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*研究成果 特別推進研究 [#wd555ae4]
**論文・プロシーディングス [#vbdb3784]

***査読付き [#be7acd24]

//#266
-A. Lesage, D. Timmerman, D. M. Lebrun, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:&br;
&color(blue){''"Hot-carrier-mediated impact excitation of Er3+ ions in SiO2 sensitized by Si nanocrystals,"''};&br;
Applied Physics Letters ''113'' (2018) pp. 031109/1-4. &br;

//#267
-J. Tatebayashi, G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,"''};&br;
Journal of Crystal Growth ''503'' (2018) pp. 13-19. &br;

//#268
-C. de Weerd, L. Gomez, A. Capretti, D. M. Lebrun, E. Matsubara, J. Lin, M. Ashida, F. C.M. Spoor, L. D.A. Siebbeles, A. J. Houtepen, K. Suenaga, Y. Fujiwara, and T. Gregorkiewicz:&br;
&color(blue){''"Efficient carrier multiplication in CsPbI3 perovskite nanocrystals,"''};&br;
Nature Communications ''9'' (2018) pp. 4199/1-9. &br;

//#269
-Y. Anzai, M. Yamamoto, S. Genchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and H. Tanaka:&br;
&color(blue){''"Broad range thickness identification of hexagonal boron nitride by colors,"''};&br;
Applied Physics Express ''12'' (2019) pp. 055007/1-5. &br;

//#270
-J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Enhanced luminescence efficiency of GaN:Eu-based lightemitting diodes by localized surface plasmons utilizing gold nanoparticles,"''};&br;
Japanese Journal of Applied Physics ''58'' (2019) pp. SCCC09/1-6. &br;

//#271
-A. Lesage, D. Timmerman, T. Inaba, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Enhanced light extraction efficiency of Eu-related emission from a nano-patterned GaN layer grown by MOCVD,"''};&br;
Scientific Reports ''9'' (2019) pp. 4231/1-6. &br;

//#272
-B. Mitchell, R. Wei, J. Takatsu, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:&br;
&color(blue){''"Color-tunablility in GaN LEDs based on atomic emission manipulation under current injection,"''};&br;
ACS Photonics ''6'' (2019) pp. 1153-1161. &br;

//#273
-R. Wei, B. Mitchell, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, J. Tatebayashi, 
S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf:&br;
&color(blue){''"Picosecond time-resolved dynamics of energy transfer between GaN and the various excited states of Eu3+ ions,"''};&br;
Physical Review B ''100'' (2019) pp. 081201(R)/1-5. &br;

//#274
-J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Localized-surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,"''};&br;
Applied Physics Express (2019). &br;




**国際会議発表 [#i2f288d7]

//#373
-N. Fujioka, M. Ogawa, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Observation of anomalous Er emission in a Er,O-codoped GaAs-based two dimensional photonic crystal nanocavity,"''};&br;
International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics 2018 (ICNN2018), Pacifco Yokohama, Japan, April 23-27 (2018).

//#374
-K. Shiomi, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Demonstration of red vertical-microcavity LEDs with Eu-doped GaN as an active layer,"''};&br;
6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications 2018 (LEDIA2018), Pacifco Yokohama, Japan, April 23-27 (2018).

//#375
-Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, and J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Enhanced light output power from Eu-doped GaN narrow-band red light-emitting diodes by actively controlling photon fields"''};&br;
233 Electrochemical Society (ECS) meetings, H01 “Wide Bandgap Semiconductor Materials and Device”, ''1401'', Seattle, USA, May 13-17 (2018).

//#376
-J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"GaN rib waveguide directional coupler for waveguide Mach-Zehnder interferometer,"''};&br;
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), ''4C-1.6'', Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).

//#377
-T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Design and fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,"''};&br;
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), ''7B-1.4'',  Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).

//#378
-J. Takatsu, R. Fuji, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy,"''};&br;
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), ''7C-1.1'',  Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).

//#379
-T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Growth of thick (~600 nm) Al0.82In0.18N by temperature-modulation epitaxy for realization of GaN-based photonic crystal slab nanocavities,"''};&br;
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), ''P2-24'', Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).

//#380
-G. Yoshii, T. Nakajima, M. Mishina, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Formation and optical properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,"''};&br;
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epiaxy (ICMOVPEXIX), ''P2-54'', Nara Kasugano International Forum, Japan, June 3-8 (2018).

//#381
-V. Dierolf, R. Wei, B. Mitchell, and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Excitation of europium ions in gallium nitride: Mechanism, kinetics, and optimization,"''};&br;
12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018), ''I15'', Nara Kasugano International Forum, Japan, July 8-13 (2018).

