研究成果/2016年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2016年 [#q6651f32]
**論文・プロシーディングス [#d507dee0]

***査読付き [#h5d17afe]

//#236
-B. Mitchell, D. Timmerman, J. Poplawsky, W. Zhu, D. Lee, R. Wakamatsu, J. Takatsu, 
M. Matsuda, W. Guo, K. Lorenz, E. Alves, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Utilization of native oxygen in Eu(RE)-doped GaN for enabling device compatibility in optoelectronic applications"''};&br;
Scientific Reports ''6'' (2016) pp. 8808/1-8.&br;
http://www.nature.com/articles/srep18808

//#237
-H. Taguchi, S. Miyake, A. Suzuki, S. Kamiyama, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Evaluation of crystallinity of GaN epitaxial layer after wafer dicing process"''};&br;
Materials Science in Semiconductor Processing ''41'' (2016) pp. 89-91.&br;
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1369800115301190

//#238
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Trapping of injection charges in emission centers of GaN:Eu red LED characterized with 1/f noise involved in forward current"''};&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''55'' (2016) pp. 015801/1-4.&br;
http://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.55.015801

//#239
-J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak:&br;
&color(blue){''"Study of defects in GaN '''in situ''' doped with Eu3+ ion grown by OMVPE"''};&br;
Journal of Electronic Materials ''45'' (2016) pp. 2001-2007.&br;
http://link.springer.com/article/10.1007/s11664-016-4337-4

//#240
-T. Inaba, D. Lee, R. Wakamatsu, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Substantial enhancement of red emission intensity by embedding Eu-doped GaN into a microcavity"''};&br;
AIP Advances ''6'' (2016) pp. 045105/1-6.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4946849

//#241
-W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Uedono, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Enhanced photo/electroluminescence properties of GaN:Eu through optimization of the growth conditions and defect environment"''};&br;
APL Materials ''4'' (2016) pp. 056103/1-7.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4950826

//#242
-N. N. Ha, A. Nishikawa, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:&br;
&color(blue){''"Investigation of optical gain in Eu-doped GaN thin film grown by OMVPE method"''};&br;
Journal of Science: Advanced Materials and Devices ''1'' (2016) pp. 220-223.&br;
http://dx.doi.org/10.1016/j.jsamd.2016.06.004

//#243
-T. Kojima, S. Takano, R. Hasegawa, D. Timmerman, A. Koizumi, M. Funato, Y. Kawakami, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Control of GaN facet structures through Eu doping toward achieving semipolar {1-101} and {2-201} InGaN/GaN quantum wells"''};&br;
Applied Physics Letters ''109'' (2016) pp. 182101/1-4.&br;
http://dx.doi.org/10.1063/1.4965844

//#244
-J. Lin, L. Gomez, C. de Weerd, Y. Fujiwara, T. Gregorkiewicz, and K. Suenaga:&br;
&color(blue){''"Direct observation of bandstructure modifications in nanocrystals of CsPbBr3 perovskite"''};&br;
Nano Letters ''16'' (2016) pp. 7198-7202.&br;
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.6b03552

//#245
-J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak:&br;
&color(blue){''"Optical and Electrical Study of Defects in GaN in situ doped with Eu3+ ion grown by OMVPE"''};&br;
Journal of Electronic Materials ''45'' (2016) pp. 6355-6362.&br;
http://dx.doi.10.1007/s11664-016-4983-6

//#246
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Dimerization of emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing using valence states coupling"''};&br;
Journal of Physics: Condensed Matter ''29'' (2016) pp. 025709/1-6. &br;
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0953-8984/29/2/025702


**国際会議発表 [#m13b127b]

//#319
-I. Fragkos, C. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:&br;
&color(blue){''"Rare-earth-doped GaN-based light-emitting diode: a model of current injection efficiency"''};&br;
SPIE Photonics West, ''9742-5'', San Francisco, California, USA, February 13-18 (2016).

//#320
-Y. Fujiwara, T. Nunokawa, M. Matsuda, W. Zhu, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
Workshop on Computational Nano-Materials Design and Realization for Energy-Saving and Energy-Creation Materials, ''I-21'', Osaka University, Osaka, Japan, March 25-26 (2016).

