Research - Fujiwara Laboratory HP

American Physical Societyにより作成されました研究紹介動画がYoutubeにアップロードされています。その短縮版は3月15日から開催されているAPS March Meetingで放映されています。

研究内容†

III-V族半導体量子構造の原子レベル制御成長
希土類添加半導体の作製と物性評価
- Er, O共添加GaAsについて
半導体超高速度キャリアダイナミクスと不純物添加効果
- ポンプ-プローブ法によるEr, O共添加GaAsにおける光励起キャリアの緩和機構
- ポンプ-プローブ光反射率変化測定法
半導体新規光デバイスの設計・開発と特性評価
- Er添加GaAs/GaInPヘテロ構造発光デバイスの作製
希土類添加窒化物半導体による高輝度発光デバイスの実現
希土類添加酸化亜鉛薄膜の作製と物性評価
シリサイド半導体発光材料の作製と光物性評価
機能性透明酸化物薄膜の作製と物性評価
- EプラズマCVD法による炭素含有Si酸化膜の室温作製と特性評価
- EThermally Stable Carbon-Doped Silicon Oxide Films

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