研究成果/2009年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2009年 [#u991bcb5]
**論文・プロシーディングス [#i9daf8d0]
***査読付き [#ge87ed6c]

-Y. Ota, K. Fujii, Y. Ito, T. Kawasaki, K. Noguchi, T. Tsuji, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Optical properties of GaInP/GaAs:Er,O/GaInP laser diodes grown on p-type GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering ''1'' (2009) 012022/1-4.

-Y. Terai, K. Noda, S. Hashimoto, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoreflectance study of &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films grown by molecular beam epitaxy"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''165'' (2009) pp. 012023/1-4.

-H. Sakaguchi, T. Mishima, T. Meguro, Y. Otoki and Y. Fujiwara:&br;
"Low-temperature growth of GaAs with high quality by metalorganic vapor phase epitaxy"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''165'' (2009) pp. 012024/1-4.

-Y. Fujiwara, Y. Terai and A. Nishikawa:&br;
"Development of new-type 1.5 mm light-emitting devices based on Er, O-codoped GaAs"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''165'' (2009) pp. 012025/1-6.

-H. Kasai, A. Nishikawa, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Luminescence Properties of Eu-implanted GaN-based Semiconductors"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''165'' (2009) pp. 012026/1-4.

-K. Yamaoka, Y. Terai, T. Yamaguchi, H. N. Ngo, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:&br;
"Metalorganic chemical vapor deposition of Er-doped ZnO thin films with 1.54 &micro;m photoluminescence"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''165'' (2009) pp. 012027/1-4.

-Y. Terai, S. Hashimoto, K. Noda, and Y. Fujiwara:&br;
"Epitaxial growth of Al-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; on Si(111) substrate by reactive deposition epitaxy"&br;
Physica Status Solidi (c) ''6''(6) (2009) pp. 1488-1491.

-Y. Terai, T. Tokuno, H. Ichida, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara:&br;
"Electroluminescence properties of GaInP/GaAs:Er,O/GaInP double heterostructure light-emitting diodes at low temperature"&br;
Optical Materials ''31''(9) (2009) pp. 1323-1326.

-K. Noda, Y. Terai, S. Hashimoto, K. Yoneda, Y. Fujiwara:&br;
"Modifications of direct transition energies in &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films grown by molecular beam epitaxy"&br;
Applied Physics Letters ''94''(24) (2009) pp. 241907/1-3.

-A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature red emission from a p-type/europium-doped/n-type gallium nitride light-emitting diode under current injection"&br;
Appl. Phys. Exp. ''2'' (2009) pp. 071004/1-3.

-Y. Terai, K. Yamaoka, T. Yamaguchi and Y. Fujiwara:&br;
"Structural and luminescent properties of Er-doped ZnO films grown by metalorganic chemical vapor deposition"&br;
Journal of Vacuum Science and Technology ''27''(5) (2009) pp. 2248-2251.

-Y. Fujiwara, K. Fujii, A. Fujita, Y. Ota, Y. Ito, T. Kawasaki, K. Noguchi, T. Tsuji, A. Nishikawa, and Y. Terai:&br;
"Luminescence properties in Er,O-codoped GaAs light-emitting devices with double excitation mechanism"&br;
Materials Research Society Symposium Proceedings, Rare-Earth Doping of Advanced Materials for Photonic Applications, Vol. 1111, edited by V. Dierolf, Y. Fujiwara, U. Hommerich, P. Ruterana, and J. M. Zavada (Materials Research Society, Pennsylvania, 2009) pp. 143-148.

-A. Nishikawa, H. Kasai, T. Kawasaki, Y. Terai, Y. Fujiwara:&br;
"Optical properties of Eu-implanted GaN and related-alloy semiconductors"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''191'' (2009) pp. 012028/1-4.

-A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE"&br;
physica status solidi A, in press.

-T. Kawasaki, A. Nishikawa, N. Furukawa, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Effect of Growth Temperature on Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy"&br;
physica status solidi, in press.

-Y. Terai, K. Yamaoka, K. Yoshida, T. Tsuji and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO films grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
Physica E, (in press).