//#382
-Y. Sasaki, T. Inaba, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Fabrication and optical properties of GaN:Eu-based microdisks,"''};&br;
12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials (EXCON 2018), ''O44'', Nara Kasugano International Forum, Japan, July 8-13 (2018).

//#383
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Development of semiconductors intra-center photonics,"''}; &br;
Light Conference 2018, Changchun, China, July 15-18 (2018).

//#384
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Towards semiconductors intracenter photonics,"''}; &br;
19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence (EL2018) & 2018 International Conference on the Science and Technology of Emitting Displays and Lighting, ''IL-2'', Meiji University, Tokyo, Japan, September 11-13 (2018).

//#385
-Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Development of semiconductors intra-center photonics,"''}; &br;
2nd JSPS workshop on Japan-Sweden frontiers in photon and spin functionalities of nanomaterials, Noboribetsu, Hokkaido, Japan, October 24-26 (2018).

//#386
-Delphine M. Lebrun, H. Kogame, W. Zhu, B. Mitchell, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Investigation of energy transfer between europium centers in GaN:Eu using combined excitation emission spectroscopy,"''}; &br;
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), ''MoP-OD-30'', Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).

//#387
-S. Ichikawa, W. Zhu, B. Mitchell, T. Morikawa, J. Tatebayashi, T. Gregorkiewicz, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Novel in-situ technique for dislocation-reduction during GaN growth using multi-layered GaN:Eu structure,"''}; &br;
19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), ''GR8-2'', Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).

//#388
-S. Ichikawa, T. Morikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Drastic surface-smoothing on vicinal (0001) GaN film via strong surfactant effect of doped-Eu,"''}; &br;
19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), ''GR8-3'', Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).

//#389
-Y. Matsude, T. Yamada, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Fabrication of two-dimensional GaN:Eu plasmonic crystals toward highly efficient red emitters,"''}; &br;
19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), ''CR4-1'', Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).

//#390
-J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, Y. Matsude, S. Ichikawa and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,"''}; &br;
19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), ''OD6-4'', Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).

//#391
-T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, R. Katayama, J. Tajima, T. Hikosaka, and S. Nunoue: &br;
&color(blue){''"Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si substrate,"''}; &br;
19th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), ''OD7-2'', Kanazawa, Japan, November 11-16 (2018).

//#392
-M. Ogawa, N. Fujioka, T. Kishina, R. Higashi, M. Kondow, J. Tatebayashi and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Enhanced light emission in photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs,"''}; &br;
International Symposium for Materials Scientists “Inspiration for Innovation by Interaction” (ISMS III), ''P28'', Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan, December 3-4 (2018).

//#393
-J. Takatsu, R. Fuji, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Morphological and optical properties of Tm-doped AlGaN on GaN and AlN templates grown by organometallic vapor phase epitaxy,"''}; &br;
International Symposium for Materials Scientists “Inspiration for Innovation by Interaction” (ISMS III), ''P29'', Osaka University, Toyonaka, Osaka, Japan, December 3-4 (2018).

//#394
-Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Wavelength-stable and narrow-band red LED for monolithic Mmicro-LED display,"''}; &br;
27th International Display Workshops (IDW'18), ''FMC1-2'', Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan, December 12-14 (2018).


//#395
-S. Ichikawa, J. Takatsu, R. Fuji, D. Timmerman, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy"''};&br;
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019), ''19P3-35'', Nagoya Insitute of Technology, Nagoya, Japan, March 17-21 (2019).

//#396
-Y. Fujiwara, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"New development in red light-emitting diodes (LEDs) using Eu-doped GaN for monolithic micro-LED displays"''};&br;
2019 Internional Conference on display technology (ICDT2019), ''16.3'', Kunshan, Suzhou, China, March 26-29 (2019).

//#397
-Y. Fujiwara, T. Inaba, K. Shiomi, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Development of semiconductors intra-center photonics; manipulation of Eu luminescence in Eu-doped GaN by control of photon fields"''};&br;
7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), ''LEDIA-LDC-JS-2-01'', Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).

//#398
-Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Manipulation of Eu luminescence in GaN:Eu-based microdisks"''};&br;
7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), ''LEDIA-4-02'', Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).

//#399
-M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa, and R. Katayama: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"First demonstration of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si pedestal structure"''};&br;
7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), ''LEDIA-7-01'', Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).

//#400
-Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Development Focusing grating coupler for AlN deep UV waveguide SHG device"''};&br;
7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2019), ''LEDIA-8-02'', Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 23-25 (2019).

//#401
-M. Ogawa, T. Kishina, R. Higashi, M. Fujita, S. Noda, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Numerical analysis of luminescence enhancement in L3-type photonic crystal nanocavities with Er,O-codoped GaAs"''};&br;
International Conference on Nano-photonics and Nano-optoelectronics (ICNN2019), ''ICNN-4-05'', Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 24-26 (2019).

