研究成果/2017年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2017年 [#wd555ae4]
**論文・プロシーディングス [#vbdb3784]

***査読付き [#be7acd24]

//#247
-J. Takatsu, B. Mitchell, A. Koizumi, S. Yamanaka, M. Matsuda, T. Gregorkiewicz, T. Kojima, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Detection of In segregation in InGaN by using Eu as a probe"''};&br;
Journal of Crystal Growth ''468'' (2017) pp. 831-834. &br;
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.101

//#248
-R. Fuji, B. Mitchell, A. Koizumi, T. Inaba, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Surface morphology and optical properties of Eu3+ ions incorporated into N-polar GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy,"''};&br;
Journal of Crystal Growth ''468'' (2017) pp. 862-865. &br;
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.01.015

//#249
-T. Inaba, B. Mitchell, A. Koizumi, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Emission enhancement and its mechanism of Eu-doped GaN by strain engineering,"''};&br;
Optical Materials Express ''7'' (2017) pp. 1381-1387. &br;
https://doi.org/10.1364/OME.7.001381

//#250
-W. Zhu, B. Mitchell, D. Timmerman, A. Koizumi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"High-power Eu-doped GaN red LED based on a multilayer structure grown at lower temperatures by organometallic vapor phase epitaxy,"''};&br;
MRS Advances ''2'' (2017) pp. 159-164. &br;
https://doi.org/10.1557/adv.2017.67

//#251
-E. Jong, G. Yamashita, L. Gomez, M. Ashida, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:&br;
&color(blue){''"Multiexciton lifetime in All-inorganic CsPbBr3 perovskite nanocrystals,"''};&br;
The Journal of Physical Chemistry C ''121'' (2017) pp. 1941-1947. &br;
http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.jpcc.6b10551

//#252
-B. Mitchell, A. Koizumi, T. Nunokawa, Y. Kuboshima, T. Mogi, S. Higashi, K. Kikukawa, H. Ofuchi, T. Honma, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Synthesis and characterization of a novel liquid Eu precursor EuCppm2 allowing for the control of the Eu oxidation state ratio in GaN thin films grown by OMVPE,"''};&br;
Materials Chemistry and Physics ''193'' (2017) pp. 140-146. &br;
https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2017.02.021

//#253
-C. de Weerd, L. Gomez, J. Lin, Y. Fujiwara, K. Suenaga, and T. Gregorkiewicz:&br;
&color(blue){''"Hybridization of single nanocrystals of Cs4PbBr6 and CsPbBr3,"''};&br;
The Journal of Physical Chemistry C ''121'' (2017) pp. 19490-19496. &br;
http://pubs.acs.org/doi/ipdf/10.1021/acs.jpcc.7b05752

//#254
-B. Mitchell, N. Hernandez, D. Lee, A. Koizumi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:&br;
&color(blue){''"Charge state of vacancy defects in Eu-doped GaN,"''};&br;
Physical Review B ''96'' (2017) pp. 064308. &br;
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.96.064308

//#255
-I. E. Fragkos, C.-K. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:&br;
&color(blue){''"Pathway towards high-efficiency Eu-doped GaN light-emitting diodes,"''};&br;
Scientific Reports ''7'' (2017) pp. 14648/1-13. &br;
https://www.nature.com/articles/s41598-017-15302-y.pdf

//#256
-I. E. Fragkos, C.-K. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:&br;
&color(blue){''"Physics of efficiency droop in GaN:Eu light-emitting diodes,"''};&br;
Scientific Reports ''7'' (2017) pp. 16773/1-12. &br;
http://www.nature.com/articles/s41598-017-17033-6.pdf



**国際会議発表 [#i2f288d7]

//#349
-I. I.	Fragkos, C. K. Tan, Y. Zhong, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:&br;
&color(blue){''"On the identification and understanding of limiting factors in IQE of GaN:Eu based PIN diodes for red light emission"''};&br;
SPIE Photonics West 2017, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXV, ''10098-5'', San Francisco, USA, January 30-February 2 (2017).

//#350
-I. Fragkos, Y. Zhong, C. K. Tan, V. Dierolf, Y. Fujiwara, and N. Tansu:&br;
&color(blue){''"Enhancement of internal quantum efficiency of GaN:Eu based red light emitters through surface plasmon engineering"''};&br;
SPIE Photonics West 2017, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXV, ''10124-22'', San Francisco, USA, January 30-February 2 (2017).

//#351
-Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell1, T. Kojima, and T. Gregorkiewicz: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN"''};&br;
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices 2017, German-Japanese-Spanish Joint Workshop, ''Mo-14'', Hotel Punta Rotja, Mallorca, Spain, March 5-8 (2017).