-Y. Terai, T. Tsuji, K. Noda, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Er-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; grown by ion implantation"&br;
Physica E, (in press).

-Y. Konaka, K. Ono, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Coexistence properties of phase separation and CuPt-ordering in InGaAsP grown on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
J. Cryst. Growth, (in press).

-寺井慶和、吉田一樹、藤原康文：&br;
"スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性"&br;
材料 (in press).

-西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文：&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性"&br;
材料 (in press).





**国際会議発表 [#ubae1a2e]

-A. Nishikawa, H. Kasai, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Optical properties of Eu-implanted GaN and related-alloy semiconductors"&br;
3rd International Symposium on Atomic Technology (ISAT-3) and 3rd Polyscale Technology Workshop (PTW-3), ''PP-4-93'', Tokyo International Exchange Center, Tokyo, Japan, March 5-6 (2009).

-Y. Fujiwara, Y. Ota, Y. Ito, K. Noguchi, T. Tsuji, T. Kawasaki, A. Nishikawa and Y. Terai：&br;
"Electroluminescence properties of 1.5 &micro;m light-emitting devices with Er,O-codoped GaAs"&br;
25th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS25), ''Mon-2.3po'', St. Petersburg, Russia, July 20-24 (2009).

-Y. Terai, T. Tsuji, K. Noda, and Y. Fujiwara：&br;
"Photoluminescence properties of Er-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; grown by ion beam synthesis methods"&br;
14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) , ''Mo-mP18'', Kobe, Japan, July 19-24 (2009). 　　　　　　　　　

-Y. Terai, K. Yamaoka, K. Yoshida, A. Yoshida and Y. Fujiwara：&br;
"Luminescence properties of Eu-doped ZnO films grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14) , ''Mo-mP19'', Kobe, Japan, July 19-24 (2009). 　　　　　　　　　

-T. Tsuji, T. Mahara, H. Ichida, A. Nishikawa, Y. Terai, Y. Kanematsu and Y. Fujiwara：&br;
"Optical Gain in Er,O-codoped GaAs"&br;
5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium、''P1-35''、Icho-Kaikan, Osaka University, Japan、September 1 2009.

-T. Kawasaki, A. Nishikawa, N. Furukawa, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Growth Temperature Dependence on Luminescence Properties of Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy"&br;
5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium、''P1-50''、Icho-Kaikan, Osaka University, Japan、September 1 2009.

-K. Noda, K. Yoneda, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Direct Bandgap Modifications in &beta;-FeSi&subsc{2}; Epitaxial Films Revealed by Photoreflectance Measurement"&br;
5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium、''P1-51''、Icho-Kaikan, Osaka University, Japan、September 1 2009.

-A.Nishikawa, K. Noguchi, T. Tsuji, R. Wakamatsu, Y. Ota, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Electroluminescence Properties of GaInAs/Er,O-codoped GaAs/GaInP Double Quantum Well Laser Diodes"&br;
5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium、''P1-52''、Icho-Kaikan, Osaka University, Japan、September 1 2009.

-Y. Fujiwara, K. Noguchi, T. Tsuji, T. Kawasaki, A. Nishikawa and Y. Terai：&br;
"1.5 &micro;m Er-2O electroluminescence in laser diodes with Er,O-codoped GaAs"&br;
3rd Workshop of Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials, ''#39'', Tossa de Mar, Spain, September 30-October 3 (2009). 　　　　　　　　　

-A.Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Room-temperature electroluminescence properties of p-GaN/Eu-doped GaN/n-GaN light-emitting diodes"&br;
3rd Workshop of Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials, ''#39'', Tossa de Mar, Spain, September 30-October 3 (2009). 　　　　　　　　　

-T. Kawasaki, A. Nishikawa, N. Furukawa, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Effect of Growth Temperature on Eu-Doped GaN Layers Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy"&br;
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), ''ThP18'', Jeju International Convention Center, Korea, October 18-23(2009).

-A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai and Y. Fujiwara：&br;
"Low-Voltage Operation of Current-Injection Red Emission from P-GaN/Eu-Doped GaN/N-GaN Light-Emitting Diodes"&br;
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), ''ThP118'', Jeju International Convention Center, Korea, October 18-23(2009).