//#402
-S. Yamada, Y. Goto, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and K. Hamaya: &br;
&color(blue){''"High-quality epitaxial growth of half-metallic Co2FeSi films on a Co-terminated GaN (0001) surface"''};&br;
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), ''TuP-A-5'', Nara Kasugano International Forum (IRAKA), Nara, Japan, May 19-23 (2019).

//#403
-B. Mitchell, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, V. Dierolf, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Picosecond time-resolved excitation dynamics and emission manipulation of Eu3+ ions doped in GaN"''};&br;
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), ''TuP-G-11'', Nara Kasugano International Forum (IRAKA), Nara, Japan, May 19-23 (2019).

//#404
-J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Control of the energy transfer between Tm3+ and Yb3+ ions in ZnO nanowires for photovoltaic applications"''};&br;
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), ''WeC2-5'', Nara Kasugano International Forum (IRAKA), Nara, Japan, May 19-23 (2019).

//#405
-Y. Fujiwara, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Development of semiconductors intra-center photonics"''};&br;
Collaborative Conference on Materials Research 2019 (CCMR2019), KINTEX, Gyeonggi Goyang, Seoul, Korea, June 2-7 (2019).

//#406
-Y. Fujiwara, K. Shiomi, Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Development of semiconductors intra-center photonics"''};&br;
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), ''A10.01'', Bellevue, USA, July 7-12 (2019).

//#407
-S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Control of growth kinetics towards enhanced red emissions from strongly excited Eu-doped GaN"''};&br;
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), ''G09.03'', Bellevue, USA, July 7-12 (2019).

//#408
-S. Yamaguchi., A. Yamauchi., T. Onodera., M. Uemukai., Y. Hayashi., H. Miyake., T. Hikosaka., S. Nunoue., K. Shiomi., Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Demonstration of transverse quasi-phase-matched AlN waveguide SHG device fabricated by surface-activated bonding and silicon removal"''};&br;
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), ''D01.06'', Bellevue, USA, July 7-12 (2019).

//#409
-M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Demonstration of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device"''};&br;
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), ''M01.02'', Bellevue, USA, July 7-12 (2019).

//#410
-R. Wei, B. Mitchell, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, W. Zhu, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and V. Dierolf: &br;
&color(blue){''"Incorporation Site Dependent Excitation Dynamics of Eu3+ ions in Eu-doped GaN"''};&br;
30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), ''FrAII-4'', Seattle, USA, July 21-26 (2019).

//#411
-B. Mitchell, R. Wei, D. Timmerman, T. Gregorkiewicz, Y. Fujiwara, and V. Dierolf: &br;
&color(blue){''"Color-tunablility in Eu doped GaN LEDs based on atomic emission manipulation under current injection"''};&br;
30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), ''PII-7'', Seattle, USA, July 21-26 (2019).

//#412
-J. Tatebayashi, R. Higashi, M. Ogawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Observation of strongly enhanced Er-related luminescence coupled with cavity modes in Er,O-codoped GaAs microdisks"''};&br;
30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-30), ''PII-18'', Seattle, USA, July 21-26 (2019).

//#413
-J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Enhancement of Eu luminescence in GaN:Eu via introduction of nanostructures and nanocavities"''};&br;
Asia Pacific Society for Materials Research 2019 (APSMR2019) Annual Meeting, Hokkaido, Japan, July 26-29 (2019).

//#414
-Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, D. Lebrun, and J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Manipulation of Eu emission from GaN using control of photon fields"''};&br;
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).

//#415
-J. Tatebayashi, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Localized surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based red light-emitting diodes with silver nanoparticles"''};&br;
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).

//#416
-D. Timmerman, E. Matsubara, L. Gomez, T. Gregorkiewicz, M. Ashida, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Direct determination of multiple exciton generation rate"''};&br;
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).

//#417
-M.Uemukai, S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"InGaN laser pumped nitride semiconductor transverse quasi-phase-matched waveguide second harmonic generation devices"''};&br;
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).

//#418
-Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Input focusing grating coupler for AlN deep UV waveguide SHG device"''};&br;
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconducto Nanostructures, Kobe, Japan, September 24-27 (2019).

//#419
-Y. Fujiwara, S. Ichikawa, D. Timmerman, D. Lebrun, and J. Tatebayashi: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Manipulation of Eu emission from GaN by control of photon fields toward micro-LED display"''};&br;
4th International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN 2019), Hanoi, Vietnam, October 13-16 (2019).

//#420
-D. Timmerman, E. Matsubara, L. Gomez, T. Gregorkiewicz, M. Ashida, and Y. Fujiwara: ''[Invited Talk]''&br;
&color(blue){''"Excitation dynamics and efficiency of luminescence of Eu in GaN"''};&br;
4th International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (ICAMN 2019), Hanoi, Vietnam, October 13-16 (2019).



