研究成果/2004年 - Fujiwara Laboratory HP

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研究成果 2004年†

論文・プロシーディングス†

査読付き†

S. Fuchi, Y. Nonogaki, H. Moriya, A. Koizumi, Y. Fujiwara and Y. Takeda:
"Composition dependence of energy structure and lattice structure in InGaAs/GaP"
Physica E 21 (2004) pp.36-44.

I. Yamakawa, R. Oga, Y. Fujiwara, Y. Takeda and A. Nakamura:
"Atomic-scale observation of interfacial roughness and As-P exchange in InGaAs/InP multiple quantum well"
Applied Physics Letters 84(22) (2004) pp. 4436-4438.

Y. Yoshida, R. Oga, W.-S. Lee, Y. Fujiwara and Y. Takeda:
"Fabrication of InAs quantum dots by droplet hetero-epitaxy on periodic arrays of InP nanopyramids"
Thin Solid Films 464-465 (2004) pp. 240-243.

T. Yoshikane, A. Koizumi, S. Hisadome, M. Tabuchi, Y. Fujiwara, A. Urakami, K. Inoue and Y. Takeda:
"Effects of growth sequence on atomic level interfacial structures and characteristics of GaInP/GaAs/GaInP double heterostructures grown by low-pressure OMVPE"
Applied Surface Science 237 (2004) pp. 246-250.

M. Yoshida, K. Hiraka, H. Ohta, Y. Fujiwara, A. Koizumi and Y. Takeda:
"Electron spin resonance study of GaAs:Er,O grown by organometallic vapor phase epitaxy"
Journal of Applied Physics 96(8) (2004) pp. 4189-4196.

Z. Zhou, T. Komaki, A. Koizumi, T. Komori, M. Yoshino, M. Morinaga, Y. Fujiwara and Y. Takeda:
"Photoluminescence around 1.54 µm from Er-containing ZnO at room temperature"
Materials Transactions 45(7) (2004) pp. 2003-2007.

国際会議発表†

M. Yoshida, K. Hiraka, H. Ohta, A. Koizumi, Y, Fujiwara and Y. Takeda:
"ESR study of Zn codoping effect on the luminescence efficiency of the Er-2O center in GaAs:Er,O"
27th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-27), Flagstaff, Arizona, USA, 76, July 26-30 (2004).

M. Suzuki, M. Tonouchi, A. Koizumi, Y. Takeda, K. Nakamura and Y. Fujiwara:
"Terahertz radiation from Er,O-codoped GaAs surface"
27th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-27), Flagstaff, Arizona, USA, 211, July 26-30 (2004).

Y. Fujiwara, K. Nakamura, A. Koizumi, Y. Takeda, M. Suzuki and M. Tonouchi:
"Pump and probe reflection study on photoexcited carrier dynamics in Er,O-codoped GaAs"
27th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS-27), Flagstaff, Arizona, USA, 222, July 26-30 (2004).

Y. Fujiwara, A. Koizumi, K. Nakamura, M. Suzuki, Y. Takeda and M. Tonouchi:
"Behaviors of nonequilibrium carriers in Er,O-codoped GaAs for 1.5mm light-emitting devices with extremely stable wavelength"
International Symposium on Advanced Structural and Functional Materials Design (ISASFMD), Osaka, Japan, A105,　November 10-12 (2004).

国内会議発表†

大渕博宣、吉兼豪勇、小泉淳、森敬洋、井上大那、久野尚志、平田智也、茜俊光、田渕雅夫、藤原康文、竹田美和、中村新男：
"MBE法およびOMVPE法により作製したErAs極薄膜の蛍光EXAFS法による局所構造評価"
第17回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム、9P66、つくば国際会議場、つくば市、1月9日 (2004).

久留真一、山田寛之、小川和男、大賀涼、李祐植、吉田義浩、田渕雅夫、藤原康文、竹田美和：
“InP/GaInAs/InP量子井戸構造の膜厚依存性とそのX線CTR散乱法による解析”
第17回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム、10P115、つくば国際会議場、つくば市、1月10日 (2004).

平加憲作、吉田誠、大久保晋、太田仁、小泉淳、藤原康文、竹田美和：
"X-band ESRによるGaAs:Er，Oの発光中心の解明Ⅲ"
日本物理学会　第59回年次大会、27pYA-12、九州大学、仙台市、3月27日 (2004).

藤原康文、平加憲作、吉田誠、太田仁、吉兼豪勇、小泉淳、竹田美和、寺尾岳見、藤村紀文：
“Er-doped GaAs の磁気及び磁気輸送特性に及ぼすキャリアドーピングの効果（Ⅱ）”
第51回応用物理学関係連合講演会、30p-ZK-10、東京工科大学、八王子市、3月30日 (2004).