-T. Tozuka, Y. Terai, K. Noguchi, A. Nishikawa, I. Kawayama, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara：&br;
"Enhancement of terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs/undoped GaAs surface"&br;
International Workshop on Terahertz Technology Osaka University Nakanoshima Center, Osaka , Japan, November 30-December 3 (2009).

-Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin and Y. Fujiwara:&br;
"Growth of Eu-doped ZnO by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010), Nagoya, Japan, March 9-10 (2010).

-Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:&br;
"Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature"&br;
4th International Conference on LED and Solid State Lighting (LED2010), ''W-II-2'', Seoul, Korea, February 3-5 (2010).&br;
[invited]




**国内会議発表 [#p8cbf9ab]

-野田慶一，米田圭佑，寺井慶和，藤原康文：&br;
"Si(111)基板上の&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜におけるバンドギャップ変調"&br;
第56回応用物理学関係連合講演会、''1p-ZA-9''、筑波大学、つくば市、4月1日 (2009).

-冨士田誠之、西川敦、寺井慶和2，藤原康文、野田進：&br;
"Er発光中心をもつ光ナノ共振器"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''9p-B-7''、富山大学、富山市、9月9日 (2009).

-野口恒太、若松龍太、辻尭宏、西川敦、寺井慶和、藤原康文：&br;
"InGaAs/GaAs:Er,O/GaInP DQW LDにおけるErの発光特性"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10a-TC-1''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-西川敦,　川崎隆志,　古川直樹,　寺井慶和,　藤原康文：&br;
"p-GaN/Eu添加GaN/n-GaN発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10a-TC-9''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-藤澤真士、太田仁、Oliver Portugall、Nicolas Ubrig、勝野弘康、Elmasry Fatma、藤原康文：&br;
"磁性半導体GaAs:Er,Oの強磁場下フォトルミネッセンス測定"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10p-TD-10''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-川崎隆志,　古川直樹,　西川敦,　寺井慶和,　藤原康文：&br;
"OMVPE法によるEu添加GaNの成長温度依存性"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10a-TC-10''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-野田慶一,　米田圭佑, 寺井慶和,　藤原康文：&br;
"&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜における直接遷移端の温度依存性"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10a-TH-9''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-米田圭佑,　野田慶一,　寺井慶和,　藤原康文：&br;
"Si/&beta;-FeSi&subsc{2};/Si ダブルへテロ構造における変調反射スペクトル"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10a-TH-10''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-辻尭宏,　市田秀樹,　西川敦,　寺井慶和,　兼松泰男,　藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおける光学利得の評価（Ⅱ）"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10p-TD-11''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-戸塚卓弥,　島田和哉,　寺井慶和,　野口恒太,　西川敦,　川山巌,　斗内政吉,　藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAs / 無添加GaAs積層構造におけるテラヘルツ波表面放射強度の増大"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、''10p-TD-12''、富山大学、富山市、9月10日 (2009).

-西川敦, 川崎隆志, 古川直樹, 寺井慶和, 藤原康文：&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と発光特性"&br;
第70回応用物理学会学術講演会、多元系機能材料研究会・結晶工学分科会　合同企画、富山大学、富山市、9月10日 (2009).
【招待講演】

-勝野弘康、太田仁、Oliver Portugall、Nicolas Ubrig、藤澤真士、Elmasry Fatma、大久保晋、藤原康文：&br;
"Er と O をドープした GaAs の強磁場下での光ルミネッセンス"&br;
日本物理学会2009年秋季大会、''25aXD-4''、熊本大学、熊本市、9月25日 (2009).

-藤澤真士、勝野弘康、Fatma Elmasry、朝倉淳、大久保晋、太田仁、藤原康文：&br;
"磁性半導体GaAs:Er,O の発光中心のX-band ESR測定"&br;
日本物理学会2009年秋季大会、''25aXD-5''、熊本大学、熊本市、9月25日 (2009).