**国内会議発表 [#s1d6a5e4]


//#374
-山口修平、上向井正裕、髙橋一矢、岩谷素顕、赤﨑勇、林侑介、三宅秀人、山田智也、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"ZrO2/AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''17a-E202-1''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#375
-三輪純也、紀平将史、上向井正裕、藤諒健、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''17a-E202-3''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#376
-紀平将史、三輪純也、上向井正裕、藤諒健、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''17a-E202-4''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#377
-南部誠明、上向井正裕、藤諒健、山田智也、藤原康文、片山竜二:&br;
&color(blue){''"GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''17a-E202-5''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#378
-佐々木豊、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNを用いたマイクロディスクの作製とEu発光特性評価"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''18a-G204-5''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#379
-高津潤一、藤諒健、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"OMVPE法によりGaNおよびAlNテンプレート上に作製されたAlGaN:Tmの表面構造と光学特性"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''18a-G204-6''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#380
-藤岡夏輝、小川雅之、木科大樹、東諒磨、館林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAs 2次元フォトニック結晶ナノ共振器の作製と光学特性"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会、''18p-C301-8''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#381
-藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、舘林潤:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色発光ダイオードの新展開 ～特異構造制御とフォトン場制御～"''};&br;
第65回 応用物理学会春季学術講演会「窒化物半導体特異構造の科学 ～格子欠陥はどこまで制御できるのか：先端評価と機能探索～」、''19p-E202-2''、早稲田大学西早稲田キャンパス、東京都新宿区、3月17-20日 (2018).

//#382
-中島徳仁、吉居玄哉、三品匡央、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"スパッタリング援用MOCVD法によるTm,Yb共添加ZnOナノワイヤ構造の作製と発光特性"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''19p-221A-9''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

//#383
-市川修平、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Euのサーファクタント効果による微傾斜GaN上マクロステップの平坦化"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''20a-146-7''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

//#384
-市川修平、朱婉新、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaN多層構造を利用したGaN結晶中の転位低減"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''20a-146-8''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

//#385
-塩見圭史、稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''20a-146-9''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

//#386
-東諒磨、小川雅之、藤岡夏輝、木科大樹、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsマイクロディスク構造における共振器モードの観測"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''20p-235-11''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

//#387
-松出耀司、山田智也、市川修平、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"高効率赤色発光に向けたEu添加GaN 2次元プラズモニック結晶の作製"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''20p-235-12''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).

//#388
-山口修平、山内あさひ、上向井正裕、林侑介、三宅秀人、塩見圭史、藤原康文、
片山竜二:&br;
&color(blue){''"波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計"''};&br;
第79回 応用物理学会秋季学術講演会、''21a-146-2''、名古屋国際会議場、名古屋市、9月18-21日 (2018).


//#389
-市川修平、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNの強励起条件下における赤色発光強度の増大"''};&br;
第66回応用物理学会春季学術講演会、''10a-W541-12''、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).

//#390
-塩見圭史、稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文:''【講演奨励賞受賞記念講演】''&br;
&color(blue){''"高反射率・導電性AlInN/GaN DBRを用いたEu添加GaN発光ダイオードの発光強度の増大"''};&br;
第66回応用物理学会春季学術講演会、''10p-W541-1''、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).

//#391
-森岡佳紀、山口修平、正直花奈子、林侑介、三宅秀人、塩見圭史、藤原康文、上向井正裕、片山竜二:&br;
&color(blue){''"AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器"''};&br;
第66回応用物理学会春季学術講演会、''10p-W541-8''、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).

//#392
-南部誠明、永田拓実、塩見圭史、藤原康文、大西一生、谷川智之、上向井正裕、片山竜二:&br;
&color(blue){''"Si台座構造上GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製"''};&br;
第66回応用物理学会春季学術講演会、''10p-W541-14''、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).

//#393
-市川修平、高津潤一、藤諒健、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Tm添加AlGaNにおける青色発光遷移過程の光学特性評価"''};&br;
第66回応用物理学会春季学術講演会、''11p-S223-3''、東京工業大学大岡山キャンパス、東京都目黒区、3月9-12日 (2019).

