研究成果/2010年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2010年 [#fe0a44c2]
**論文・プロシーディングス [#j42732e7]
***査読付き [#zc1f6150]
-H. Ohta, O. Portugall, N. Ubrig, M. Fujisawa, H. Katsuno, E. Fatma, S. Okubo, and
Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence measurement of Er,O-codoped GaAs under a pulsed magnetic field up to 60 T"&br;
Journal of Low Temperature Physics ''159'' (2010) pp. 203-207.&br;
http://link.springer.com/article/10.1007/s10909-009-0150-2


-M. Fujisawa, A. Asakura, F. Elmasry, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:&br;
"Magnetic properties of magnetic semiconductor GaAs:Er,O studied by ESR"&br;
Journal of Physics: Conference Series ''200'' (2010) 062005/1-4.&br;
http://iopscience.iop.org/1742-6596/200/6/062005


-H. Kasai, A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Improved Eu luminescence properties in Eu-doped GaN grown on GaN substrates by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''49''(4) (2010) pp. 048001/1-2.&br;
http://jjap.jsap.jp/cgi-bin/getarticle?magazine=JJAP&volume=49&page=048001


-Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:&br;
"Rare-earth-doped semiconductor-based light-emitting diodes operating at room temperature"&br;
e-Journal of Light Emitting Diode ''2''(1) (2010) pp. W-II-2/1-4.


-Y. Konaka, K. Ono, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Coexistence properties of phase separation and CuPt-ordering in InGaAsP grown on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Journal of Crystal Growth ''312'' (2010) pp. 2056-2059.


-A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE"&br;
Physica Status Solidi A ''207''(6) (2010) pp. 1397-1399.&br;
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024810002253


-T. Kawasaki, N. Furukawa, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Effect of growth temperature on Eu-doped GaN layers grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Physica Status Solidi C ''7''(7-8) (2010) pp. 2040-2042.&br;
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.200983470/abstract

-A. Nishikawa, N. Furukawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Improved luminescence properties of Eu-doped GaN light-emitting diodes grown by atmospheric-pressure organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Applied Physics Letters ''97''(5) (2010) pp. 051113/1-3.&br;

-Y. Terai, T. Tsuji, K. Noda, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Er-doped &beta;-FeSi&subsc{2}; grown by ion beam synthesis methods"&br;
Physica E ''42'' (2010) pp. 2846-2848.

-Y. Terai, K. Yamaoka, K. Yoshida, A. Yoshida and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Eu-doped ZnO films grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
Physica E ''42'' (2010) pp. 2834-2836.

-寺井慶和、吉田一樹、藤原康文：&br;
"スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu 添加ZnO の作製とその発光特性"&br;
材料 ''59'' (2010) pp. 671-674.

-西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文：&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性"&br;
材料 ''59'' (2010) pp. 690-693.

-N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Atmospheric pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
Physica Status Solidi A ''208'' (2010) pp. 445-448.&br;
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201000598/abstract

-K. Lorenz and E. Alves, I. S. Roqan and K. P. O’Donnell, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:&br;
"Lattice site location of optical centres in GaN:Eu LED material grown by organometallic vapor phase epitaxy"
Applied Physics Letters ''97'' (2010) pp. 111911/1-3.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.3489103

-Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Eu&super{3+}; ions in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
Physica Status Solidi C ''8''(2) (2011) pp. 519-521.

-N. Woodward, J. Poplawsky, B. Mitchell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:&br;
"Excitation of Eu&super{3+}; in gallium nitride epitaxial layers: Majority versus trap defect center"&br;
Applied Physics Letters ''98'' (2011) pp. 011102/1-3.&br;

-K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, and Y. Fujiwara:&br;
"Temperature dependence of direct transition energies in &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films on Si(111) substrate"&br;
Physics Procedia ''11'' (2011) pp. 181-184.

-K. Yoneda, Y. Terai, K. Noda, N Miura, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence and photoreflectance studies in Si/&beta;-FeSi&subsc{2};/Si(001) double heterostructure"
Physics Procedia ''11'' (2011) pp. 185-188.