//#352
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN"''};&br;
2017 International Advanced Laser Application Summit Forum, Shenzhen University, Shenzhen, China, May 21-22 (2017).

//#353
-B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Toward GaN-Based Red LEDs: The Influence of Local and Extended Defect Environments on the Optical and Material Properties of GaN:Eu"''};&br;
231st ECS Meeting, ''H01-1283'', New Orleans, USA, May 28-June 2 (2017).

//#354
-J. Takatsu and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Effects of defect environment on the emission from Eu3+ ions in InGaN"''};&br;
Interdisciplinary Symposium for Up-and coming Material Scientists: Global Challenges to Attaining a Sustaionable Future, ''P66'', Osaka University Hall, Osaka, Japan, June 8-9 (2017).

//#355
-M. Ogawa, N. Fujioka, K. Sakuragi, T. Kishina, T. Kojima, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"High-Q photonic crystal double-heterostructure nanocavity with Er,O-codoped GaAs"''};&br;
Interdisciplinary Symposium for Up-and coming Material Scientists: Global Challenges to Attaining a Sustaionable Future, ''P71'', Osaka University Hall, Osaka, Japan, June 8-9 (2017).

//#356
-Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Kojima, and T. Gregorkiewicz: ''[Invited talk]''&br;
&color(blue){''"Challenge to highly efficient wavelength-stable red light-emitting diodes using Eu-doped GaN"''};&br;
12th International Conference on Nitride Semiconductors, ''B.4.1'', Strausbourg, France, July 24-28 (2017).

//#357
-J. Takatsu, R. Fuji, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Photoluminescence properties and surface morphologies of Tm-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''TuP-63'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#358
-T. Inaba, T. Kojima, G Yamashita, M. Ashida, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Quantitative evaluation of energy transfer efficiency for Eu-doped GaN grown at different V/III ratios"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''TuP-64'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#359
-M. Ishii, T. Inaba, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Repeated emission of Eu by multi-path energy transfer from defects in GaN:Eu red LED"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''TuP-77'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#360
-W. Zhu, R. Wei, B. Mitchell, Y. Fujiwara, and V. Dierolf: &br;
&color(blue){''"Behavior of Eu ions in GaN under intense excitation conditions"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''ThB3-1'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#361
-W. Zhu, B. Mitchell, J. Poplawsky, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Reduction of threading dislocations related surface pits by GaN/Eu-doped GaN multi-layer structure and its contribution to GaN:Eu RED LED performance"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''ThB3-2'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#362
-T. Yamada, T. Inaba, T. Kojima, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Enhancement of Eu emission in Eu-doped GaN red LED by localized surface plasmon"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''ThB3-3'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#363
-G. Yoshii, H. Kamei, T. Nakajima, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Emission via resonantly excited Tm3+ and Yb3+ ions in Tm,Yb-codoped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,"''};&br;
29th International Conference on Defects in Semiconductors, ''ThP-65'', Matsue, Japan, July 31-August 4 (2017).

//#364
-J.Tatebayashi, H. Kogame, T. Kojima, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Energy transfer processes in Eu-doped GaN by two-wavelength excited photoluminescence measurements,"''};&br;
8th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2017), ''PT37'', Qingdao, China, September 24-27 (2017).

//#365
-Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Gregorkiewicz, and J. Tatebayashi: ''[Invited talk]''&br;
&color(blue){''"New development of Eu-doped GaN narrow-band red light-emitting diodes,"''};&br;
6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundmental Properties of Semiconductor Nanostructures, Como, Italy, September 25-28 (2017).

//#366
-Y. Fujiwara, T. Inaba, W. Zhu, B. Mitchell, T. Gregorkiewicz, and J. Tatebayashi: ''[Invited talk]''&br;
&color(blue){''"Intrinsic and extrinsic control of Eu luminescence in GaN for highly efficient wavelength-stable narrow-band red light-emitting diodes,"''};&br;
Satellite Workshop of Kanamori Memorial Symposium - Recent Progress in Materials Science for Spintronics and Energy Applications-, Osaka University, Osaka, October 2-3 (2017).

//#367
-T. Inaba, K. Shiomi, T. Kojima, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Enhanced light output from Eu-doped GaN red LED by a microcavity,"''};&br;
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), ''TP9'', Banff, Canada, October 8-12 (2017).

//#368
-W. Zhu, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, B. Mitchell, V. Dierolf, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Color tunablility of Eu-Doped GaN LEDs achieved through a re-excitation driven up-conversion process,"''};&br;
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017), ''TP10'', Banff, Canada, October 8-12 (2017).