//#394
-舘林潤、D. Timmerman、市川修平、藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"ナノ構造及び共振器導入によるEu添加窒化物半導体の高輝度化"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20a-N304-1''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#395
-山田晋也、本多遼成、後藤優貴、市川修平、館林潤、藤原康文、浜屋宏平: &br;
&color(blue){''"GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co2FeSi薄膜の低温MBE成長"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''18a-PB3-45''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#396
-小川雅之、舘林潤、半澤弘昌、東諒磨、保見凌平、市川修平、近藤正彦、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsを用いた高Q値2次元フォトニック結晶ナノ共振器の光学特性"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''19a-E208-3''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#397
-永田拓実、上向井正裕、彦坂年輝、布上真也、森川隆哉、藤原康文、谷川智之、片山竜二: &br;
&color(blue){''"GaN 導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''19a-E310-3''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#398
-森岡佳紀、上向井正裕、上杉謙次郎、正直花奈子、三宅秀人、森川隆哉、藤原康文、谷川智之、片山竜二: &br;
&color(blue){''"AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''19a-E310-4''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#399
-吉岡尚輝、市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Tm添加GaNを活性層に用いた超波長安定近赤外発光ダイオードの作製"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''19a-E310-6''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#400
-山内あさひ、山口修平、小野寺卓也、林侑介、三宅秀人、彦坂年輝、布上真也、塩見圭史、藤原康文、芹田和則、川山巌、斗内政吉、上向井正裕、片山竜二: &br;
&color(blue){''"横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''19p-E310-14''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#401
-山内あさひ、小松天太、池田和久、上杉謙二郎、正直花奈子、三宅秀人、彦坂年輝、布上真也、森川隆哉、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二: &br;
&color(blue){''"2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''19p-E310-15''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#402
-三品匡央、舘林潤、中島徳仁、市川修平、藤原康文: &br;
&color(blue){''"スパッタリング援用MOCVD法によるEu添加ZnOナノワイヤ構造の作製とEu発光特性"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E302-13''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#403
-舘林潤、中島徳仁、三品匡央、D. Timmerman、市川修平、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Tm,Yb共添加ZnOナノワイヤ構造におけるダウンコンバージョン挙動の観測"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E302-14''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#404
-前田将吾、市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Eu添加GaN薄膜におけるモード利得の遷移種依存性"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E302-15''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#405
-D. Timmerman, M. Ashida, S. Ishikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Excitation dynamics and efficiency of Eu luminescence in GaN"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E302-16''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#406
-東諒磨、小川雅之、舘林潤、市川修平、藤原康文: &br;
&color(blue){''"高共振器Q値実現に向けたEr,O共添加GaAsマイクロディスクの作製プロセスの検討"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E302-17''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#407
-森川隆哉、市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Eu添加GaNを利用したGaN系半導体表面のピット低減効果"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E310-9''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#408
-市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"微傾斜表面を有するGaN 系半導体における不純物添加と表面構造変化"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E310-10''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).

//#409
-村上雅人、市川修平、佐々木豊、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"六角形状の孔を有する2次元フォトニック結晶ナノ共振器によるEu添加GaNの赤色発光増強"''};&br;
第80回応用物理学会秋季学術講演会、''20p-E310-11''、北海道大学札幌キャンパス、札幌市、9月18-21日 (2019).






**研究会 [#s1d6a5e4]


//#310
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"Eu添加GaNを用いた波長超安定・狭帯域赤色LEDの開発"''}; &br;
レーザー学会学術講演会第38回年次大会、''25aIV-2''、京都市勧業館みやこめっせ、京都市左京区、1月24日-26日 (2018).

//#311
-藤原康文:''【依頼講演】''&br;
&color(blue){''"波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオード"''}; &br;
大阪大学新技術説明会、''10''、JST東京本部別館1Fホール、東京都千代田区、1月25日 (2018).

//#312
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"Eu 添加 GaN 波長超安定・狭帯域赤色発光ダイオードの新展開"''}; &br;
日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''1-3''、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).

//#313
-木科大樹、藤岡夏輝、小川雅之、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsを発光層とした2次元フォトニック結晶ナノ共振器中のErの特異な発光挙動"''}; &br;
日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P16''、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).

//#314
-中島徳仁、吉居玄哉、亀井勇人、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"新規波長変換材料を目指したTm,Yb共添加ZnOにおけるTm3+-Yb3+イオン間相互エネルギー輸送制御"''}; &br;
日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P17''、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).

//#315
-佐々木豊、稲葉智宏、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaN微小レーザ実現に向けたマイクロディスク構造の作製とEu発光特性の評価"''}; &br;
日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P18''、徳島大学常三島キャンパス工業会館メモリアルホール、徳島市、1月27日 (2018).

//#316
-藤原康文:''【依頼講演】''&br;
&color(blue){''"スマートディスプレイ用波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオードの開発"''}; &br;
技術情報協会セミナー「マイクロLEDディスプレイへ向けた３原色LEDの集積化技術と実用化展望（No. 806402）」、技術情報協会セミナールーム、東京都品川区、6月18日 (2018).

