
分子線エピタキシー装置(VG製 V80H)
金属、半導体などの薄膜・人工格子を、原子レベルで精密に構造制御することが出来ます。反射高速電子回折(RHEED)、走査型プローブ顕微鏡、Arスパッタリング、最高温度1300℃の高温ステージなどの試料準備・処理チャンバーが超高真空で接続されており、製膜・処理・分析を同一チャンバー内で行うことが出来ます。
到達真空度: 5×10-11 Torr以下
製膜中真空度: 5×10-10 Torr以下
最高基板温度: 800℃
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金属、半導体などの薄膜・人工格子を、原子レベルで精密に構造制御することが出来ます。反射高速電子回折(RHEED)、走査型プローブ顕微鏡、Arスパッタリング、最高温度1300℃の高温ステージなどの試料準備・処理チャンバーが超高真空で接続されており、製膜・処理・分析を同一チャンバー内で行うことが出来ます。
到達真空度: 5×10-11 Torr以下
製膜中真空度: 5×10-10 Torr以下
最高基板温度: 800℃
超高真空対応のスパッタリング装置です。製膜室は反射高速電子回折(RHEED)による構造評価室と超高真空を介して接続されています。
分子線エピタキシー装置と超高真空を介して接続されており、その場測定対応です。
9kW回転対陰極式、薄膜構造解析対応
磁気特性をはじめとする多種多様な物理特性を測定するシステムです。
超伝導量子干渉素子を使用した、超高感度の磁気特性測定装置です。
高温における電気抵抗測定も可能です。
アルミナ炉心管、石英炉心管
UV露光により、フォトマスクのパターンを薄膜試料上に生成します。