-川崎隆志, 古川直樹：&br;
"世界初！ ユウロピウム添加窒化ガリウムを用いた電流注入型赤色発光ダイオード"&br;
日本金属学会2009年秋季（第145回）大会、第7回 World Materials Day Award, 京都大学、京都市、9月15～17日 (2009).

-西川敦, 川崎隆志, 古川直樹, 寺井慶和, 藤原康文：&br;
"有機金属気相成長エピタキシャル法によるユウロピウム添加GaN赤色発光ダイオードの室温電流注入発光"&br;
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）, ''13aA05'', 名古屋大学、名古屋市、11月13日 (2009).&br;
【招待講演】

-西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文：&br;
"p-GaN/Eu添加GaN/n-GaN発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光"&br;
第57回応用物理学関係連合講演会、''17a-TE-7''、東海大学、平塚市、3月17日（2010）.

-戸塚卓弥、寺井慶和、野口恒太、西川敦、川山巌、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおけるErトラップ準位の光学的評価"&br;
第57回応用物理学関係連合講演会、''18p-TF-13''、東海大学、平塚市、3月18日（2010）.

-吉田一樹、M.H. Kamarudin、寺井慶和、藤原康文：&br;
"スパッタリング併用MOCVD法で作製したEu添加ZnOにおけるエネルギー輸送機構の評価"&br;
第57回応用物理学関係連合講演会、''18p-TF-21''、東海大学、平塚市、3月18日（2010）.

-野田慶一、寺井慶和、米田圭佑、三浦直行、鵜殿治彦、藤原康文：&br;
"&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜におけるPRスペクトルの成長方位依存性"&br;
第57回応用物理学関係連合講演会、''19a-TN-4''、東海大学、平塚市、3月19日（2010）.

-古川直樹、西川敦、川崎隆志、穴田智史、N. Woodward、V. Dierolf、丹保浩行、江村修一、朝日一、寺井慶和、藤原康文：&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの成長温度依存性(II)"&br;
第57回応用物理学関係連合講演会、''20p-TF-3''、東海大学、平塚市、3月20日（2010）.




**研究会 [#xf9110d2]

-T. Kawasaki, N. Furukawa, H. Kasai, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara：&br;
"Time-resolved photoluminescence in Eu-implanted GaN"&br;
28th Electronic Materials Symposium, ''A-9'', pp. 23-24, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月8日 (2009).

-K. Noguchi, Y. Ota, T. Tsuji, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara：&br;
"EL properties of InGaAs/GaAs:Er,O/GaInP double quantum well laser diodes　InGaAs/GaAs:Er,O/GaInP"&br;
28th Electronic Materials Symposium, ''A-12'', pp. 29-30, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月8日 (2009).

-T. Tsuji, T. Mahara, H. Ichida, A. Nishikawa, Y. Terai, Y. Kanematsu, and Y. Fujiwara：&br;
"Optical gain in Er,O-codoped GaAs"&br;
28th Electronic Materials Symposium, ''A-13'', pp. 31-32, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月8日 (2009).

-T. Tozuka, K. Shimada, Y. Terai, K. Noguchi, A. Nishikawa, I. Kawayama, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara：&br;
"Terahertz radiation properties of Er,O-codoped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
28th Electronic Materials Symposium, ''A-14'', pp. 33-34, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月8日 (2009).

-K. Yoshida, Y. Terai, K. Yamaoka, A. Yoshida, and Y. Fujiwara：&br;
"Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
28th Electronic Materials Symposium, ''A-16'', pp. 37-38, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月8日 (2009).

-K. Noda, K. Yoneda, Y. Terai, and Y. Fujiwara：&br;
"Band-gap modifications of &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films grown by molecular beam epitaxy"&br;
28th Electronic Materials Symposium, ''D-4'', pp. 103-104, ラフォーレ琵琶湖、草津市、7月8日 (2009).

-米田圭佑、野田慶一、寺井慶和、藤原康文：&br;
"フォトリフレクタンス法による&beta;-FeSi&subsc{2};およびAl添加&beta;-FeSi&subsc{2};の表面電界強度の評価"&br;
第12回シリサイド系半導体　夏の学校、''P-4''、福岡県筑紫野市湯町　二日市温泉大観荘、2009年8月2日.