//#321
-T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Significant enhancement of photoluminescence intensity from Eu-doped GaN embedded in resonant cavity"''};&br;
17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17), ''TuP24'', Todaiji Temple Cultural Center, Nara, Japan, March 28-31 (2016).

//#322
-T. Kojima, K. Sakuragi, M. Ogawa, N. Fujioka, A. Koizumi, S. Noda, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Emission properties of Er ions in GaAs modulated by photonic crystal nanocavities"''};&br;
17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN17), ''TuP27'', Todaiji Temple Cultural Center, Nara, Japan, March 28-31 (2016).

//#323
-Y. Kashiwagi, M. Saitoh, T. Hasegawa, K. Matsukawa, T. Shigemune, A. Koizumi,T. Kojima, Y. Fujiwara, H. Kakiuchi, N. Aoyagi, Y. Yoshida, and M. Nakamoto: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Direct electrode patterning on layered GaN on sSapphire substrate by using needle-type dispenser system of Ag nanoinks"''};&br;
2016 International Conference on Electronics Packaging (ICEP2016), ''TB3-2'', Sapporo, Japan, April 20-22 (2016).

//#324
-E. M.L.D. de Jong, L. G. Navascu&eacute;s, T. Gregorkiewicz, G. Yamashita, M. Ashida, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Auger recombination in CsPbBr3 nanocrystals"''};&br;
2016 E-MRS Spring Meeting, Lille, France, May 2-6 (2016).

//#325
-Y. Fujiwara, W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, Uedono, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Enhanced red photo/electroluminescence from Eu-doped GaN through optimization of defect environment"''};&br;
4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA’16), ''20p-LED5-1'', Pacifico-Yokohama, Yokohama, Japan, May 18-20 (2016).

//#326
-Y. Fujiwara, T. Inaba, B. Mitchell, T. Kojima, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN"''};&br;
International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials; Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC’2016), ''H4'', Graz, Austria, May 29-June 3 (2016).

//#327
-Y. Fujiwara, T. Inaba, T. Kojima, B. Mitchell, A. Capretti, T. Gregorkiewicz, and A. Koizumi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Enhanced red emission from Eu ions embedded in a GaN resonant optical microcavity"''};&br;
Collaborative Conference on 3D and Materials Research 2016 (CC3DMR2016), Incheon, Seoul, Korea, June 20-24 (2016).

//#328
-J. Wang, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and W. M. Jadwisienczak:&br;
&color(blue){''"Deep level transient spectroscopy study of Eu3+ ion in situ doped GaN epilayer grown by OMVPE"''};&br;
58th Electronic Materials Conference, ''PS5'', Newark, USA, June 22-24 (2016).

//#329
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]'':&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN as an active layer"''};&br;
Light Conference 2016, Changchun, China, July 4-8 (2016).

//#330
-A. Koizumi and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Current understanding of Eu emission centers in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9), Kyoto, Japan, August 1-5 (2016).

//#331
-J. Takatsu, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Using Eu emission to detect In segregation in InxGa1-xN"''};&br;
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), ''Tu3-T09-6'', Nagoya, Japan, August 7-12 (2016).

//#332
-R. Fuji, A. Koizumi, T. Inaba, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"N-polar Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), ''TuP-T09-21'', Nagoya, Japan, August 7-12 (2016).

//#333
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Eu-Doped GaN for Highly Efficient Wavelength-Stable Red LEDs"''};&br;
Defects in Semiconductors, Gordon Research Conference, Colby-Sawyer College, New London, USA, August 14-19 (2016).

//#334
-T. Inaba, T. Kojima, G. Yamashita, M. Ashida, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Quantitative analysis on energy transfer process for Eu luminescent centers in Eu-doped GaN"''};&br;
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016), ''D1.11.05'', Orlando, Florida, October 2-7 (2016).

//#335
-W. Zhu, M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Selective excitation of emission centers in of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures LED: Nanoscale design of active layer for dynamical control of injection charges"''};&br;
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2016), PS1.123'', Orlando, Florida, October 2-7 (2016).

