研究成果/2015年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2015年 [#laebeb2b]
**論文・プロシーディングス [#l9e45d77]

***査読付き [#p5ae90b0]
//#229
-T. Arai, D. Timmerman, R. Wakamatsu, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Improvement of excitation efficiency of red luminescence in Eu-doped GaN/AlGaN multiple quantum well structures grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
Journal of Luminescence ''158'' (2015) pp. 70-74.&br;
http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2014.09.036

//#230
-M. Nakayama, S. Nakamura, H. Takeuchi, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Unique properties of photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film"''};&br;
Applied Physics Letters ''106'' (2015) pp. 012102/1-4.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4905309

//#231
-A. Koizumi, K. Kawabata, D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"'''In situ''' Eu doping into Al&subsc{x};Ga&subsc{1&#8722;x};N grown by organometallic vapor phase epitaxy to improve luminescence properties"''};&br;
Optical Materials ''41'' (2015) pp. 75-79.&br;
http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2014.11.005

//#232
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Nanoscale determinant to brighten up GaN:Eu red light-emitting diode: Local potential of Eu-defect complexes"''};&br;
Journal of Applied Physics ''117'' (2015) 155307/1-7.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4918662

//#233
-重宗翼, 小泉淳, 柏木行康, 垣内宏之, 竹村康孝, 古田晋也, 山本真理, 斉藤大志, 高橋雅也, 大野敏信, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 村橋浩一郎, 大塚邦顕, 中許昌美, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"スクリーン印刷により電極形成したGaN系 青色発光ダイオードの作製と評価"''};&br;
材料 ''64''(5) (2015) pp. 414-416.&br;

-藤原康文, 小泉淳, 朱婉新, 荒居孝紀, 松田将明, 稲葉智宏, 大渕博宣, 本間徹生:&br;
&color(blue){''"X線吸収微細構造による新規Eu原料EuCp&super{pm};&subsc{2};により作製したEu析出物のないEu添加GaNのEuイオン周辺局所構造の評価"''};&br;
SPring-8/SACLA利用研究成果集 ''3''(1) (2015) pp. 53-57.&br;
http://user.spring8.or.jp/resrep/?p=4456

//#234
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Three-dimensional spectrum mapping of bright emission centers: Investigating the brightness-limiting process in Eu-doped GaN red light emitting diodes"''};&br;
Applied Physics Letters ''107'' (2015) 082106/1-4.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4929531

//#236
-D. Timmerman, R. Wakamatsu, K. Tanaka, D. Lee, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Resonant energy transfer between Eu luminescent sites and their local geometry in GaN"''};&br;
Applied Physics Letters ''107'' (2015) 151107/1-4.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4933301



**国際会議発表 [#pe374ead]

//#293
-T. Shigemune, A. Koizumi, Y. Kashiwagi, H. Kakiuchi, Y. Takemura, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, M. Nakamoto, N. Aoyagi, Y. Yoshida, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Formation of Electrode for GaN-Based Blue Light Emitting Diodes by Screen Printing Using Ag Nanoparticle Inks"''};&br;
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), ''B1-O-03'', Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).

//#294
-K. Okada, R. Wakamatsu, D. Timmerman, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Investigation of Energy Transfer Process in Eu-Doped GaN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence"''};&br;
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), ''B1-O-06'', Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).

//#295
-M. Matsuda, A. Koizumi, T. Kojima, D. Timmerman, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Formation of a New Eu Luminescent Center by Zn,O-Codoping in Eu-Doped GaN"''};&br;
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2015), ''B1-O-07'', Nagoya University, Nagoya, Japan, March 26-31 (2015).

//#296
-Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, D. Timmerman, and A. Koizumi:&br;
&color(blue){''"Energy migration between Eu luminescent sites in Eu-doped GaN"''};&br;
7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2015), ''TUA2-4'', Seoul, Korea, May May 17-20 (2015).