//#317
-佐々木豊、稲葉智宏、舘林潤、市川修平、藤原康文:&br;
&color(blue){''"厚膜AlInNの選択エッチングを用いたGaN:Euマイクロディスクの作製と光学評価"''}; &br;
平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、''(5)''
奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).

//#318
-市川修平、朱婉新、森川隆哉、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Eu添加GaN周期構造によるGaN結晶中の新規in-situ転位低減手法"''}; &br;
平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、''(6)''
奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).

//#319
-木科大樹、小川雅之、藤岡夏輝、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsを活性層とした2次元フォトニック結晶ナノ共振器における共振器モードの観測"''}; &br;
平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、''(9)''
奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).

//#320
-塩見圭史、稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"狭帯域赤色微小共振器LED作製に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの実現"''}; &br;
平成30年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、''(10)''
奈良先端科学技術大学院大学 先端技術科学研究科 物質創成科学領域 大講義室、生駒市、7月21日 (2018).

//#321
-藤原康文、稲葉智宏、塩見圭史、佐々木豊、市川修平、Delphine LEBRUN、舘林潤:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"フォトン場制御による波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色LEDの高輝度化"''}; &br;
電気学会光・量子デバイス研究会「パワー光源および応用システム全般」、''OQD-18-047''、ルーテル市ヶ谷センター 第一会議室、東京都新宿区、7月26日 (2018).

//#322
-藤原康文:''【依頼講演】''&br;
&color(blue){''"赤色LED用希土類蛍光体/半導体ハイブリッド材料の開発とマイクロLED"''}; &br;
サイエンス＆テクノロジーセミナー「《蛍光体 技術＆市場 最新トレンド》材料・部材化の技術動向と市場・用途展開（No. 806402）、連合会館401会議室、東京都千代田区、8月2日 (2018).

//#323
-藤原康文:''【依頼講演】''&br;
&color(blue){''"波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色発光ダイオードの現状と将来展望"''}; &br;
CMCリサーチセミナー「次世代マイクロLEDの研究開発の最前線」、あすか会議室、東京都千代田区、9月26日 (2018).

//#324
-J. Tatebayashi, T. Yamada, T. Inaba, Y. Matsude, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Surface-plasmon-enhanced GaN:Eu-based light-emitting diodes utilizing silver nanoparticles,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''We1-8''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#325
-T. Kishina, M. Ogawa, N. Fujioka, R. Higashi, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Enhancement of Er emission in a Er,O-codoped GaAs-based two dimensional photonic crystal nanocavity,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''We1-9''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#326
-Y. Matsude, T. Yamada, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Fabrication of two-dimensional GaN:Eu plasmonic crystals toward highly efficient red light emitters,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''We1-10''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#327
-T. Nakajima, G. Yoshii, M. Mishina, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Photoluminescence properties of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''We2-12''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#328
-S. Ichikawa, T. Morikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Macro-step removal during vicinal (0001) GaN epitaxy using Eu-doping technique,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th2-16''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#329
-K. Shiomi, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Fabrication of AlInN/GaN DBR with high reflectance and conductivity toward efficient red light-emitting diodes,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th2-22''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#330
-Y. Sasaki, T. Inaba, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Fabrication and optical properties of GaN:Eu-based microdisks with thick AlInN sacrificial layer,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th2-25''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#331
-M. Kihira, J. Miwa, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"GaN strip waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th3-6''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#332
-Y. Morioka, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th3-7''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#333
-A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Design of transverse quasi-phase-matched AlN tapered waveguide SHG device for broadening wavelength acceptance bandwidth,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th3-8''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#334
-T. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th3-9''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#335
-S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Fabrication of transverse quasi-phase-matched polarity-inverted stacked AlN waveguide by surface-activated bonding and silicon removal,"''}; &br;
37th Electronic Materials Symposium, ''Th3-10''、長浜ロイヤルホテル、滋賀県長浜市、10月10-12日 (2018).

//#336
-小川雅之、木科大樹、東諒磨、冨士田誠之、野田進、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Er,O 共添加 GaAs を用いた 2 次元フォトニック結晶ナノ共振器における Er 発光増強,"''}; &br;
平成30年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会・平成30年度第2回ナノ材料部門委員会第1回研究会、''②''
京都大学桂キャンパスAクラスター（A2棟）化学系大講義室（A2-306教室）、京都市左京区、11月24日 (2018).

//#337
-市川修平、森川隆哉、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"In-situ Euドーピング技術を利用した微傾斜(0001)GaN表面のステップバンチング抑制,"''}; &br;
平成30年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会・平成30年度第2回ナノ材料部門委員会第1回研究会、''③''
京都大学桂キャンパスAクラスター（A2棟）化学系大講義室（A2-306教室）、京都市左京区、11月24日 (2018).