//#369
-Y. Fujiwara: ''[Invited talk]''&br;
&color(blue){''"New development of narrow-band red LEDs using Eu-doped GaN - Intrinsic control and extrinsic control -,"''};&br;
International Thin Films Conference (TACT2017), ''C-I-0630'', National Dong Hwa University, Hualien, Taiwan, October 15-18 (2017).

//#370
-K. Shiojima, T. Shigemune, A. Koizumi, T. Kojima, Y. Kashiwagi, M. Saitoh, 
T. Hasegawa, M. Chigane, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Effect of surface treatment in printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers by using Ag nanoink,''};&br;
Advanced Metallization Conference 2017, 27th Asian Session, ''7-4'', The University of Tokyo, Japan, October 19-20 (2017)

//#371
-Y. Fujiwara: ''[Invited talk]''&br;
&color(blue){''"Towards highly efficient GaN-based red light-emitting diodes,"''};&br;
AEARU Advanced Materials Science Workshop 2017, Osaka University, Osaka, Japan, November 1 (2017).


**国内会議発表 [#s1d6a5e4]

//#360
-山田智也、稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"局在表面プラズモンによるEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大"''};&br;
第64回応用物理学会春季学術講演会, ''15p-411-13'', パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).

//#361
-小亀宏明、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"二波長励起測定法によるEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの評価"''};&br;
第64回応用物理学会春季学術講演会, ''15p-411-14'', パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).

//#362
-朱 婉新、W. Ruoqiao、M. Brandon、D. Volkmar、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"再励起プロセスによるEu3+のup-conversion現象の観測と解明"''};&br;
第64回応用物理学会春季学術講演会, ''15p-411-15'', パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).

//#363
-石井真史、稲葉智宏、藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN:Eu赤色LEDの発光ゆらぎ：インタラクティブな発光過程の解析"''};&br;
第64回応用物理学会春季学術講演会, ''15p-411-16'', パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).

//#364
-稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaN系ナノ光デバイスに向けたAlInNの厚膜成長"''};&br;
第64回応用物理学会春季学術講演会, ''17p-P3-17'', パシフィコ横浜, 横浜市, 3月14-17日 (2017).

//#365
-稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"発光遷移確率の制御によるEu,O共添加GaNのEu発光強度増大"''};&br;
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道大学フロンティア応用科学研究棟、札幌市北区, 7月13-15日 (2017).

//#366
-稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"温度変調エピタキシャル法を用いた高品質AlInNの厚膜成長"''};&br;
日本結晶成長学会第40回結晶成長討論会, 浜名湖ロイヤルホテル, 浜松市, 8月30日-9月1日 (2017).

//#367
-稲葉智宏、児島貴徳、舘林潤、山下元気、松原英一、芦田昌明、藤原康文:&br;
&color(blue){''"時間分解PLの初期信号解析によるEu添加GaNの発光メカニズムの解明"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''5a-A301-1'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

//#368
-三輪順也、上向井正裕、藤諒健、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の作製"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''7p-A301-1'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

//#369
-南部誠明、上向井正裕、藤諒健、山田智也、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''7p-A301-2'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

//#370
-山口修平、上向井正裕、髙橋一矢、岩谷素顕、赤﨑勇、林侑介、三宅秀人、山田智也、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''7p-A301-4'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

//#371
-藤諒健、高津潤一、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"有機金属気相エピタキシャル法により作製したTm添加AlGaNからの狭帯域青色発光"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''8a-A414-2'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

//#372
-稲葉智宏、塩見圭史、児島貴徳、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNを発光層にした赤色垂直微小共振器LEDの実現"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''8a-A414-3'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).

//#373
-山田智也、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"薄膜p-GaN上金属ナノ粒子によるEu添加GaN LED構造の発光強度増大"''};&br;
第78回応用物理学会春季学術講演会、''8a-A414-4'', 福岡国際会議場, 福岡市, 9月5-8日 (2017).



**研究会 [#k4ff8143]

//#289
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"希土類添加GaNの物性と構造評価"''}; &br;
材料系共同利用研究報告会、大阪大学吹田キャンパス、吹田市、1月16日 (2017).

//#290
-児島貴徳、櫻木寛至、小川雅之、藤岡夏輝、藤原康文:&br;
&color(blue){''"GaAs中にドープされたEr発光中心とフォトニック結晶光ナノ共振器との相互作用"''}; &br;
電子情報通信学会フォトニックネットワーク研究会／電磁界理論研究会／光エレクトロニクス研究会／レーザ・量子エレクトロニクス研究会／エレクトロニクスシミュレーション研究会／マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会、''LQE-3''、伊勢市観光文化会館、三重県伊勢市、1月18-19日 (2017).

//#291
-吉居玄哉、亀井勇人、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"SA-MOCVD 法で作製したTm,Yb共添加ZnO薄膜中でのTm3+,Yb3+イオン間の エネルギー輸送評価"''}; &br;
日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P-6''、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).