//#297
-Y. Fujiwara, R. Wakamatsu, A. Koizumi, and V. Dierolf: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Present understanding of Eu luminescent centers in Eu-doped GaN"''};&br;
Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2015 (CC3DMR2015), BEXCO, Busan, Korea, June 15-19 (2015).

//#298
-Y. Fujiwara, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer"''};&br;
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices - 2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop -, Shiran-Kaikan, Kyoto University, Kyoto, Japan, July 11-14 (2015).

//#299
-T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"In-plane compressive strain dependence of photoluminescence properties in Eu-doped GaN"''};&br;
28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-28), Helsinki, Finland, July 27-31 (2015).

//#300
-Y. Fujiwara, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Valence control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
SPIE Nanoscience + Engineering, ''9551-85'', San Diego, USA, August 9-13 (2015).

//#301
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN"''};&br;
15th International Meeting on Information Display (IMID2015), ''3-3'', EXCO, Daegu, Korea, August 18-21 (2015).

//#302
-Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Drastic enhancement of Eu emission from red light-emitting Eu-doped GaN in a microcavity"''};&br;
11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), ''26H1-2'', BEXCO, Busan, Korea, August 24-28 (2015).

//#303
-W. Zhu, D. Timmerman, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Characterization of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures grown by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), ''WeOP198'', Beijing, China, August 30- September 4 (2015).

//#304
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Brightening GaN:Eu red LED by back-and-force motion of injection charges and its applied to site-selective analyses of emission centers"''};&br;
4th International Conference on the Physics of Optical Materials and Devices, Budva, Montenegro, August 31- September 4 (2015).

//#305
-Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes with Eu-doped GaN: effects of in-plane strain on Eu emission"''};&br;
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2015), ''I-26'', Lakeshore Hotel, Hsinchu, Taiwan, September 6-11 (2015).

//#306
-S. Takano, D. Kishimoto, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition of Tm-doped ZnO for photonic down-conversion for Si solar cells"''};&br;
International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015), ''III-1Tu3B2-5'', Jeju, Korea, October 25-29 (2015).

//#307
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Towards Photonic Applications of Rare-Earth-Doped ZnO"''};&br;
International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2015), ''II-4Th3A3-2'', Jeju, Korea, October 25-29 (2015).

//#308
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Boost in intensity of GaN:Eu red LED by motion control of injection charges and its application to diagnosis of Eu emission centers"''};&br;
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), ''Tu-B21'', Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).

//#309
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Gap between energetically and optically favorable emission centers in GaN:Eu red LED: Necessity of local distortion control"''};&br;
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), ''Tu-B22'', Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).

//#310
-A. Koizumi, Y. Maruyama, K. Okada, T. Shigemune, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Electrical properties of trapping level related to the excitation of Eu luminescent center in Eu-doped GaN investigated by thermally stimulated current"''};&br;
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), ''Tu-B23'', Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).

//#311
-B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"A novel utilization of environmental O for developing device compatible Eu-doped GaN aimed at red LED applications"''};&br;
6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), ''Tu-B26'', Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13 (2015).

//#312
-J. Takatsu, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN and their application to the detection of In segregation"''};&br;
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ''PS-43'', Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).

//#313
-T. Shigemune, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Separation of Eu-related trap levels in Eu-doped GaN by Laplace deep level transient spectroscopy"''};&br;
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ''PS-45'', Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).

//#314
-M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"High-Q photonic crystal double-heterostrcture nanocavity with Er,O-codoped GaAs for low-threshold lasers"''};&br;
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ''PS-49'', Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).

//#315
-T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Enhancing Eu emission intensity by strain engineering in GaN heteroepitaxial layers"''};&br;
19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ''PS-71'', Icho Kaikan, Osaka University, Suita, Japan, December 7-9 (2015).

//#316
-T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Controlling the fraction of luminescent sites in Eu-doped GaN by compressive strain"''};&br;
Nanophotonics in Asia 2015, Nakanoshima Center, Osaka, Japan, December 10-11 (2015).