//#338
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓"''}; &br;
研究･イノベーション学会関西支部第3回（136回）、設計工学会関西支部（194回）合同研究会、大阪電気通信大学駅前キャンパス、寝屋川市、11月26日 (2018).



//#339
-藤原康文、塩見圭史、稲葉智宏、朱婉新、市川修平、舘林潤:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 －波長超安定・狭帯域Eu添加GaN赤色発光ダイオードの新展開－"''}; &br;
The 29th Meeting on Glasses for Photonics、''1''、京都大学吉田南キャンパス、京都市左京区、1月28日 (2019).

//#340
-市川修平、高津潤一、藤諒健、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"狭帯域青色発光を示すTm添加AlGaNの発光遷移過程評価"''}; &br;
日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P19''、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).

//#341
-三品匡生、中島徳仁、吉居玄哉、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"光デバイスへの応用に向けたEu添加ZnOナノワイヤの成長と評価"''}; &br;
日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P20''、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).

//#342
-東諒磨、小川雅之、木科大樹、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Er,O共添加GaAsマイクロディスク構造の設計手法の確立とEr発光特性評価"''}; &br;
日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P21''、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).

//#343
-森川隆哉、市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Eu多層ドーピング構造を利用したEu添加GaN結晶の成長表面の平坦化"''}; &br;
日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P22''、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).

//#344
-松出耀司、山田智也、市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"2次元正方格子プラズモニック結晶を利用したEu添加GaN赤色発光の高指向性・高輝度化に向けた研究"''}; &br;
日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会、''P23''、岡山大学津島キャンパス、岡山市、2月2日 (2019).

//#345
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 ～波長超安定・狭帯域窒化物半導体赤色LEDの発明、マイクロLEDディスプレイ実現へのマイルストーン～"''}; &br;
第18回グリーンナノフォーラム「Society 5.0を支えるデジタル・半導体フォトニクス技術」、大阪産業創造館、大阪市中央区、3月1日 (2019).

//#346
-藤原康文:''【依頼講演】''&br;
&color(blue){''"マイクロLEDディスプレイに資する狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LEDの新展開"''}; &br;
OPIE特別セミナー「マイクロLED～日本発の次世代ディスプレイの実現へ」、パシフィコ横浜、横浜市西区、4月26日 (2019)..

//#347
-藤原康文、市川修平、舘林潤:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓 ～電気を流して希土類イオンを光らせる～"''}; &br;
第35回希土類討論会、''1A-09''、大阪大学銀杏会館、吹田市、5月15日 (2019).

//#348
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"赤色発光GaN-LEDの開発と次世代マイクロLEDディスプレーの取り組み"''}; &br;
第36回FPDフォーラム、ホテル日航プリンセス京都、京都市下京区、6月7日 (2019).

//#349
-市川修平、舘林潤、藤原康文:&br;
&color(blue){''"高密度原子ステップ表面を有するGaN系半導体におけるSiドーピング時の成長挙動"''}; &br;
日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」、広島大学東広島キャンパス、東広島市、6月13-15日 (2019).

//#350
-森川隆哉、市川修平、舘林潤、藤原康文: &br;
&color(blue){''"Eu添加GaNをテンプレート層に利用したGaN系薄膜の表面ピット低減"''}; &br;
日本材料学会令和元年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、''(2)''、立命館大学大阪いばらきキャンパス、大阪府茨木市、7月27日 (2019).

//#351
-小川雅之、舘林潤、半澤弘昌、東諒磨、保見凌平、市川修平、近藤正彦、藤原康文: &br;
&color(blue){''"高Q値2次元フォトニック結晶ナノ共振器を用いたEr,O共添加GaAsの発光特性変化の観測"''}; &br;
日本材料学会令和元年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、''(3)''、立命館大学大阪いばらきキャンパス、大阪府茨木市、7月27日 (2019).

//#352
-藤原康文:''【招待講演】''&br;
&color(blue){''"超高精細マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色LEDの開発 ～電気を流して希土類イオンを光らせる～"''}; &br;
センシング技術応用研究会第208回研究例会、大阪産業技術研究所森之宮センター、大阪市城東区、9月5日 (2019).