-野田慶一、米田圭佑、寺井慶和、藤原康文：&br;
"&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜における直接遷移エネルギーの熱処理温度依存性"&br;
第12回シリサイド系半導体　夏の学校、''P-5''、 福岡県筑紫野市湯町　二日市温泉大観荘、2009年8月2日.

-藤原康文:&br;
"藤原グループのこれまでの成果と今後の予定"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第5回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2009).

-西川敦:&br;
"Eu添加GaNによる赤色発光ダイオードの作製と光学特性"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第5回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2009).

-寺井慶和:&br;
"Eu添加ZnOの作製と光学特性"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第5回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2009).

-藤原康文：&br;
"希土類添加半導体の新展開 ～電気を流して希土類元素を光らせる～"&br;
第3回光エレクトロニクスフォーラム電子会館、大阪市、11月18日 (2009).
【招待講演】

-吉田一樹、Muhammad Hakim Kamarudin、寺井慶和、藤原康文：&br;
"スパッタリング併用有機金属化学気相堆積法によるEu添加ZnO薄膜の作製とフォトルミネッセンス評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会 大阪工業大学、大宮キャンパス、12月19日 (2009).

-戸塚卓弥、寺井慶和、野口恒太、西川敦、川山巌、斗内政吉、藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAs/無添加GaAs積層構造におけるテラヘルツ波表面放射強度の増大"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会 大阪工業大学、大宮キャンパス、12月19日 (2009).

-古川直樹、川崎隆志、穴田智史、西川敦、寺井慶和、藤原康文：&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの成長温度依存性"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会 大阪工業大学、大宮キャンパス、12月19日 (2009).

-米田圭佑、野田慶一、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Si/&beta;-FeSi&subsc{2};/Si ダブルヘテロ構造におけるフォトリフレクタンス測定"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会 大阪工業大学、大宮キャンパス、12月19日 (2009).

-若松龍太、野口恒太、川溿昂佑、西川敦、寺井慶和、藤原康文：&br;
"InGaAs/GaAs:Er,O/GaInP二重量子井戸レーザにおけるEr発光特性の評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会 大阪工業大学、大宮キャンパス、12月19日 (2009).

-藤原康文、西川敦、寺井慶和：&br;
“Eu添加GaNの有機金属気相エピタキシャル成長と赤色発光ダイオードへの応用”&br;
日本学術振興会光電相互変換第125委員会／ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会合同研究会、(2)ホテルニューアカオ、熱海市、12月21日 (2009).&br;
【招待講演】

-西川敦, 寺井慶和, 藤原康文：&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製とLEDデバイス応用"&br;
応用物理学会関西支部セミナー、大阪府立大学、堺市、1月9日 (2010).&br;
【招待講演】

-寺井慶和, 藤原康文：&br;
"スパッタリング併用MOCVD法によるEu添加ZnOの作製と赤色発光特性"&br;
応用物理学会関西支部セミナー、大阪府立大学、堺市、1月9日 (2010).&br;
【招待講演】

-藤原康文:&br;
"藤原グループの成果と今後の予定"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第6回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月27日 (2010).

-西川敦:&br;
"Eu添加GaNのOMVPE成長温度依存性"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第6回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月27日 (2010).

-寺井慶和:&br;
"スパッタリング併用MOCVD法により作製したEu添加ZnOの赤色発光特性"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第6回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月27日 (2010).

-寺井慶和, 藤原康文：&br;
"変調分光法による鉄シリサイド半導体のバンド構造評価"&br;
応用物理学会関西支部セミナー、大阪大学、吹田市、3月12日 (2010).&br;
【招待講演】


**解説など [#xff192d4]

-藤原康文、西川敦、寺井慶和：&br;
"希土類添加半導体の現状と将来展望"&br;
応用物理, ''79'' (2010) pp.25-31.

-西川敦、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Eu添加GaNを用いた赤色発光ダイオード"&br;
光アライアンス, ''21'' (2010) pp.7-9.