研究成果/2012年の変更点 - Fujiwara Laboratory HP

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*研究成果 2012年 [#j5902aad]
**論文・プロシーディングス [#ucb9ba7e]
***査読付き [#v5ba7cc1]


// 201
-D. Lee, A. Nishikawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Eu luminescence center created by Mg codoping in Eu-doped GaN"''};&br;
Applied Physics Letters ''100'' (2012) pp. 171904/1-3.&br;
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i17/p171904_s1

// 202
-Y. Terai, K. Yoneda, K. Noda, N. Miura, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Effect of residual impurities on transport properties of &beta;-FeSi&subsc{2}; epitaxial films grown by molecular beam epitaxy"''};&br;
Journal of Applied Physics ''112'' (2012) pp. 013702/1-5.&br;
http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v112/i1/p013702_s1

// 203

-T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, K. Yoshida, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Concentration quenching in Eu-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"''};&br;
Journal of Luminescence ''132'' (2012) pp. 3125&#8211;3128.&br;
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311006958

// 204
-T. Tsuji, Y. Terai, M. H. Kamarudin, M. Kawabata, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Photoluminescence properties of Sm-doped ZnO grown by sputtering-assisted metalorganic chemical vapor deposition"''};&br;
Journal of Non-Crystalline Solids ''358'' (2012) pp. 2443-2445.&br;
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309311008222

// 205
-H. Sasaki, T. Hisaka, K. Kadoiwa, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
&color(blue){''"Characteristics of SiN/GaAs interface under exposure to high-temperature and high-humidity conditions measured by photoreflectance spectroscopy"''};&br;
IEICE Electronics Express ''9''(20) (2012) pp. 1592-1597.&br;
https://www.jstage.jst.go.jp/article/elex/9/20/9_1592/_article

// 206
-V. Kachkanov, M. J. Wallace, G. van der Laan, S. S. Dhesi, S. A. Cavill, Y. Fujiwara, and K. P. O'Donnell:&br;
&color(blue){''"Induced magnetic moment of Eu3+ ions in GaN"''};&br;
Scientific Reports ''2'' (2012) pp. 969/1-5.&br;
http://www.nature.com/srep/2012/121212/srep00969/full/srep00969.html

// 207
-K. Mori, K. Watanabe, Y. Terai, Y. Fujiwara, and H. Yamashita:&br;
&color(blue){''"Hybrid mesoporous silica materials functionalized by Pt(II) complexes: Correlation between spatial distribution of active center, photoluminescence emission, and photocatalytic activity"''};&br;
Chemistry - A European Journal ''18'' (2012) pp. 11371-11378.&br;
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/chem.201200959/abstract



**国際会議発表 [#sb584561]

-Y. Fujiwara, A. Nishikawa, and Y. Terai: [Invited talk]&br;
&color(blue){''"Recent Progress in Red LEDs with Eu-doped GaN"''};&br;
Optical Society of America Topical Meeting on Advances in Optical Materials (AIOM), ''ITh5B.4'', San Diego, USA, February 1-3 (2012).

-Y. Fujiwara: [Invited talk]&br;
&color(blue){''"Current status of environment-friendly red light-emitting diodes with Eu-doped GaN"''};&br;
5th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA 2012), Nara, Japan, June 5-7 (2012).


//***IWN 2012 [#jffcd3c4]


-Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Takanori Matsuno, Ryosuke Hasegawa, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara&br;
&color(blue){''"Control of Eu luminescence centers by codoping of Mg and Si in Eu-doped GaN"''};&br;
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, TuP-PR-34, Sapporo convention center, Sapporo, Japan, October 14-19 (2012).


-Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Dong-gun Lee, Yoshikazu Terai, Volkmar Dierolf, and Yasufumi Fujiwara&br;
&color(blue){''"Variation of luminescence properties in Eu-doped gallium nitride grown on GaN and sapphire substrates by organometallic vapor phase epitaxy"''};&br;
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, TuP-PR-40, Sapporo convention center, Sapporo, Japan, October 14-19 (2012).


-Takanori Matsuno, Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara&br;
&color(blue){''"Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by &#64258;ow-rate modulation epitaxy"''};&br;
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, ThP-GR-44, Sapporo convention center, Sapporo, Japan, October 14-19 (2012).