//#317
-Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN"''};&br;
2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15), ''I-21'', Kyoto University, Kyoto, Japan, December 12-13 (2015).

//#318
-M. Ishii and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Optoelectronic communications with GaN:Eu red LED: Messages from atomic scale emission centers"''};&br;
2nd International Workshop on Luminescent Materials 2015 (LumiMat’15), ''I-22'', Kyoto University, Kyoto, Japan, December 12-13 (2015).




**国内会議発表 [#s8487ccc]

//#335
-朱婉新, Dolf Timmerman, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"低温OMVPE法によるGaN/Eu添加GaNナノ構造の作製と評価"''};&br;
第62回 応用物理学会春季学術講演会, ''11p-A25-3'', 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).

//#336
-重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu,O共添加GaNにおけるトラップ準位のDLTS評価"''};&br;
第62回 応用物理学会春季学術講演会, ''11p-A25-4'', 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).

//#337
-稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEu発光特性の面内圧縮ひずみ依存性"''};&br;
第62回 応用物理学会春季学術講演会, ''11p-A25-5'', 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).

//#338
-石井真史, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN:Eu赤色LEDの発光効率改善法：パルス駆動による注入電荷共振"''};&br;
第62回 応用物理学会春季学術講演会, ''11p-A25-6'', 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).

//#339
-高津潤一, 松田将明, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Ｏ2及びNOガスを用いて作製したEu,Ｏ共添加GaNの表面モフォロジーとEu発光特性"''};&br;
第62回 応用物理学会春季学術講演会, ''13p-P18-20'', 東海大学湘南キャンパス, 神奈川平塚市、3月11-14日 (2015).

//#340
-小泉淳, 重宗翼, 柏木行康, 垣内宏之, 山本真理, 斉藤大志, 松川公洋, 高橋雅也, 大野敏信, 中許昌美, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 児島貴徳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"ナノインクを用いて印刷形成した銀電極を有するInGaN/GaN青色発光ダイオードの電気特性と発光特性"''};&br;
エレクトロニクス実装学会秋季大会 第25回マイクロエレクトロニクスシンポジウム, ''2B1-2'', 大阪大学吹田キャンパス, 吹田市, 9月3-4日 (2015).

//#341
-高津潤一, 山中柊平, 松田将明, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"OMVPE 法によるEu 添加InxGa1-xNの作製とEu発光特性評価"''};&br;
第76回 応用物理学会秋季学術講演会, ''14a-2B-7'', 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).

//#342
-石井真史, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN:Eu赤色LEDの強発光中心の選択解析：サイト選択型PDES法による注入電荷捕獲特性の評価"''};&br;
第76回 応用物理学会秋季学術講演会, ''14a-2B-8'', 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).

//#343
-石井真史, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN:Eu赤色LEDのノイズ分析：発光中心の電荷捕獲特性を知る新しいアプローチ"''};&br;
第76回 応用物理学会秋季学術講演会, ''14a-2B-9'', 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).

//#344
-新郷正人, 伊藤尊史, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 柏木行康, 斎藤大志, 松川公洋, 藤原康文, 塩島謙次:&br;
&color(blue){''"Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価"''};&br;
第76回 応用物理学会秋季学術講演会, ''14p-PB2-15'', 名古屋国際会議場, 名古屋市, 9月13-16日 (2015).



**研究会 [#ubed6be9]

//#258
-重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu,O 共添加GaN におけるDLTS 法を用いたトラップ準位の測定"''};&br;
平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, ''P1''，広島大学学士会館レセプションホール，東広島市，1月24日 (2015).

//#259
-高野翔太, 岸本大希, 栗山貴士, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"新規波長変換材料を目指したTm及びYb添加ZnOの作製と評価"''};&br;
平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, ''P12''，広島大学学士会館レセプションホール，東広島市，1月24日 (2015).

