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製膜装置

分子線エピタキシー装置(VG製 V80H)

金属、半導体などの薄膜・人工格子を、原子レベルで精密に構造制御することが出来ます。反射高速電子線回折(RHEED)、走査型プローブ顕微鏡、Arスパッタリング、最高温度1300℃の高温ステージなどの試料準備・処理チャンバーが超高真空で接続されており、製膜・処理・分析を同一チャンバー内で行うことが出来ます。
到達真空度: 5×10-11 Torr以下
製膜中真空度: 5×10-10 Torr以下
最高基板温度: 800℃

構造評価

物性評価

試料処理

微細加工/その他

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