺井慶和、藤原康文：&br;
"OMVPE法により作製したInGaAs/GaAs:Er,O/GaInP DQW LDの発光特性"&br;
第69回応用物理学会学術講演会、''3p-S-14''、中部大学、春日井市、9月3日 (2008).

-小中陽平、小野健一、寺井慶和、田口英次、森博太郎、藤原康文：&br;
"OMVPE成長したInGaAsP/GaAsにおける相分離のTEM観察"&br;
第69回応用物理学会学術講演会、''3a-CF-19''、中部大学、春日井市、9月3日 (2008).

-藤原康文、太田祐司、伊藤良彰、川崎隆志、辻尭宏、野口恒太、寺井慶和：&br;
"Er,O共添加GaAsを用いたダブル励起発光デバイスの作製と特性評価"&br;
日本金属学会2008年秋期（第143回）大会、''S5-14''、熊本大学、熊本市、9月23日 (2008).

-野口恒太，太田祐司，土田将宏，辻　尭宏，西川　敦，寺井慶和，藤原康文：&br;
"OMVPE法によるInGaAs/GaAs:Er,O/GaInP DQW LDのEL特性"&br;
第56回応用物理学関係連合講演会、''30a-P4-13''、筑波大学、つくば市、3月30日 (2009).

-辻尭宏，馬原隆徳，市田秀樹，西川敦，寺井慶和，兼松泰男，藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおける光学利得の評価"&br;
第56回応用物理学関係連合講演会、''30a-P4-14''、筑波大学、つくば市、3月30日 (2009).

-戸塚卓弥，島田和哉，寺井慶和，太田祐司，西川　敦，川山　巌，斗内政吉，藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsからのテラヘルツ波放射におけるEr添加効果"&br;
第56回応用物理学関係連合講演会、''30a-P4-15''、筑波大学、つくば市、3月30日 (2009).

-吉田一樹，山岡慶祐，吉田篤樹，寺井慶和，藤原康文：&br;
"スパッタリング併用MOCVD法により作製したEu添加ZnO薄膜の発光特性"&br;
第56回応用物理学関係連合講演会、''30a-P4-17''、筑波大学、つくば市、3月30日 (2009).

-野田慶一，米田圭佑，寺井慶和，藤原康文：&br;
"Si(111)基板上の&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜におけるバンドギャップ変調"&br;
第56回応用物理学関係連合講演会、''1p-ZA-9''、筑波大学、つくば市、3月30日 (2009).


**研究会 [#i86e5427]

-藤原康文、寺井慶和、斗内政吉、市田秀樹：&br;
"希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現"&br;
文部科学省科学研究費補助金特別研究促進費、平成20年度研究打合せ会、東北大学片平さくらホール、仙台市片平区、5月14日 (2008).

-K. Noda, Y. Terai, S. Hashimoto and Y. Fujiwara:&br;
"Epitaxial growth of Al-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; on Si(111) substrate by reactive deposition epitaxy"&br;
27th Electronic Materials Symposium, ''C-8'', pp. 63-64, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月9日 (2008).

-K. Shimada, Y. Terai, M. Shibata, K. Fujii, I. Kawayama, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Study on terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface by time-domain spectroscopy"&br;
27th Electronic Materials Symposium, ''K-5'', pp. 225-226, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月11日 (2008).

-Y. Ota, K. Fujii, Y. Ito, T. Kawasaki, K. Noguchi, A. Fujita, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Optical properties of GaInP/GaAs:Er,O/GaInP laser diodes grown on p-type GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
27th Electronic Materials Symposium, ''K-7'', pp. 229-230, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月11日 (2008).

-K. Yamaoka, Y. Terai, N. Yamashita, T. Yamaguchi and Y. Fujiwara:&br;
"Structural and luminescent properties of Cu-doped ZnO thin films by plasma-enhanced chemical vapor deposition with RF sputtering"&br;
27th Electronic Materials Symposium, ''L-5'', pp. 263-264, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月11日 (2008).

-野田慶一，寺井慶和，橋本正太郎， 藤原康文：&br;
"RDE 法により作製したAl 添加&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜の結晶構造解析"&br;
第11回シリサイド系半導体夏の学校、鷲羽山下電ホテル、倉敷市、8月2日 (2008)

-Y. Fujiwara:&br;
"Er,O-codoped GaAs-based 1.5 mm light-emitting diodes with extremely stable emission wavelength"&br;
The 13th Academic Exchange Seminar between Osaka University and Shanghai Jiao Tong University, Icho-kaikan, Osaka University, Suita, October 8 (2008).

-藤原康文：&br;
"希土類添加半導体の新展開：秩序制御と高次量子機能の発現"&br;
「科学技術による地域活性化戦略」ワークショップ「希土類グリーンテクノロジーが拓く環境適応社会」、兵庫県民会館、神戸市、2月21日(2009).

-野田慶一、米田圭佑、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Si(111)基板上の&beta;-FeSi&subsc{2}; エピタキシャル膜におけるフォトリフレクタンス評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、大阪大学、吹田市、3月17日 (2009).

-川﨑隆志、伊藤良彰、古川直樹、笠井仁、西川敦、寺井慶和、藤原康文：&br;
"イオン注入法により作製したEu 添加GaN の発光特性"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、大阪大学、吹田市、3月17日 (2009).

-辻尭宏、馬原隆徳、市田秀樹、西川敦、寺井慶和、兼松泰男、藤原康文：&br;
"Er,O 共添加GaAs における光学利得の温度依存性"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、大阪大学、吹田市、3月17日 (2009).

-吉田一樹、山岡慶祐、吉田篤樹、寺井慶和、藤原康文：&br;
"スパッタリング併用MOCVD 法によるEu 添加ZnO 薄膜の作製とフォトルミネッセンス評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、大阪大学、吹田市、3月17日 (2009).

-野口恒太、太田祐司、土田将広、辻尭宏、西川敦、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Er,O 共添加GaAs を光ガイド層とした量子井戸発光デバイスの作製と光学特性"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、大阪大学、吹田市、3月17日 (2009).



**解説など [#a72bc4f7]

-藤原康文:&br;
"希土類添加GaAs結晶の原子レベル制御成長と新規発光デバイスへの応用"&br;
オプトロニクス　第27巻　第315号 (2008) pp. 157-163.