**国際会議発表 [#y119327b]

-A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, S. Anada, N.Woodward, V. Dierolf, S. Emura, H. Asahi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Growth temperature dependence of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials, Icho-Kaikan, Osaka, Japan, May 30-June 4 (2010).

-Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Eu&super{3+}; ions in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
37th International Symposium on Compound Semiconductors, ''TuP34'', Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).

-N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, S. Anada, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;&br;
"Atmospheric-pressure growth of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
37th International Symposium on Compound Semiconductors, ''FrD1-1'', Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).&br;
【招待講演】

-M. Fujita, A. Nishikawa, Y. Terai, Y. Fujiwara and S. Noda:&br;
"GaAs photonic nanocavities with erbium luminescent centers"&br;
37th International Symposium on Compound Semiconductors, ''FrD3-4'', Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).

-T. Tozuka, Y. Terai. K. Noguchi, A. Nishikawa, I. Kawayama, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:&br;
"Optical characterization of Er-related trap level in Er,O-codoped GaAs"&br;
37th International Symposium on Compound Semiconductors, ''FrP13'', Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, May 31-June 4 (2010).

-A. Nishikawa, Y. Terai and Y. Fujiwara:&br;
"Room-temperature red emission from light emitting-diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapour phase epitaxy"&br;
2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), ''5.1'', Strasbourg, France, June 7-11 (2010).&br;
【招待講演】

-K. Lorenz, E. Alves, I. S. Roqan, K. P. O’Donnell, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and M. Bockowski:&br;
"Europium incorporation in GaN grown by metal organic chemical vapour deposition"&br;
2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), ''5.2'', Strasbourg, France, June 7-11 (2010).

-N. Woodward, V. Dierolf, A. Nishikawa, and Y. Fujiwara:&br;
"Site selective excitation pathways of in-situ doped Eu:GaN grown by MOCVD"&br;
2010 European Materials Research Society Spring Meeting (E-MRS2007), ''8.12'', Strasbourg, France, June 7-11 (2010).

-Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:&br;
"Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature"&br;
Third International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3), ''WE4-2'', Montpellier, France, July 4-7 (2010).&br;
【招待講演】

-Y. Terai, K. Noda, K. Yoneda, 1H. Udono, 2Y. Maeda, and Y. Fujiwara:&br;
"Band-gap Modifications of &beta;-FeSi&subsc{2}; Epitaxial Films by Lattice Deformations"&br;
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics, ''25-PM-V-5'', Tsukuba, Ibaraki, July 24-26 (2010).

-K. Noda, Y. Terai, K. Yoneda, and Y. Fujiwara:&br;
"Temperature dependence of direct transition energies in &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films on Si(111) substrate"&br;
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics, ''24-P8'', Tsukuba, Ibaraki, July 24-26 (2010).

-K. Yoneda, Y. Terai, K. Noda, N. Miura, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence and Photoreflectance Studies in Si/&beta;-FeSi&spbsc{2};/Si(001) Double Heterostructure"&br;
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics, ''24-P9'', Tsukuba, Ibaraki, July 24-26 (2010).

-Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:&br;
"Red light-emitting diodes with Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
15th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2010 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting & XVIII Advanced Display Technologies International Symposium, St. Petersburg, Russia, September 27-October 1 (2010).&br;
【招待講演】

-T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kawarudin, K. Yoshida, and Y. Fujiwara:&br;
"Formation of Eu&super{3+}; luminescent centers in Eu-doped ZnO by thermal annealing"&br;
3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2011), Nagoya, Japan, March 8-9 (2011).




**国内会議発表 [#o7cc00a6]

-辻尭宏，ビン・カマルディン・ムハマド・ハキム，吉田一樹，寺井慶和，藤原康文：&br;
"Eu添加ZnO薄膜におけるEu3+発光と抵抗率の相関"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''14p-ZM-2''、長崎大学、長崎市、9月14日 (2010).