//#292
-藤岡夏輝、児島貴徳、小川雅之、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAs 2次元フォトニック結晶ナノ光共振器におけるEr発光増強と新規レーザへの応用可能性"''}; &br;
日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P-7''、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).

//#293
-山田智也、稲葉智宏、児島貴徳、藤原康文:&br;
&color(blue){''"銀ナノ粒子との表面プラズモン結合によるEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大"''}; &br;
日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P-9''、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).

//#294
-藤諒健、M. Brandon、小泉淳、稲葉智宏、藤原康文:&br;
&color(blue){''"有機金属気相エピタキシャル法によるN極性GaNへのEu添加と発光特性"''}; &br;
日本材料学会平成28年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P-10''、鳥取大学鳥取キャンパス、鳥取市、1月28日 (2017).

//#295
-藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、児島貴徳、舘林潤:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"Eu添加GaN狭帯域赤色LEDの新展開"''}; &br;
第368回蛍光体同学会、化学会館ホール、東京都千代田区、6月2日 (2017).

//#296
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"希土類添加半導体の新展開：窒化物半導体狭帯域赤色LED"''}; &br;
第65回 CVD 研究会 （第28回夏季セミナー）、プラザ洞津、三重県津市、8月8日 (2017).

//#297
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"希土類添加GaNによる赤色LEDとレーザーの可能性"''}; &br;
第1回可視光半導体レーザー調査委員会（兼VLDAC第11回半導体レーザー専門委員会）、大阪大学吹田キャンパス、吹田市、10月4日 (2017).

//#298
-舘林潤、藤原康文、荒川泰彦:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"半導体ナノワイヤの光機能と新展開"''}; &br;
日本学術振興会第125委員会第238回研究会、キャンパスプラザ京都、京都市下京区、10月25日 (2017).

//#299
-藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、舘林潤:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"Eu 添加 GaN 波長超安定・狭帯域赤色 LED の新展開"''}; &br;
日本金属学会第5回エレクトロニクス薄膜材料研究会「電子・情報・エネルギー素子と機能材料の最近の研究(5)」、兵庫県立大学姫路工学キャンパス、姫路市、11月2日 (2017).

//#300
-T. Yamada, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Enhancement of Eu emission intensity in Eu doped GaN by silver nanoparticles on thin p-GaN layer,"''}; &br;
36th Electronic Materials Symposium, ''Th2-6''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).

//#301
-S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation,"''}; &br;
36th Electronic Materials Symposium, ''Th2-9''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).

//#302
-T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,"''}; &br;
36th Electronic Materials Symposium, ''Th2-10''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).

//#303
-J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems,"''}; &br;
36th Electronic Materials Symposium, ''Th2-11''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).

//#304
-R. Fuji, J. Takatsu, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Growth and optical characteristics of Tm-doped AlGaN by organometallic vapor phase epitaxy,"''}; &br;
36th Electronic Materials Symposium, ''Fr1-14''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、11月8-10日 (2017).

//#305
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"ここまでできた狭帯域赤色LED、そのキラーアプリは？"''}; &br;
日本レーザー学会第5回光感性専門委員会、大阪大学吹田キャンパス、吹田市、11月13日 (2017).

//#306
-塩見圭史、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現"''}; &br;
平成29年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、''③''
京都大学桂キャンパスAクラスター306教室、京都市西京区、11月25日 (2017).

//#307
-舘林潤、稲葉智宏、塩見圭史、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu 添加GaN を発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LED の実現"''}; &br;
電子情報通信学会電子デバイス研究会／電子部品・材料研究会／レーザ／量子エレクトロニクス研究会、名古屋工業大学窒化物半導体マルチビジネス創生センター、名古屋市昭和区、11月30日-12月1日 (2017).

//#308
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"窒化物半導体波長超安定・狭帯域赤色LEDの新展開"''}; &br;
平成29年度神戸大学物性実験研究室セミナー、神戸大学滝川記念学術交流会館、神戸市灘区、12月3日 (2017).

//#309
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNを用いた波長超安定・狭帯域赤色LEDの開発"''}; &br;
平成29年度JLEDS技術委員会JLEDSセミナー、LED照明推進協議会、東京都港区、12月8日 (2017).



**著書 [#nf80672a]


**解説等 [#s2d5fc21]



**顕彰 [#gf0ad703]

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程2年
--第５回（平成２８年度）応用物理学会関西支部奨励賞（関西奨励賞）
--2017年3月8日

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程3年
--第10回結晶成長討論会優秀ポスター賞
--2017年9月1日

-塩見圭史
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
--日本材料学会平成29年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現"''};
--2017年12月13日