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保田 英洋

略歴

1983

大阪大学 工学部 金属材料工学科　卒業

1985

大阪大学 大学院工学研究科 金属材料工学専攻 修士 修了

1985

新日本製鐵株式会社 中央研究本部 鋼管研究センター 研究員

1988

大阪大学 工学部 助手

1995

大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター 助手

1999

大阪大学 大学院工学研究科 助教授

2000

科学技術庁・文部科学省 金属材料技術研究所 高分解能励起場研究ユニットリーダー

2001

神戸大学　教授

2010.4

大阪大学　教授

研究キーワード

構造物性学、電子顕微鏡・電子分光学

研究内容

電子顕微鏡その場観察法による材料ダイナミクスの研究、ナノ粒子材料物性の研究、粒子線照射誘起材料挙動の研究、半導体結晶成長の研究

所属学会

日本金属学会、日本物理学会、日本顕微鏡学会、ナノ学会、日本表面科学会、応用物理学会

受賞

1992

日本金属学会 奨励賞

2000

日本電子顕微鏡学会 奨励賞

2004

日本金属学会 功績賞

2009

日本顕微鏡学会 学会賞（瀬藤賞）

最近の発表論文

Photoluminescence dynamics of organic molecule-passivated Si nanoclusters, M. Imamura, J. Nakamura, S. Fujimasa, H. Yasuda, H. Kobayashi, and Y. Negishi, Euro. Phys. J. D, 63 (2011) 289-292.

Secondary defects induced by ion and electron irradiation of GaSb, N. Nitta, E. Taguchi, H. Yasuda, H. Mori, Y. Hayashi, T. Yoshiie and M. Taniwaki, Philos. Mag. Lett., 91 (2011) 223-228.

Excited electron dynamics of bismuth film grown on Si(111) surface by interferometric time-resolved two-photon photoemission spectroscopy, S. Fujimasa, M. Imamura and H, Yasuda, J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 184 (2011) 309?312.

Void Formation and Structure Change Induced by Heavy Ion Irradiation in GaSb and InSb, N. Nitta, T. Hasegawa, H. Yasuda, Y. Hayashi, T. Yoshiie, M. Taniwaki and H. Mori, Materials Transactions, 51 (2010) 1059-1063.

One-step synthesis and near-infrared luminescent properties of Er³⁺ and Ni²⁺ doped　single-crystalline Al₁₈B₄O₃₃ nanorods, H.-T. Sun, F. Shimaoka, M. Fujii, N. Nitta, M. Mizuhata, H. Yasuda, S. Deki and S. Hayashi, Nanotechnology, 20 (2009) 035604-1-5.

Formation of porous GaSb compound nanoparticles by electronic-excitation-induced vacancy clustering, H. Yasuda, A. Tanaka, K. Matsumoto, N. Nitta and H. Mori, Phys. Rev. Lett., 100 (2008) 105506.

3MV超高圧電子顕微鏡内その場観察法とその物質・材料科学への新展開, 保田英洋, 顕微鏡, 46 (2011) 160-164.

合金ナノ粒子の相平衡 −平衡状態と電子励起効果−, 保田英洋, 触媒, 53 (2010) 9-13.

多成分系ナノ粒子の構造物性, 保田 英洋, 日本物理学会誌, 63 (2008) 837-845.