-若松龍太，西川　敦，野口恒太，辻　尭宏，高岸将之，寺井慶和，藤原康文：&br;
"強励起されたEr,O共添加GaAsにおけるEr発光特性"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''14p-ZM-3''、長崎大学、長崎市、9月14日 (2010).

-ビン・カマルディン・ムハマド・ハキム，寺井慶和，吉田一樹，辻尭宏，藤原康文：&br;
"スパッタリング併用MOCVD法によるEu,N共添加ZnOの作製とEu発光特性の評価"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''14p-ZM-7''、長崎大学、長崎市、9月14日 (2010).

-西川敦、川崎隆志、古川直樹、寺井慶和、藤原康文：&br;
"Room-Temperature Red Emission from a p-Type/Europium-Doped/n-Type Gallium Nitride Light-Emitting Diode under Current Injection"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''15a-NB-1''、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).&br;
＜第32回応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演＞

-藤原康文：&br;
"イントロダクトリートーク：不純物による物性制御と機能発現"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用」、''15p- NB-1''、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).

-藤原康文，西川敦，寺井慶和：&br;
"希土類添加半導体発光デバイス"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用」''15p- NB-4''、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).&br;
【招待講演】

-田口秀幸，北原周，笠石修司，三宅綾，三宅修吾，豊田忠，中上明光，西川敦，藤原康文：&br;
Er,O共添加GaAsにおける光学利得/損失の評価&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''15p-B-13''、長崎大学、長崎市、9月15日 (2010).

-古川直樹，西川敦，川崎隆志，寺井慶和，藤原康文：&br;
"常圧有機金属気相エピタキシャル法により作製されたEu添加GaNにおけるEu発光強度の増大"
第71回応用物理学会学術講演会、''16p-NB-4''、長崎大学、長崎市、9月16日 (2010).

-高岸将之，辻尭宏，市田秀樹，西川敦，寺井慶和，兼松泰男，藤原康文：&br;
"Er,O共添加GaAsにおける光学利得/損失の評価"(兼担)
第71回応用物理学会学術講演会、16p-NB-9
長崎大学、長崎市、9月16日 (2010).

-冨士田誠之、西川敦、寺井慶和、藤原康文、野田進：&br;
"Er発光中心をもつGaAsナノ共振器の発光中心と共振モードの相互作用の検討"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''16p-J-6''、長崎大学、長崎市、9月16日 (2010).

-米田圭佑，寺井慶和，野田慶一，三浦直行，藤原康文：&br;
"SOI 基板上に成長したβ-FeSi2 エピタキシャル膜における残留キャリア濃度の評価"&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''17a-NH-7''、長崎大学、長崎市、9月17日 (2010).

-寺井慶和，米田圭佑，野田慶一，三浦直行，藤原康文：&br;
"&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜における光伝導スペクトルの評価”&br;
第71回応用物理学会学術講演会、''17a-NH-8''、長崎大学、長崎市、9月17日 (2010).

-若松龍太、西川敦、高岸将之、森田昌吾、寺井慶和、藤原康文:&br;
"微傾斜基板上に成長したEr,O共添加GaAsの発光特性と電気特性の相関"
第57回応用物理学関係連合講演会、''24p-BW-11''、神奈川工科大学、厚木市、3月24日（2011）

-辻尭宏，寺井慶和，Muhammad Hakim Kamarudin, 川端雅俊, 藤原康文：&br;
"SA-MOCVD 法によるSm 添加ZnO の作製と発光特性評価"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''25p-BW-11''、神奈川工科大学、厚木市、3月25日 (2011).