***HNNIS-8 [#m8b89724]

-Hideyuki Taguchi, Amane Kitahara, Syugo Miyake, Akimitu Nakaue and Yasufumi Fujiwara:&br;
"Analysis of Dislocation in GaN Generated by Mechanical Wafer Dicing Process"&br;
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-4, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).

-Ryosuke Hasegawa, Ryuta Wakawatsu, Atsushi Koizumi, Hironori Ofuchi, Masayoshi Ichimiya, Dong-gun Lee, Yoshikazu Terai, Tetsuo Honma, Masaaki Ashida and Yasufumi Fujiwara:&br;
"Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy"&br;
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-5, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).

-Y. Kashiwagi, A. Koizumi, Y. Takemura, M. Yamamoto, M. Saitoh, M. Takahashi, T. Ohno, Y. Fujiwara, K. Murahashi, K. Ohtsuka, and M. Nakamoto:&br;
"Direct Transparent Electrode Formation on GaN Substrate by Screen Printing with Indium Tin Oxide Nanoparticle Pastes"&br;
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-6, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).


-Dong-gun Lee, Ryuta Wakamatsu, Atsushi Koizumi, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:&br;
"Direct evidence for creation of Eu-Mg-H complex in Eu,Mg-codoped GaN"&br;
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-7, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).

-Atsushi Koizumi, Ryuta Wakamatsu, Dong-gun Lee, Yasuhisa Saitoh, Yoshinori Kuboshima, Takayuki Mogi, Shintaro Higashi, Kaoru Kikukawa, Hironori Ofuchi, Tetsuo Honma, Yoshikazu Terai, and Yasufumi Fujiwara:&br;
"Comparative Study on Luminescence Properties of Eu-doped GaN Grown Using Eu(DPM)&subsc{3}; and EuCp&super{pm};&subsc{2};"
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-8, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).

-F. Elmasry, W. Zhang, Y. Fukuoka, S. Okubo, H. Ohta, and Y. Fujiwara:&br;
"ESR measurements of GaAs;Er,O"
8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, P1-9, Osaka University, Osaka, Japan, December 10-11 (2012).



**国内会議発表 [#iba3c8fe]

// 秋季応用物理学会
***第73回応用物理学会学術講演会 [#z67917b7]

-小泉 淳, 李 東建, 久保島 義則, 茂木隆行, 東 慎太郎, 菊川 薫, 若松龍太, 大渕博宣, 本間徹生, 寺井慶和, 藤原康文:&br;
"新規有機Eu材料EuCp&super{pm};&subsc{2};を用いたEu添加GaNのOMVPE成長"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 12a-PA4-13, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-辻 尭宏, 寺井 慶和, 苗 偉, Dierolf Volkmar, 藤原 康文:&br;
"Investigation of Eu&super{3+}; emission centers in Eu-doped ZnO by combined excitation emission spectroscopy"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-1, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-苗 偉, 寺井 慶和, 辻 尭宏, Wei Cao, 藤原康文:&br;
"Yb添加ZnO薄膜におけるYb&super{3+};発光の寿命評価"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-2, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).


-長谷川 亮介, 若松 龍太, 小泉 淳, 寺井 慶和, 藤原康文:&br;
"選択成長により作製したEu添加GaNの発光特性評価"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-5, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-松野 孝則, 若松 龍太, 李 東建, 小泉 淳, 寺井 慶和, 大渕 博宣, 本間徹生, 藤原康文:&br;
"FME成長Eu添加GaNにおけるEu発光特性の成長中断時間依存性"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-6, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-若松 龍太, 李 東建, 小泉 淳, Volkmar Dierolf, 寺井 慶和, 藤原 康文:&br;
"Luminescence properties of Eu-doped GaN grown on GaN substrate"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-7, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-李 東建, 若松 龍太, 小泉 淳, 寺井 慶和, Jon Poplawsky, Volkmar Dierolf, 藤原康文:&br;
"Role of hydrogen on Eu-Mg optical centers in GaN:Eu,Mg"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F1-8, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-寺井 慶和, 野田 慶一, 藤原 康文:&br;
"&beta;-FeSi&subsc{2};/Si DH構造における直接遷移エネルギーとヘテロ界面との相関"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F2-4, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).