中村一彦、鈴木正人、小泉淳、竹田美和、斗内政吉、藤原康文：
“Er,O共添加GaAsにおける光励起キャリアダイナミクス”
第51回応用物理学関係連合講演会、30p-P19-15、東京工科大学、八王子市、3月30日 (2004).

鈴木正人、中村一彦、小泉淳、竹田美和、藤原康文、斗内政吉：
“Er,O共添加GaAsからのテラヘルツ電磁波放射”
第51回応用物理学関係連合講演会、30p-P19-16、東京工科大学、八王子市、3月30日 (2004).

三品明生、山内勇、藤原康文：
“包析反応を用いたバルクβ-FeSi2結晶の作製と評価”
第65回応用物理学関係連合講演会、2a-P4-24、東北学院大学、仙台市、9月1-4日 (2004).

藤原康文：
“希土類添加半導体を用いた電流注入型波長超安定発光デバイスの開発”
第65回応用物理学関係連合講演会、3p-ZL-1、東北学院大学、仙台市、9月1-4日 (2004).
【招待講演】

中村一彦、鈴木正人、小泉淳、竹田美和、斗内政吉、藤原康文：
“Er,O共添加GaAsにおける光励起キャリアダイナミクス（Ⅱ）”
第65回応用物理学関係連合講演会、3p-ZL-2、東北学院大学、仙台市、9月1-4日 (2004).

吉田誠、平加憲作、太田仁、藤原康文、小泉淳、竹田美和：
"希釈磁性半導体GaAs:Er,O及びZn共添加GaAs:Er,O,ZnのX-band ESR測定"
日本物理学会　2004年秋季大会、14aYC-1、青森大学、青森市、9月14日 (2004).

藤原康文：
“希土類添加化合物半導体からの波長超安定発光と光デバイス展開”
日本金属学会2004年秋期（第135回）大会、R12、秋田大学、秋田市、9月28-30日 (2004).
【招待講演】

藤原康文、中村一彦、鈴木正人、小泉淳、竹田美和、斗内政吉：
“秩序制御されたEr,O共添加GaAsに発現する新規な光励起非平衡キャリア緩和ダイナミクス”
第48回日本学術会議材料研究連合講演会、122、日本学術会議、東京都港区、10月20-21日 (2004).

研究会†

藤原康文、藤村紀文、太田仁、竹田美和、斗内政吉、白井光雲：
"希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現"
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成15年度研究成果報告会、国際高等研究所、京都府相楽郡、1月27, 28日 (2004).

藤原康文、藤村紀文、太田仁、大渕博宣、斗内政吉、白井光雲：
"希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現"
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「半導体ナノスピントロニクス」平成16年度研究会、東京工業大学すずかけホール、横浜市緑区、6月9-10日 (2004).

M. Yoshida, K. Hiraka, H. Ohta, Y. Fujiwara, A. Koizumi and Y. Takeda:
"ESR study of local structure of Er centers in GaAs:Er,O"
第10回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会, PB15, pp. 156-159、東京工業大学すずかけホール、横浜市緑区、6月10-11日 (2004).

K. Nakamura, M. Suzuki, A. Koizumi, Y. Takeda, M. Tonouchi and Y. Fujiwara:
"Pump and probe reflectance study on photoexcited carrier dynamics in Er,O-codoped GaAs"
23rd Electronic Materials Symposium, H14, pp. 233-234、ホテル富士見ハイツ、伊豆長岡、7月7-9日 (2004).

三品明生、山内勇、藤原康文：
"包析反応によるバルクβ-FeSi2 の結晶生成"
第8回シリサイド系半導体夏の学校、琵琶湖コンファレンスセンター、彦根市、7月25日 (2004).

藤原康文：
"フォトルミネッセンス法と薄膜評価"
応用物理学会東海支部第5回基礎セミナー「薄膜の評価技術」, pp. 69-77、名古屋工業大学、名古屋市、9月16-17日 (2004).

解説など†

藤原康文、小泉淳、竹田美和:
"希土類添加Ⅲ-Ⅴ族半導体による電流注入型発光デバイス"
応用物理　第73巻　第2号 (2004) pp. 224-228.

竹田美和、藤原康文、田渕雅夫、大渕博宣:
"希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開　－結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製－"
まてりあ　第43巻　第4号 (2004) pp. 312-317.

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Last-modified: 2023-02-02 (木) 12:37:31