-西川敦，古川直樹，李東建，川溿昂佑，寺井慶和，藤原康文：&br;
"Eu添加GaN発光ダイオードの光学特性"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''25p-BW-14''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

-米田圭佑，寺井慶和，野田慶一，三浦直行，藤原康文：&br
"&beta;-FeSi&subsc{2};薄膜における残留キャリア濃度の熱処理温度依存性"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''26p-KU-1''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).&br;
【講演奨励賞受賞記念講演】

-野田慶一, 寺井慶和, 米田圭佑, 三浦直行, 片山広, 鵜殿治彦, 藤原康文：&br;
"Si(001)基板上β-FeSi2エピタキシャル膜におけるPRスペクトルの成長条件依存性"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''26p-KU-2''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

-寺井慶和, 野田慶一, 米田圭佑, 三浦直行, 前田佳均, 藤原康文：&br;
"&beta;-FeSi&subsc{2};における光励起キャリアの緩和過程の検証"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''26p-KU-3''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

-李東建，西川敦，古川直樹，川溿昂佑，寺井慶和，藤原康文：&br;
"Eu添加GaNにおけるMg共添加によるEu発光強度の増大"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''26p-BW-4''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

-大渕博宣，西川敦，古川直樹，寺井慶和，藤原康文，本間徹生：&br;
"OMVPE法により作製したEu添加GaNにおけるEu発光特性のV/III比依存性"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''26p-BW-5''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

-西川敦，古川直樹，李東建，川溿昂佑，寺井慶和，藤原康文：&br;
"OMVPE法により作製したEu添加GaNにおけるEu発光特性のV/III比依存性"&br;
第58回応用物理学関係連合講演会、''26p-BW-6''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011).

-川溿昂佑，西川敦，李東建，古川直樹，寺井慶和，藤原康文:&br;
"OMVPE法により作製したEu添加AlGaNのEu発光特性"&br;
第58回応用物理学会関係連合講演会、''26p-BW-7''、神奈川工科大学、厚木市、3月26日 (2011). 


**研究会 [#k3ef9e76]
-Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai:&br;
"Recent progress in rare-earth-doped semiconductors"&br
2010 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH), ''12.4'', Portland, USA, May 17-20 (2010).&br;【招待講演】

-A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, S. Anada, N.Woodward, V. Dierolf, S. Emura, H. Asahi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Growth temperature dependence of Eu-doped GaN by organometallic vapor phase epitaxy&br;
International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials, Icho-Kaikan, Osaka, Japan, May 30-June 4 (2010).

-古川直樹、西川敦、川崎隆志、寺井慶和、藤原康文：&br;
"常圧有機金属気相エピタキシャル法によるEu 添加GaN の作製とLED 特性の改善"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第1回研究会, ''A04'', 大阪大学、吹田市、5月8日 (2010).

-Y. Fujiwara, Y. Terai and A. Nishikawa:&br;
"New development in rare-earth-doped semiconductors: room-temperature operation of light-emitting diodes exhibiting rare-earth emission under current injection"&br;
"希土類添加半導体の新展開 ～ 秩序制御と電流注入型発光デバイス応用 ～"&br;
29th Electronic Materials Symposium, ''Th1-1'', pp. 63-66, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).&br;
【招待講演】

-T. Tsuji, Y. Terai, K. Yoshida, M. H. Kamarudin, and Y. Fujiwara:&br;
"Growth of Eu-doped ZnO by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"&br;
29th Electronic Materials Symposium, ''Th1-3'', pp. 69-70, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).

-N. Furukawa, A. Nishikawa, T. Kawasaki, S. Anada, N. Woodward, V. Dierolf, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Growth temperature dependence of Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
29th Electronic Materials Symposium, ''Th1-4'', pp. 71-72, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).

-T. Tozuka, Y. Terai, R. Wakamatsu, A. Nishikawa, I. Kawayama, M. Tonouchi, and Y. Fujiwara:&br;
"Enhanccement of terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs /undoped GaAs surface"&br;
29th Electronic Materials Symposium, ''Th1-5'', pp. 73-74, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月15日 (2010).

-藤原康文:&br;
"藤原グループの成果と今後の予定"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第7回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2010).

-西川敦:&br;
"常圧成長Eu添加GaNによるLED特性の改善"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第7回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2010).