//#336
-T. Nunokawa, A. Koizumi, T. Sakurai, M. Matsuda, W. Zhu, H. Ohta, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN and magnetic behaviors"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.5.06'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#337
-M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"High-Q photonic crystal double-heterostructure nanocavity with Er,O-codoped GaAs for low-threshold lasers"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.8.03'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#338
-T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Modulated optical properties of Eu-doped GaN in a GaN based microcavity"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.9.01'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#339
-N. Hernandez, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:&br;
&color(blue){''"The role of charge carriers in the photoluminescence properties of Eu-doped GaN"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.9.02'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#340
-W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Growth and optical properties of GaN/Eu-doped GaN multilayer structures by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.9.03'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#341
-B. Mitchell, W. Zhu, J. Poplawsky, A. Koizumi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"The Influence of Local and Extended Defect Environments on the Optical and Material Properties of GaN:Eu"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.10.01'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#342
-I. Fragkos, C. K. Tan, Y. Zhong, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:&br;
&color(blue){''"The role of injection efficiency in Eu-doped GaN LED"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.10.02'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#343
-M. Ishii, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Dimerized emission centers in Eu-doped GaN red light-emitting diode: cooperative charge capturing and multiple satellite emission of Eu emission centers"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.10.03'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#344
-T. Kojima, K. Sakuragi, M. Ogawa, N. Fujioka, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Extremely improved emission properties of Er luminescent centers in GaAs-based photonic crystal nanocavities"''};&br;
2016 MRS Fall Meeting, Symposium EM2: Rare-Earths in Advanced Photonics and Spintronics, ''EM2.11.02'', Boston, USA, November 27-December 2 (2016).

//#345
-H. Kogame, K. Okada, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Investigation on energy transfer process in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements"''};&br;
20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 12th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ''P1-26'', Knowledge Capital Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 12-13 (2016).

//#346
-N. Fujioka, T. Kojima, M. Ogawa, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Enhancement of Er luminescence by coupling with photonic crystal nanocavities and its application to wavelength-stable lasers"''};&br;
20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, 12th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, ''P1-27'', Knowledge Capital Congres Convention Center, Osaka, Japan, December 12-13 (2016).

//#347
-H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"''};&br;
26th Annual Meeting of MRS-J, International Symposium A-3 “Advanced Functional Oxide Materials,“ ''A3-O20-005'', Yokohama Port Opening Plaza, Yokohama, Japan, December 20-22 (2016).

//#348
-Y. Fujiwara, W. Zhu, and B. Mitchell:&br;
&color(blue){''"Critical role of oxygen in Eu-doped GaN"''};&br;
26th Annual Meeting of MRS-J, International Symposium A-3 “Advanced Functional Oxide Materials,“ ''A3-O20-014'', Yokohama Port Opening Plaza, Yokohama, Japan, December 20-22 (2016).


**国内会議発表 [#y042d3b0]

//#345
-児島貴德, 櫻木寛至, 小川雅之, 藤岡夏輝, 小泉淳, 野田進, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"フォトニック結晶光ナノ共振器の導入によるGaAs中のEr発光中心の発光制御"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''20p-S223-9'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#346
-W. Zhu, M. Ishii, A. Koizumi, Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Relationship between electrical and luminescence properties of GaN/Eu-doped GaN multiple-nanolayer structures investigated with impedance spectroscopy"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''20p-S223-10'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#347
-石井真史, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN:Eu赤色LED発光中心の三次元マッピングによる解析"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''20p-S223-11'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#348
-布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおける2価Euイオンの出現とその制御"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''20p-S223-12'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#349
-稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"微小光共振器によるEu添加GaNの発光特性制御"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''20p-S223-13'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#350
-亀井勇人, 高野翔太, 吉居玄哉, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"スパッタリング併用MOCVD法によるTm,Yb共添加ZnO薄膜の作製と発光特性"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''20p-S223-15'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#351
-新郷正人, 伊藤尊史, 柏木行康, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 斉藤大志, 松川公洋, 藤原康文, 塩島謙次:&br;
&color(blue){''"Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''21a-W541-4'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#352
-藤原康文: ''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"スパッタリング併用有機金属気相堆積法と希土類添加ZnOへの応用"''};&br;
第63回 応用物理学会春季学術講演会, ''21p-S222-2'', 東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区, 3月19-22日 (2016).