-野田 慶一, 寺井 慶和, 藤原 康文:&br;
"Si(111)基板上へのGe添加&beta;-FeSi&subsc{2};エピタキシャル膜の作製"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-F2-5, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).


-Han Pan, 伏見 浩, Jingnan Cai, 小泉 淳, 藤原 康文, 和田 一実:&br;
"応力印加による歪量子井戸InGaAs/GaAs梁構造のバンドギャップ制御"&br;
第73回応用物理学会学術講演会, 13p-C5-9, 愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス, 愛媛県松山市, 9月11-14日(2012).


// 日本材料学会 平成24年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会
***日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成24年度第1回研究会 [#v9f29634]

-長谷川 亮介, 若松 龍太, 小泉 淳, 大渕 博宣, 一宮 正義, 李 東建, 寺井 慶和, 本間 徹生, 芦田 昌明, 藤原康文&br;
"OMVPE法によるEu添加GaNの選択成長と発光特性評価"&br;
日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成24年度第1回研究会, A02, 和歌山大学, 和歌山県和歌山市, 9月29日(2012).

-若松 龍太, 李 東建, 小泉 淳, 寺井 慶和, 藤原 康文&br;
"自立GaN基板上に成長したEu添加GaNの発光特性評価"&br;
日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成24年度第1回研究会, A03, 和歌山大学, 和歌山県和歌山市, 9月29日(2012).

//***第60回応用物理学会春季学術講演会 [#x2c3e66a]



**研究会 [#o22d3278]

***EMS-31 [#aa20097f]

-K. Noda, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Growth condition dependence of Ge doping into β-FeSi&subsc{2}; epitaxial film by MBE method"&br;
ベータ鉄シリサイドエピタキシャル膜におけるゲルマニウムドーピングの成長条件依存性&br;
31st Electronic Materials Symposium, We2-6, pp. 39-40, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月11日(2012).

-D. Lee, R. Wakamatsu, T. Matsuno, R. Hasegawa, A. Koizumi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Eu luminescence properties in Eu,Mg,Si-codoped GaN"&br;
Eu,Mg,Si 共添加窒化ガリウムにおける Eu の発光特性&br;
31st Electronic Materials Symposium, Th1-17, pp. 113-114, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).

-T. Matsuno, D. Lee, R. Wakamatsu, A. Koizumi, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Growth and optical properties of Eu-doped GaN grown with flow-rate modulation epitaxy"&br;
流量変調エピタキシーによる Eu 添加 GaN の作成と発光特性評価&br;
31st Electronic Materials Symposium, Th1-18, pp. 115-116, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).

-R. Wakamatsu, A. Koizumi, D. Lee, Y. Terai, and Y. Fujiwara:&br;
"Anomalous luminescence peak observed in Eu-doped gallium nitride"&br;
Eu 添加 GaN において観測される特異な発光ピーク&br;
31st Electronic Materials Symposium, Th1-19, pp. 117-120, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).

-R. Hasegawa, R. Wakamatsu, A. Koizumi, H. Ofuchi, D. Lee, Y. Terai, T. Honma, and Y. Fujiwara:&br;
Luminescence properties of Eu-doped GaN grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy&br;
有機金属気相エピタキシャル法による選択成長を用いた Eu 添加 GaNの成長とその発光特性評価&br;
31st Electronic Materials Symposium, Th1-20, pp. 121-122, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).

-W. Miao, Y. Terai, T. Tsuji, W. Cao, and Y. Fujiwara:&br;
"Photoluminescence properties of Yb-doped ZnO grown by sputtering-assisted MOCVD"&br;
スパッタリング併用 MOCVD 法により作製した Yb 添加 ZnO の光学特性評価&br;
31st Electronic Materials Symposium, Th1-21, pp. 123-124, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).

-T. Tsuji, Y. Terai, W. Miao, H. Hatagishi and Y. Fujiwara:&br;
"PL properties of Eu&super{3+}; in Eu,Au-codoped ZnO grown by SA-MOCVD"&br;
SA-MOCVD 法で成長した Eu,Au 共添加 ZnO における Eu&super{3+};発光特性の評価&br;
31st Electronic Materials Symposium, Th1-22, pp. 125-126, ラフォーレ修善寺、伊豆市、7月12日(2012).




**解説等 [#fe459027]