-寺井慶和:&br;
"低濃度Eu添加ZnOにおける発光メカニズム"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第7回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、8月18日 (2010).

-藤原康文:&br;
"次世代光源にむけた材料開発"&br;
第1回大阪グリーンナノフォーラム大阪市国際交流センター、大阪市、10月29日 (2010).

-藤原康文、西川敦、寺井慶和:&br;
"希土類添加半導体における希土類イオン励起へのエネルギー伝達"&br;
励起ナノプロセス研究会 第6回研究会 ビッグ・アイ（国際障害者交流センター）、堺市、11月2日 (2010).

-藤原康文、西川敦、寺井慶和:&br;
"有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加GaNの作製と赤色発光ダイオードへの応用"&br;
真空・表面科学合同講演会、''4Ca-07''、大阪大学コンベンションセンター、吹田市、11月4日 (2010).

-藤原康文:&br;
"ボトムアップ型機能制御による波長超安定LEDの作製"&br;
大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム 2010ナノ理工学セミナー「グリーンナノテクノロジー　～創・省エネ材料、省エネ電子デバイス～」 大阪大学豊中キャンパス、豊中市、11月4日 (2010).

-若松龍太、西川敦、高岸将之、森田昌吾、寺井慶和、藤原康文:&br;
"微傾斜基板上に成長したEr,O共添加GaAsの発光特性評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、''A02''、大阪府立大学、なかもずキャンパス、堺市、11月20日（2010）

-辻尭宏、Muhammad Hakim Kamarudin、吉田一樹、寺井慶和、藤原康文：&br;
"SA-MOCVD法により作製したEU添加ZnO薄膜におけるEu3+発光中心の形成メカニズムの検討"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第2回研究会、''B04''、大阪府立大学、なかもずキャンパス、堺市、11月20日 (2010).

-Muhammad Hakim Kamarudin、辻尭宏、寺井慶和、藤原康文：&br;
"SA-MOCVD 法によるEu,N 共添加ZnO 薄膜の作製とEu 発光特性の評価"&br;
日本材料学会半導体エレクトロニクス委員会平成22年度第2回研究会、''B05''、大阪府立大学、なかもずキャンパス、堺市、11月20日 (2010).

-藤原康文、西川敦、寺井慶和:&br;
"Room-temperature operation of red light-emitting diodes with europium-doped gallium nitride grown by organometallic vapor phase epitaxy"&br;
第335回蛍光体同学会講演会、明治大学駿河台キャンパス、東京都千代田区、12月4日 (2010).

-藤原康文:&br;
"希土類添加半導体の不思議に挑む～次世代光源の創成にむけて～"&br;
第10回 先進技術とビジネス 研究会 学校法人武庫川学院（甲子園会館）、西宮市、1月13日 (2011).

-藤原康文:&br;
"藤原グループの成果と今後の予定"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第8回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月19日 (2011).

-辻尭宏:&br;
"ZnO:EuにおけるEu3+発光中心の形成メカニズムの検討"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第8回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月19日 (2011).

-西川敦:&br;
"Eu添加GaNのOMVPE成長温度依存性"&br;
科学研究費補助金「学術創成研究費」第8回研究会、大阪大学材料開発物性記念館、吹田市、1月19日 (2011).

-藤原康文:&br;
"革新的フルカラーLEDディスプレイ/次世代照明用技術"&br;
産学官連携推進大会2011 in 北大阪大阪国際会議場、大阪市、2月22日 (2011).

-藤原康文、西川敦、寺井慶和:&br;
"EuドープGaN赤色発光素子とレーザーへの展望"&br;
第7回レーザーディスプレイ技術研究会 東京大学生産技術研究所（コンベンションホール）、東京都目黒区、3月3日 (2011).

-藤原康文:&br;
"希土類添加半導体への挑戦　～次世代光源の創製にむけて～"&br;
静岡大学重点分野「極限画像科学」シンポジウム 静岡大学電子工学研究所、浜松市、3月14日 (2011).