//#353
-柏木行康, 斉藤大志, 長谷川貴洋, 小泉淳, 重宗翼, 児島貴徳, 藤原康文, 垣内宏之, 青柳伸宜, 吉田幸雄, 松川公洋, 中許昌美:&br;
&color(blue){''"少量の銀ナノインクによる焼成膜の特性評価法の開発：ニードル式ディスペンサを用いた導電パターンの形成と評価"''};&br;
日本化学会第96春季年会, ''1PC- 129'', 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府京田辺市, 3月24-27日 (2016).

//#354
-石井真史, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN:Eu赤色LEDの発光中心の二量化：高調波成分分析を使ったEu-Eu結合評価"''};&br;
第77回 応用物理学会秋季学術講演会, ''13p-A35-1'', 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).

//#355
-稲葉智宏, 児島貴徳, 山下元気, 芦田昌明, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEu発光中心へのエネルギー輸送プロセスの定量的解析"''};&br;
第77回 応用物理学会秋季学術講演会, ''13p-A35-2'', 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).

//#356
-小亀宏明, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"二波長励起測定法を用いたEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの評価"''};&br;
第77回 応用物理学会秋季学術講演会, ''13p-A35-3'', 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).

//#357
-山田智也, 稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"多重量子ブロック層を用いたEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大"''};&br;
第77回 応用物理学会秋季学術講演会, ''13p-A35-4'', 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).

//#358
-布川拓未, 宮田祐輔, 櫻井敬博, 藤村紀文, 太田仁, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEuイオン価数制御と磁気特性"''};&br;
第77回 応用物理学会秋季学術講演会, ''13p-A35-5'', 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).

//#359
-小川雅之, 藤岡夏輝, 櫻木寛至, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsフォトニック結晶点欠陥共振器レーザーの実現に向けて ―数値解析―"''};&br;
第77回 応用物理学会秋季学術講演会, ''13p-A35-6'', 朱鷺メッセ, 新潟市, 9月13-16日 (2016).


**研究会 [#o111b85d]

//#269
-布川拓未, 小泉淳, 松田将明, 朱婉新, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEuイオンの価数制御"''};&br;
平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, ''P3'', 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).

//#270
-小亀宏朗, 岡田浩平, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"二波長励起測定法を用いたEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの動的評価"''};&br;
平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, ''P4'', 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).

//#271
-小川雅之, 児島貴徳, 櫻木寛至, 藤岡夏輝, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsフォトニック結晶点欠陥共振器レーザーの実現に向けて―数値解析―"''};&br;
平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, ''P7'', 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).

//#272
-亀井勇人, 高野翔太, 吉居玄哉, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"Si太陽電池用新規波長変換材料を目指したTm,Yb共添加ZnOの作製と評価"''};&br;
平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会, ''P12'', 福井大学工学部, 福井市, 1月30日 (2016).

//#273
-柏木行康, 斉藤大志, 長谷川貴洋, 松川公洋, 中許昌美, 重宗翼, 小泉淳, 児島貴徳, 藤原康文, 新郷正人, 伊藤尊史, 塩島謙次, 垣内宏之, 青柳伸宜, 吉田幸雄:&br;
&color(blue){''"Agナノインクのディスペンサ描画によるGaN系青色LED電極の作製と評価"''};&br;
第22回「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム, ''31'', パシフィコ横浜, 横浜市, 2月2-3日 (2016).

//#274
-稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"微小共振器によるEu添加GaNの発光モード制御"''};&br;
第8回窒化物半導体結晶成長講演会, ''Tu-21'', ローム記念館, 京都大学桂キャンパス, 京都市左京区, 5月9-10日 (2016).

//#275
-藤原康文: ''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"希土類添加半導体とその新規発光デバイスへの応用"''};&br;
分子・物質合成プラットフォーム平成28年度研究会, 大阪大学銀杏会館, 大阪大学吹田キャンパス, 吹田市, 6月17日 (2016).

//#276
-稲葉智宏、児島貴徳、小泉淳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"光状態密度の制御によるEu添加GaNの発光強度増大"''};&br;
応用物理学会関西支部平成28年度第1回研究会「先端電子デバイスと分析・加工技術の進展」, 産業技術総合研究所関西センター, 大阪府池田市, 6月17日 (2016).

//#277
-M. Ogawa, T. Kojima, K. Sakuragi, N. Fujioka, A. Koizumi and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Emission properties of Er3+ ions in GaAs modulated by photonic crystal cavities"''};&br;
35th Electronic Materials Symposium, ''We2-13'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).