//#260
-藤原康文: ''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"GaNを用いた窒化物半導体赤色LEDとその高輝度化"''};&br;
日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第166委員会　第66回研究会, ''(5)'', アイビーホール青学会館, 東京都渋谷区, 1月30日 (2015).

//#261
-稲葉智宏, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu 添加GaN の面内圧縮ひずみ制御によるEu 発光の高輝度化"''};&br;
第7回窒化物半導体結晶成長講演会（プレISGN-6）, ''Th-25'', 片平さくらホール, 東北大学片平キャンパス, 仙台市青葉区, 5月7-8日 (2015).

//#262
-櫻木寛至, 児島貴德, 小川雅之, 藤岡夏輝, 冨士田誠之, 小泉淳, 野田進, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaAs中におけるEr発光中心の発光制御－フォトニック結晶光ナノ共振器の導入－"''};&br;
平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, ''B-4'', 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, 大阪市, 7月11日 (2015).

//#263
-朱婉新, B. Mitchell, D. Timmerman, 小泉淳, T. Gregorkiewicz, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大"''};&br;
平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, ''B-6'', 大阪工業大学うめきたナレッジセンター, 大阪市, 7月11日 (2015).

//#264
-T. Inaba, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"The mechanism of emission enhancement from Eu-doped GaN by in-plane compressive strain"''};&br;
34nd Electronic Materials Symposium, ''Th3-21'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月15-17日 (2015).

//#265
-A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Luminescence properties of Eu-doped InxGa1-xN grown by organometallic vapor-phase epitaxy"''};&br;
34nd Electronic Materials Symposium, ''Th3-22'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月15-17日 (2015).

//#266
-重宗翼, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"プラスDLTS測定によるEu添加GaNにおけるEu関連トラップ準位の分離"''};&br;
平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, ''⑤'', 京都大学桂キャンパス、京都市、11月21日 (2015).

//#267
-高津潤一, 小泉淳, 山中柊平, 松田将明, 児島貴徳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加InxGa1-xNにおけるEu発光特性評価とその応用"''};&br;
平成27年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, ''⑥'', 京都大学桂キャンパス、京都市、11月21日 (2015).

//#268
-藤原康文, 稲葉智宏, 朱婉新, 児島貴徳, 小泉淳: ''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化に向けて"''};&br;
日本学術振興会　ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会　第96回研究会, ''(3)'', 湯田温泉　ホテルかめ福、山口市、12月11-12日 (2015).


**解説等 [#s966c839]

//#21
-藤原康文:&br;
&color(blue){''"2014年ノーベル物理学賞と受賞者の素顔"''};&br;
スマートプロセス学会誌 ''4'' (2015) pp. 2-4.&br;

//#22
-Y. Fujiwara, W. Jadwisienczak, and F. Rahman:&br;
&color(blue){''"Europium propels the GaN LED into the red"''};&br;
Compound Semiconductors ''21'' (2015) pp. 50-53.&br;


**顕彰 [#i8a5c6fc]

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
--日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会　発表奨励賞
--&color(blue){''"Eu添加GaNの面内圧縮ひずみ制御によるEu発光の高輝度化"''};
--2015年5月8日

-森川顕洋、水内公典、藤原康文
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
--レーザー学会 業績賞（論文賞）
--&color(blue){''"ファイバレーザーとMgドープLiTiO3分極反転素子を用いた高出力SHGグリーンレーザー"''};
--2015年5月29日

-朱婉新
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士博士課程1年
--日本材料学会平成27年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"GaN/Eu添加GaNナノ構造によるEu発光効率の著しい増大"''};
--2015年10月13日

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程1年
--19th SANKEN International, The 14th SANKEN Nanotechnology Symposium, 3rd KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Suita, Japan) Best Poster Award
--&color(blue){''"Enhancing Eu emission intensity by strain engineering in GaN heteroepitaxial layers"''};
--2015年12月9日