//#353
-S. Yamada, R. Honda, Y. Goto, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, and K. Hamaya: &br;
&color(blue){''"Magnetic and electrical properties of epitaxial Co2FeSi/GaN(0001) heterostructures for spintronic applications"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''We1-6'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#354
-M. Mishina, J. Tatebayashi, T. Nakajima, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Formation and optical characteristics of Eu-doped ZnO nanowires grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapour deposition"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''We2-16'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#355
-J. Tatebayashi, T. Nakajima, M. Mishina, D. Timmerman, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Observation of the down-conversion behavior in ZnO:Tm,Yb/ZnO core-shell nanowires"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''We2-17'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#356
-R. Higashi, M. Ogawa, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, M. Kondow, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Enhancement of Er luminescence in microdisk resonators with Er,O-codoped GaAs"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''We2-18'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#357
-T. Morikawa, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Surface-pit elimination of GaN-related materials using Eu-doping technique"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Th1-14'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#358
-S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Surface-morphology control using appropriate impurity-doping for vicinal (0001) GaN"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Th1-17'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#359
-T. Nagata, S. Umeda, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Fabrication of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Fr1-10'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#360
-S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nuoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Design of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Fr1-11'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#361
-Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Fr1-13'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#362
-A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama: &br;
&color(blue){''"Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double-layer polarity-inverted AlN waveguide"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Fr1-16'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).

//#363
-N. Yoshioka, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara: &br;
&color(blue){''"Remarkably wavelength-stable near-infrared emission of Tm-doped GaN light-emitting diodes"''}; &br;
38th Electronic Materials Symposium, ''Fr1-20'', The Kashihara、奈良県橿原市、10月9-11日 (2019).




**著書 [#nf80672a]

//#18
-藤原康文、市川修平、舘林潤:&br;
&color(blue){''"1.4.3 次世代に期待される技術：1.4.3.1　狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LED"''};&br;
光技術動向調査報告書 (2019).&br;


**解説等 [#s2d5fc21]

//#23
-藤原康文、稲葉智宏、朱婉新、市川修平、舘林潤:&br;
&color(blue){''"マイクロLEDディスプレイに資する狭帯域・波長超安定Eu添加GaN赤色LEDの新展開"''};&br;
オプトロニクス ''38'' (2019) pp. 38-43.&br;



**顕彰 [#gf0ad703]

中島徳仁
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
--日本材料学会平成29年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"新規波長変換材料を目指したTm,Yb共添加ZnOにおけるTm3+-Yb3+イオン間相互エネルギー輸送制御"''};
--2018年2月7日

-稲葉智宏
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程3年
--日本学術振興会第10回HOPEミーティング　Best Poster Presentation Awards
--&color(blue){''"Exploring the non-light emission process in semiconductor with light for more efficient LED"''};
--2018年3月15日

-舘林潤
--第42回レーザー学会 奨励賞
--&color(blue){''"ナノワイヤ量子ドットレーザーの室温動作"''};
--2018年5月31日

-三品匡生（中島徳仁、吉居玄哉、舘林潤、藤原康文）
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
--日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"光デバイスへの応用に向けたEu添加ZnOナノワイヤの成長と評価"''};
--2019年2月5日

-森川隆哉（市川修平、舘林潤、藤原康文）
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程1年
--日本材料学会平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"Eu多層ドーピング構造を利用したEu添加GaN結晶の成長表面の平坦化"''};
--2019年2月5日

-藤原康文
--平成30年度日本学術振興会光電相互変換第125委員会 業績賞
--&color(blue){''"半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓"''};
--2019年3月8日

-塩見圭史（稲葉智宏、市川修平、舘林潤、藤原康文）
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士前期課程2年
--第45回（2018年秋季）応用物理学会 講演奨励賞
--&color(blue){''"Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製"''};
--2019年3月9日

-市川修平、高津潤一、藤諒健、Dolf Timmerman、舘林潤、藤原康文
--ISPlasma2019/IC-PLANTS2019 Best Presentation Award 
--&color(blue){''"Excitation and relaxation processes of narrow-band blue emission in Tm-doped AlGaN revealed by time-resolved photoluminescence spectroscopy"''};
--2019年3月22日

-市川修平
--平成30年度小澤・吉川記念賞
--&color(blue){''"希土類添加技術を利用した窒化ガリウム結晶における新奇ステップ制御エピタキシー法の創製と高機能光デバイスの開発"''};
--2019年3月22日

-市川修平（朱婉新、森川隆哉、舘林潤、藤原康文）
--平成30年度日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 講演奨励賞
--&color(blue){''"In-situ Eu ドーピング技術を利用した微傾斜(0001)GaN 表面のステップバンチング抑制"''};
--2019年4月20日

-市川修平（舘林潤、藤原康文）
--日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」 研究奨励賞
--&color(blue){''"高密度原子ステップ表面を有するGaN系半導体におけるSiドーピング時の成長挙動"''};
--2019年6月15日

-小川雅之（舘林潤、半澤弘昌、東諒磨、保見凌平、市川修平、近藤正彦、藤原康文）
--大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻博士後期課程3年
--日本材料学会令和元年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会　学生優秀講演賞
--&color(blue){''"高Q値2次元フォトニック結晶ナノ共振器を用いたEr,O共添加GaAsの発光特性変化の観測"''};
--2019年7月31日