//#278
-T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Controlling emission properties of Eu-doped GaN by microcavity"''};&br;
35th Electronic Materials Symposium, ''We2-18'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).

//#279
-H. Kogame, K. Okada, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Investigation on energy transfer process in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements"''};&br;
35th Electronic Materials Symposium, ''Th1-9'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).

//#280
-T. Nunokawa, A. Koizumi, M. Matsuda, W. Zhu, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Valence state control of Eu ions in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
35th Electronic Materials Symposium, ''Th1-10'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).

//#281
-H. Kamei, S. Takano, G. Yoshii, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Controllable energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD"''};&br;
35th Electronic Materials Symposium, ''Th1-11'', ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県守山市, 7月6-8日 (2016).

//#282
-稲葉智宏, 児島貴徳, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"微小共振器により変調されたEu添加GaNの発光特性評価"''};&br;
日本材料学会平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 大阪府立大学サイエンスホール, 堺市, 7月30日 (2016).

//#283
-児島貴徳, 小亀宏朗, 岡田浩平, 小泉淳, 藤原康文:&br;
&color(blue){''"二波長励起測定法によるEu添加GaNのエネルギー輸送モデルの検討"''};&br;
日本材料学会平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 大阪府立大学サイエンスホール, 堺市, 7月30日 (2016).

//#284
-T. Inaba, T. Kojima, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Significant enhancement of emission intensity from Eu ions embedded in a GaN microcavity,"''};&br;
「ナノ光電子材料における消光問題の国際的枠組による解決」研究会, 京都大学大学院人間・環境学研究科大講義室, 京都市左京区, 8月19日 (2016).

//#285
-塩島謙次、重宗翼、小泉淳、児島貴徳、柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価"''};&br;
第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム秋季大会, ''2C-3'', 中京大学名古屋キャンパス, 名古屋市昭和区, 9月8-9日 (2016).

//#386
-児島貴徳, 藤原康文: ''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"GaAs中のEr発光中心とフォトニック結晶光ナノ共振器との相互作用"''};&br;
日本金属学会第4回エレクトロニクス薄膜材料研究会「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(4)」, 東京工業大学大岡山キャンパス, 大阪大学豊中キャンパス、豊中市、9月22日 (2016).

//#287
-布川拓未、宮田祐輔、櫻井敬博、藤村紀文、太田仁、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEuイオン価数制御と磁気・電気特性"''};&br;
日本材料学会平成28年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, 京都工芸繊維60周年記念館、京都市左京区、11月5日 (2016).

//#288
-稲葉智宏、児島貴徳、山下元気、芦田昌明、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価"''};&br;
第5回結晶工学未来塾、''2''、東京農工大学 小金井キャンパス、東京都小金井市、11月7日 (2016).


**著書 [#s08438e0]

//#16
-H. Ohta, S. Okubo, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Electron spin resonance studies of GaAs:Er,O (Chapter 5)"''};&br;
Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials: Number 87, Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials; Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics, edited by V. Dierolf, I.T. Ferguson, and J.M. Zavada (Elsevier, Duxford, UK, 2016) pp. 169-194.

//#17
-A. Koizumi, B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Growth of Eu-doped GaN and its magneto-optical properties (Chapter 8)"''};&br;
Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials: Number 87, Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials; Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics, edited by V. Dierolf, I.T. Ferguson, and J.M. Zavada (Elsevier, Duxford, UK, 2016) pp. 259-280.



**解説等 [#s08438e0]



**顕彰 [#t4474571]

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
--応用物理学会関西支部平成28年度第1回研究会「先端電子デバイスと分析・加工技術の進展」　ポスター賞（最優秀賞）
--&color(blue){''"光状態密度の制御によるEu添加GaNの発光強度増大"''};
--2016年6月17日

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
--日本材料学会平成28年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"微小共振器により変調されたEu添加GaNの発光特性評価"''};
--2016年8月29日

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
--応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾　発表優秀賞
--&color(blue){''"Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価"''};
--2016年11月7日

-朱婉新
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
--2016 MRS Fall Meeting, Symposium Student Awards
--&color(blue){''"Growth and optical properties of GaN/Eu-doped GaN multilayer structures by low-temperature organometallic vapor phase epitaxy"''};
--2016年11月30日